28pXK-4 Si(111)上Agナノ薄膜の非占有量子化電子状態(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2013-03-26
著者
-
鎌田 雅夫
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
-
東 純平
佐賀大シンクロトロン
-
鎌田 雅夫
分子科学研究所uvsor施設
-
鎌田 雅夫
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
-
今村 真幸
神戸大工
-
東 純平
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
-
石橋 一典
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
-
山本 勇
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
-
今村 真幸
佐賀大学シンクロ
-
高橋 和敏
佐賀大学シンクロ
-
鎌田 雅夫
佐賀大学シンクロ
-
東 純平
佐賀大学シンクロ
-
山本 勇
佐賀大学シンクロ
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