Local lattice parameter determination of a silicon (001) layer grown on a sapphire (1102) substrate using convergent-beam electron diffraction
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概要
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- 2006-06-01
著者
-
津田 健治
東北大多元研
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寺内 正己
東北大多元研
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田中 通義
東北大多元研
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田中 通義
東北大 科研
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AKAOGI Takayuki
Asahi-Kasei Co. Ltd
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TSUDA Kenji
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
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TERAUCHI Masami
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
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TANAKA Michiyoshi
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
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寺内 正巳
東北大学
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Tanaka M
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Tanaka M
Mitsubishi Electric Co. Ltd. Hyogo Jpn
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Tanaka M
Sony Corp. Atsugi Jpn
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Tsuda Kenji
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
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Tsuda Kenji
Fujitsu Ltd.
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Tanaka M
Univ. Tokyo Tokyo
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Tanaka M
Okayama Univ. Okayama
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Tanaka Midori
Faculty Of Sciences Ochanomizu University
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Tanaka Midori
Depatment Of Physics Ochanomizu University
-
Tsuda K
Tohoku Univ. Sendai
-
Tanaka M
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
Terauchi Masami
Institute For Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
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Tanaka Midori
Department Of Physics Ochanomizu University
-
Tanaka M
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
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Tanaka M
Kobe Tokiwa Junior College
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Tanaka Michiyoshi
Institute For Scientific Measurements
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田中 雅慶
九大
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TANAKA Masaaki
Department of Physics, Kawasaki University of Medical Welfare
-
TSUDA Kenji
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University
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