エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
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概要
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Si基板上への高品質GaN成長層実現のため、Si基板上にエピタキシャル成長させたγ-Al_2O_3層を中間層として用いてGaN成長を行った。基板としては、Si(001)およびSi(111)を用い、層厚約10nmのγ-Al_2O_3エピタキシャル成長層を形成した後に、常圧・横型の有機金属気相エピタキシャル成長法を用いて GaNの成長を行った。Si(111)基板を用いた場合には、シングルドメインのGaN層が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-17
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
有田 誠
豊橋技術科学大学電気電子工学系
-
川村 延伸
豊橋技術科学大学電気電子工学系
-
大石 浩司
豊橋技術科学大学電気電子工学系
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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