CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))

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概要

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CuInSe_2薄膜の放射線に対する損傷及びその回復について調べることを目的とした。試料は高周波スパッタ法により、単結晶CISは半絶縁性GaAs(001)基板上に、多結晶CISは石英基板上に成長させた。放射線を照射した単結晶及び多結晶CuInSe_2,薄膜の電気特性の変化について調べた。電子線、陽子線を単結晶、多結晶CuInSe_2薄膜にそれぞれ照射するとキャリア濃度の減少、抵抗率の増加が見られた。電子線照射では加速エネルギーによるキャリア消滅速度の違いは見られなかったが、陽子線照射では加速エネルギーが大きいほどキャリア消滅速度が小さくなる傾向が見られた。また、放射線による損傷に対するアニール効果を検討するため、60℃でアニールを行った。その結果、電子線・陽子線の照射によりキャリア濃度が低下した薄膜にキャリア濃度の増加が見られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-05-09

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