20pHT-4 SiC多形結晶の電子照射誘起構造変化に及ぼす電子励起効果と弾き出し効果(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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概要
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- 2010-03-01
著者
-
森 博太郎
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター
-
今村 真幸
神戸大工
-
保田 英洋
神戸大工
-
新田 紀子
神戸大工
-
森 博太郎
阪大電顕セ
-
森 博太郎
阪大UHVEM
-
森 博太郎
大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター
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