ZnO薄膜の伝導型制御
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概要
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スパッタ法により、窒化物のGaNドープのp型ZnOを作製した。また、GaNの添加量によるZnOの特性変化を調べた。その結果、GaN添加量10[%]以上で、基板温度200[℃]において抵抗率37.6[Ωcm]、キャリア濃度9×10^<15>[cm^-3], 移動度18.5[cm^2/V・s]の電気特性を持ったp型ZnOが得られた。本研究により、スパッタ法で同時ドーピングを行うことにより、初めてp型ZnOの作製ができることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-12
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
廣江 吉倫
豊橋技術科学大学
-
ブッタラート ナッタウット
豊橋技術科学大学
-
ビール シン
豊橋技術科学大学
-
ナッタウット ブッタラート
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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