特集「電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(4)」特集企画にあたって
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2004-12-20
著者
-
森 博太郎
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター
-
津田 健治
東北大多元研
-
宝野 和博
物質・材料研究機構
-
武藤 俊介
名古屋大学大学院工学研究科
-
義家 敏正
京都大学原子炉実験所
-
津田 健治
東北大学多元物質科学研究所
-
宝野 和博
(独)物質・材料研究機構
-
宝野 和博
物材機構
-
桑野 範之
九州大学
-
仲井 清眞
愛媛大学工学部機能材料工学科
-
乾 晴行
京大院
-
森 博太郎
阪大電顕セ
-
新家 光雄
豊橋技術科学大学
-
森 博太郎
阪大UHVEM
-
乾 晴行
京都大学大学院工学研究科
-
桑野 範之
九州大学先端科学技術共同研究センター
-
桑野 範之
九州大学産学連携センター先端機能材料領域
-
仲井 清眞
愛媛大学 大学院理 工学研究科
-
仲井 清眞
愛媛大学
-
義家 敏正
Research Reactor Institute Kyoto University
-
宝野 和博
物質・材料研究機構 磁性材料セ
-
森 博太郎
大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター
-
桑野 範之
九州大学産学連携センター
-
宝野 和博
物質・材料研究機構材料研究所ナノ組織解析グループ
-
Tsuda Kenji
Fujitsu Ltd.
-
Tsuda K
Tohoku Univ. Sendai
-
Nakai Kiyomichi
Department Of Materials Science And Biotechnology Graduate School Of Science And Engineering Ehime U
-
義家 敏正
京大
-
乾 晴行
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
武藤 俊介
名古屋大学
-
乾 晴行
京都大学大学院 工学研究科 材料工学専攻
-
森 博太郎
大阪大学超高圧電子顕微鏡セソター
関連論文
- 20pHT-4 SiC多形結晶の電子照射誘起構造変化に及ぼす電子励起効果と弾き出し効果(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pHS-7 収束電子回折法によるBiFeO_3強誘電薄膜の歪み分布解析(22pHS 誘電体・フォノン(構造解析・フォノン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aGA-9 収束電子回折法によるNdBaMn_2O_6室温相および低温相の結晶構造解析(23aGA マンガン酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- ナノメートルサイズのプリズマティック転位ループの一次元拡散 : TEMその場観察による研究
- 収束電子回折法
- 収束電子回折法による静電ポテンシャル分布解析
- 26aYK-7 収束電子回折法によるPr_Ca_MnO_3電荷軌道秩序相の解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYJ-8 収束電子回折による精密構造解析(強誘電体格子系の精密制御法と新物性,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pTB-4 収束電子回折法による静電ポテンシャル分布解析 : 物性との相関(27pTB 領域7シンポジウム:物性解析技術の進歩と物質機能探索の融合を目指して,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aTA-9 収束電子回折法によるTbMnO_3軌道秩序相の静電ポテンシャル分布解析II(27aTA マルチフェロイック1,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 電子回折とX線回折を統合的に用いた物性研究
- 各種回折測定および熱分析によるLaGa_Mg_xO_の構造相図の作製 : 長周期逆位相ドメイン構造の相関係に対する影響
- 22pVE-4 収束電子回折法による静電ポテンシャル分布解析 : BaTiO_3とPbTiO_3の比較(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aQA-9 収束電子回折法によるTbMnO_3軌道秩序相の静電ポテンシャル分布解析(21aQA マルチフェロイック2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pWP-5 収束電子回折法によるスピネル酸化物FeCr_2O_4軌道秩序状態の研究II(25pWP スピネル酸化物他,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pYE-10 収束電子回折法によるPbTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pTC-1 収束電子回折法によるAl_2(WO_4)_3の空間群の決定(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pTK-3 収束電子回折法による強誘電体の静電ポテンシャル分布解析(領域10シンポジウム主題:強誘電体結晶の静電ポテンシャル分布,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aWH-6 収束電子回折法によるスピネル酸化物FeCr_2O_4の軌道秩序状態の研究I(スピネル,電荷・軌道整列,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19aXC-2 収束電子回折法によるCuM_2O_4(M=Fe,Cr)の電子密度分布解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXA-13 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析II(誘電体(BaTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18aPS-24 メソ多孔体SBA-15中のLa_Sr_xMnO_3ナノスケール結晶における特異な磁気相図(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pTB-11 メソ多孔体MCM-41に内包されたLaMnO_ナノ結晶の構造と磁気的特性 III(19pTB f電子系・化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Ge濃度を制御したSi_Ge_xの格子定数測定
- 収束電子回折法によるSiの電子密度分布解析
- 24pYK-10 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(24pYK 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Local lattice parameter determination of a silicon (001) layer grown on a sapphire (1102) substrate using convergent-beam electron diffraction
- 21aYM-13 収束電子回折法によるLa_Sr_Mn_2O_7(x=0.525)の結晶構造の研究(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 収束電子回折法によるLaCrO_3の結晶構造・電子密度分布解析
- Lattice parameter determination of a composition controlled Si_Ge_x layer on a Si (001) substrate using convergent-beam electron diffraction
- 金属ガラスの構造と基礎物性(A02班)
- 高エネルギー電子照射によるシリコンカーバイド中への金の強制注入とその状態分析
- 半導体ナノ粒子の低エネルギー電子励起効果によるポーラス化と相分離
- 23aTG-9 C_ナノ粒子における電子励起誘起構造変化(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24pYF-11 GaSb, InSbの電子線照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
- 特集「電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(4)」特集企画にあたって
- 22aTD-8 グラファイト、ダイヤモンドの電子励起効果(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 金属ナノ粒子の酸化による中空構造体の形成
- 酸化による金属ナノ粒子の中空化
- シングルサイト光触媒を利用するPtおよびPdナノ粒子触媒の新規調製と効率的利用技術の開発
- 人に優しい医療用セラミック被覆穿刺針の開発
- ATM回線を介した超高圧電子顕微鏡による電子デバイス断面構造の遠隔観察
- 電子照射によるコバルトホウ化物のアモルファス
- ニッケルホウ化物の電子照射誘起アモルファス化(ガラス化・アモルファス化・結晶化)(ガラス・アモルファス材料及びその材料科学の進展)
- VII. 超高硬度材料 ダイヤモンドの電子線照射効果
- LSIアルミニウム配線におけるエレクトロマイグレーションのその場観察
- 超高圧電子顕微鏡用高温雰囲気試料筒の開発とその応用
- 30p-YK-13 液相より急冷したSiの点欠陥集合体の電顕観察
- Siの融解・凝固の HVTEM 観察と格子欠陥 : バルク結晶成長シンポジウムII
- 3p-M-12 Siの融解-凝固のHVEM観察と格子欠陥
- 30a-N-7 3c-SiCの電子線照射欠陥
- 超高圧電子顕微鏡によるセラミックスの高温(〜2300K)相変態のその場観察
- 黒鉛基板上におかれた銀ナノ粒子の昇華過程のその場観察
- ナノメートルサイズの転位ループの一次元拡散
- 鉄における完全転位ループの Burgers ベクトル変換
- 等軸細粒Ti-6Al-4V合金の極低温における疲労き裂伝ぱ
- 金属ナノ粒子の相安定性 (特集:金属科学)
- 低エネルギー電子励起効果によるIII-V化合物半導体ナノ粒子の形態および相制御
- 15aTJ-3 格子欠陥を含む Au 表面原子ダイナミクスの UHV-TEM 観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 19pXB-10 GaSbナノ粒子における低エネルギー電子励起効果のサイズ依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 化合物半導体ナノ粒子の電子励起効果と相生成
- 25aYK-2 GaSbナノ粒子における電子励起誘起相転移の低エネルギー励起効果(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXD-6 III-V族化合物ナノ粒子における電子励起誘起相変化(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pYM-6 GaSbナノ粒子における電子励起誘起相転移の励起エネルギー依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 15aTJ-2 化合物ナノ粒子における電子励起相分離の電顕内その場観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 28pXH-4 GaSbナノ粒子における電子励起誘起相転移の非線形応答(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 21aXA-10 GaSb ナノ粒子の電子励起誘起相分離とその電子線強度依存性
- 28pYG-7 電子励起による GaSb 化合物ナノ粒子の構造変化
- ナノ粒子における界面形成と構造安定性
- ナノ粒子における合金構造の安定性-TEMによる自発的合金化と相平衡の解析-
- 常温で形成されたPt/Si界面反応層の電顕観察
- ナノ粒子における自発的合金化(物質科学への応用,ハミルトン力学系とカオス,研究会報告)
- ナノ粒子における自発的合金化と相平衡
- 新しい3MV超高圧電子顕微鏡装置の概要
- ナノメ-トルサイズの粒径をもつAu-Pb合金クラスタ-における相安定性と相変態
- 中炭素鋼におけるセメンタイト球状化挙動の電子顕微鏡によるその場観察
- G-014 電子顕微鏡トモグラフィのためのマーカーフリーアライメント手法の検討(G分野:生体情報科学,一般論文)
- 金属間化合物Al_2Auにおける金原子の弾き出しエネルギー
- 静電破壊ビアホールの3D観察
- 常用300万ボルト超高圧電子顕微鏡
- 新300万ボルト超高圧電子顕微鏡の開発
- NeV電子照射によるAl_2CuおよびAl_2Au化合物の相変化
- 高速・高品質・長時間成膜を可能とする新しい高耐久性Siターゲットの開発
- Al^イオン伝導性固体電解質を用いるアルミナナノ粒子単結晶の電気化学的育成
- 人に優しい医療用セラミック被覆穿刺針の開発
- 電子顕微鏡によって明らかにされた合金ナノ粒子における相平衡の特異性
- 格子欠陥の動的観察
- 貴金属/Si界面における常温合金化反応
- Pd/Si, Au/Si界面における常温固相反応
- ストロンチウム添加型イットリウムタンタレート系蛍光体の発光
- 繊維強化マグネシウム合金の熱的寸法安定性におよぼす急冷時応力負荷の影響
- 鉄における転位ループの Burgers ベクトルの自発変化過程の検出
- 鉄における格子間原子型転位ループの形成過程
- Al_2Au化合物ナノ粒子における金原子の選択スパッタリングと相変化
- 合金ナノ粒子における固相→液相遷移
- 自己格子間原子と空孔の相互消滅反応方程式の検証
- 大阪大学超高圧電子顕微鏡センターにおけるこれまでの共用実績と今後の展開 (特集 ナノテク開発を支える計測・分析・解析技術) -- (共用施設の実績と課題)
- ナノメ-トルサイズのアモルファスSbクラスタ-へのAu原子蒸着の際の合金化過程
- MeV Electron Irradiation Induced Solid-State Amorphization (SSA) in B2 Intermetallic Compounds