佐賀県におけるシンクロトロン光応用研究施設の建設 (特集 地域における放射線利用の技術展開(1))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21pPSA-12 Si(001)初期酸化表面の時間分解角度分解2光子光電子分光(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
SAGA Light Source の現状及びシンクロトロン光を用いたプロセス技術
-
シンクロトロン光励起プロセスの半導体応用と展望
-
佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター事業の現状と利用計画
-
光照射MOVPE成長によるZnTe膜のフォトルミネッセンス : エピタキシャル成長IV
-
22aB6 有機金属原料を用いたシンクロトロン放射光によるZnTeのホモエピタキシャル成長(気相成長I)
-
マイクロ波プラズマ化学気相法によるダイヤモンド薄膜の成長
-
Ga 溶液 SiLPE における基板面方位の効果 : エピタキシー II
-
A1 ドープ ZnTe の MOVPE 成長 : エピタキシー I
-
p型ZnTeへのオーミックコンタクト : 薄膜
-
ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発及び電子部品生産技術への応用に関する研究(III)
-
半導体素子の製作技術に関する研究
-
ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発及び電子部品生産技術への応用に関する研究(II)
-
SR光励起成長法によるZnTeの成長特性 : 気相成長III
-
ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発及び電子部品生産技術への応用に関する研究
-
27pC6 MOVPE法によるZnTeへのAlドーピング(気相成長III)
-
27pC5 有機金属を原料としたシンクロトロン放射光照射によるZnTeのエピタキシャル成長(気相成長III)
-
光照射MOVPE法によるZnTeの常圧成長 : 気相成長I
-
Ar^+レーザ照射MOVPE法によるZnTeの成長特性 : エピタキシーI
-
ZnTe Ar^+レーザ光照射MOCVD成長 : エピタキシーII
-
30aRD-4 角度分解2光子光電子分光法によるグラファイト表面の鏡像準位の研究(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
シンクロトロン光とレーザーを用いたナノテク支援と光誘起起電力効果研究
-
26aPS-4 セシウムテルライド薄膜フォトカソードの電子親和性(ポスターセッション,領域5,光物性)
-
19pPSA-10 佐賀大学表面研究用ビームラインの現状(ポスターセッション,領域5,光物性)
-
佐賀シンクロトロン光利用のための斜入射分光器の検討
-
佐賀シンクロトロン光計画について
-
佐賀県立九州シンクロトロン光研究センターにおける軟X線利用分析ビームライン(BL12)
-
「レーザーと放射光の組み合わせ実験の新展開」特集号によせて : 放射光とレーザーの組み合わせによる新しい分光法
-
Conference Report on the 5th Asian Synchrotron Radiation Forum in Saga
-
佐賀県が進めるシンクロトロン光応用研究施設事業の現状ともの創りビームライン計画
-
21aWB-1 佐賀シンクロトロンにおける直入射・斜入射結合型分光器の設計
-
シンクロトロン放射光を用いた半導体エピタキシャル成長 (特集 シンクロトロン放射光の利用技術)
-
MOVPE法によるアンドープ並びにAlドープZnTe膜のPL特性 : 薄膜成長I
-
交互供給法によるシンクロトロン放射光励起エピタキシー : 無機結晶II
-
放射光励起プロセス-現状と今後の課題-
-
MOVPE法によるAlドープZnTeのフォトルミネッセンスの成長条件依存性 : 気相成長III
-
22pPSA-18 マイクロ秒時間分解光電子分光によるSi(111)√×√表面の光誘起起電力効果の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26pTD-6 Ag/Si(111)表面の角度分解2光子光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21pTQ-6 p-GaAs(100)表面におけるSPV効果の超高速時間変化(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
-
26aWB-3 n-type GaAs(100)表画における超高速光励起キャリアダイナミクス(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
-
九州シンクロトロン光の特徴と最先端利用計画
-
19pYD-5 n-type GaAs(100)表面におけるキャリアダイナミクスの解明(光電子分光,領域5(光物性))
-
23aWX-7 時間分解2光子光電子分光によるSi(001)初期酸化表面の研究(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
佐賀県におけるシンクロトロン光応用研究施設の建設 (特集 地域における放射線利用の技術展開(1))
-
化学気相法で成長したエピタキシャル層のフォトルミネッセンスとその成長条件依存性 : エピタキシー
-
地方からの未来開拓-佐賀県で計画されるシンクロトロン光応用研究施設について-
-
閉管法によるZnTeの気相成長 : 気相成長
-
25aXQ-1 n-type GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
-
24aPS-29 Cr/p-GaAs(100)における表面光誘起起電力効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
工業的応用の為の放射線検出器の開発
-
低圧MOCVD法によるZnTeのエピタキシャル成長 : エピタキシーII
-
塩化水素を用いた開管化学気相法によるZnTeの成長特性
-
27pPSA-17 マンガンフタロシアニン薄膜の占有・非占有電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
Ga溶媒からのSiのLPE成長と成長層の電気的性質 : 溶液成長
-
DMZn,DETeを用いた低圧MOCVDに於けるガス分析
-
低圧MOCVD法によるZnTe成長特性とフォトルミネッセンス
-
ZnSe/GaAs(111) 結晶の回転双晶 : エピタキシーII
-
バイパス流を用いたGaAs基板上へのZnSeの気相エピタキシャル成長
-
閉管成長系に於ける混晶半導体ZnTe_1-_xSe_xの熱力学計算
-
開管法によるZnTe気相成長特性
-
閉管法によるZnTeの化学気相成長 : Gaドーパント導入の効果
-
27pPSA-15 時間分解2光子光電子分光によるSi(111)初期酸化表面の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
閉管中でのZnTeの気相輸送現象
-
閉管法によるZnTeホモエピタキシャル成長
-
開管法によるZnTe気相成長 : 成長特性
-
閉管法によるGaAs基板上へのZnTeの気相成長 : エピタキシー(VPE)
-
HClを用いた開管法によるZnTeの化学気相成長 : 気相成長
-
閉管法によるZnTeの気相輸送特性 : 気相成長
-
閉管法における気相成長とガス輸送に関する理論的考察
-
閉管法におけるZnTe気相成長の解析的考察
-
開管法によるZnTeの気相成長 : キャリヤーガスの違いの効果
-
HClを輸送媒体とした閉管法によるZnTeの気相成長
-
23pPSB-12 グラファイト上の鏡像準位の時間分解角度分解2光子光電子分光(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23pPSB-10 MnPc/HOPG表面における鏡像準位と薄膜電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
縦形ブリッジマン法によるZnTe単結晶の成長
-
閉管法によるZnTe基板上へのZnSeの化学気相成長
-
閉管法によるZnTeのホモエピタキシャル成長 : 気相成長
-
開管法によるZnTeの気相成長 : 成長特性と面方位依存性 : 気相成長
-
開管法によるZnTeのホモエピタキシャル成長 : 成長特性 : II-VI化合物半導体
-
開管法によるZnTeの気相成長 : 成長条件と成長速度の関係 : II-VI化合物半導体
-
26pPSB-21 SiC上エピタキシャルグラフェンの2光子光電子分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26pPSB-13 角度分解光電子分光によるMnPc/Cu(100)の電子状態研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28pXK-4 Si(111)上Agナノ薄膜の非占有量子化電子状態(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク