27pC5 有機金属を原料としたシンクロトロン放射光照射によるZnTeのエピタキシャル成長(気相成長III)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1993-07-10
著者
-
郭其 新
佐賀大学理工学部
-
郭 其新
佐賀大学理工学部電気電子工学科
-
小川 博司
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
-
小川 博司
佐賀大学理工学部
-
池尻 誠
ニシム電子工業
-
西尾 光弘
分子科学研究所
-
緒方 敏洋
佐賀大学理工学部
-
池尻 誠
佐賀大学理工学部
-
ギャスソーヨドイルファン ギャスソーヨドイルファン
佐賀大学理工学部
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
緒方 敏洋
佐賀大学理工
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
関連論文
- R&D 新材料による高効率純緑色発光ダイオード
- SAGA Light Source の現状及びシンクロトロン光を用いたプロセス技術
- シンクロトロン光励起プロセスの半導体応用と展望
- 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター事業の現状と利用計画
- 光照射MOVPE成長によるZnTe膜のフォトルミネッセンス : エピタキシャル成長IV
- 22aB6 有機金属原料を用いたシンクロトロン放射光によるZnTeのホモエピタキシャル成長(気相成長I)
- マイクロ波プラズマ化学気相法によるダイヤモンド薄膜の成長
- Ga 溶液 SiLPE における基板面方位の効果 : エピタキシー II
- A1 ドープ ZnTe の MOVPE 成長 : エピタキシー I
- p型ZnTeへのオーミックコンタクト : 薄膜
- ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発及び電子部品生産技術への応用に関する研究(III)
- 半導体素子の製作技術に関する研究
- ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発及び電子部品生産技術への応用に関する研究(II)
- SR光励起成長法によるZnTeの成長特性 : 気相成長III
- ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発及び電子部品生産技術への応用に関する研究
- 27pC6 MOVPE法によるZnTeへのAlドーピング(気相成長III)
- 27pC5 有機金属を原料としたシンクロトロン放射光照射によるZnTeのエピタキシャル成長(気相成長III)
- 真空紫外光励起CVDによるZn,ZnOの薄膜の作製と評価
- 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
- 真空紫外光による金属吸着及び薄膜成長初期過程に関する研究
- 光照射MOVPE法によるZnTeの常圧成長 : 気相成長I
- Ar^+レーザ照射MOVPE法によるZnTeの成長特性 : エピタキシーI
- ZnTe Ar^+レーザ光照射MOCVD成長 : エピタキシーII
- ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 佐賀シンクロトロン光計画について
- 佐賀県が進めるシンクロトロン光応用研究施設事業の現状ともの創りビームライン計画
- シンクロトロン放射光を用いた半導体エピタキシャル成長 (特集 シンクロトロン放射光の利用技術)
- MOVPE法によるアンドープ並びにAlドープZnTe膜のPL特性 : 薄膜成長I
- 交互供給法によるシンクロトロン放射光励起エピタキシー : 無機結晶II
- 放射光励起プロセス-現状と今後の課題-
- MOVPE法によるAlドープZnTeのフォトルミネッセンスの成長条件依存性 : 気相成長III
- ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 佐賀県におけるシンクロトロン光応用研究施設の建設 (特集 地域における放射線利用の技術展開(1))
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- アルカリ金属添加CuIuSe_2薄膜の構造と光学的特性
- アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
- アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
- レーザーアブレーション法によるカルコパイライト薄膜の作製
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- レーザーアブレーション法によるCuInSe_2CdSダイオードの作製
- レーザーアブレーション法によるCuInSe_2/CdSダイオードの作製
- レーザーアブレーション法によるCuInSe_2/CdSダイオードの作製
- マイクロ波励起リモートプラズマによる窒化インジウムエピタキシャル成長
- 窒化基板上へのInNエピタキシャル成長
- A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長
- 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
- 化学気相法で成長したエピタキシャル層のフォトルミネッセンスとその成長条件依存性 : エピタキシー
- 地方からの未来開拓-佐賀県で計画されるシンクロトロン光応用研究施設について-
- 閉管法によるZnTeの気相成長 : 気相成長
- 工業的応用の為の放射線検出器の開発
- 低圧MOCVD法によるZnTeのエピタキシャル成長 : エピタキシーII
- 塩化水素を用いた開管化学気相法によるZnTeの成長特性
- 佐賀県シンクロトロン光応用研究施設の概要と半導体エピキシャル技術への応用
- Ga溶媒からのSiのLPE成長と成長層の電気的性質 : 溶液成長
- DMZn,DETeを用いた低圧MOCVDに於けるガス分析
- 低圧MOCVD法によるZnTe成長特性とフォトルミネッセンス
- ZnSe/GaAs(111) 結晶の回転双晶 : エピタキシーII
- バイパス流を用いたGaAs基板上へのZnSeの気相エピタキシャル成長
- 閉管成長系に於ける混晶半導体ZnTe_1-_xSe_xの熱力学計算
- 開管法によるZnTe気相成長特性
- 閉管法によるZnTeの化学気相成長 : Gaドーパント導入の効果
- 閉管中でのZnTeの気相輸送現象
- 閉管法によるZnTeホモエピタキシャル成長
- 開管法によるZnTe気相成長 : 成長特性
- 閉管法によるGaAs基板上へのZnTeの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- HClを用いた開管法によるZnTeの化学気相成長 : 気相成長
- 閉管法によるZnTeの気相輸送特性 : 気相成長
- 閉管法における気相成長とガス輸送に関する理論的考察
- 閉管法におけるZnTe気相成長の解析的考察
- 開管法によるZnTeの気相成長 : キャリヤーガスの違いの効果
- HClを輸送媒体とした閉管法によるZnTeの気相成長
- 縦形ブリッジマン法によるZnTe単結晶の成長
- 閉管法によるZnTe基板上へのZnSeの化学気相成長
- 閉管法によるZnTeのホモエピタキシャル成長 : 気相成長
- 開管法によるZnTeの気相成長 : 成長特性と面方位依存性 : 気相成長
- 開管法によるZnTeのホモエピタキシャル成長 : 成長特性 : II-VI化合物半導体
- 開管法によるZnTeの気相成長 : 成長条件と成長速度の関係 : II-VI化合物半導体