Lattice parameter determination of a strained area of an InAs layer on a GaAs substrate using CBED
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概要
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- 2004-02-01
著者
-
津田 健治
東北大多元研
-
田中 通義
東北大多元研
-
田中 通義
東北大 科研
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AKAOGI Takayuki
Asahi-Kasei Co. Ltd
-
TSUDA Kenji
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
TERAUCHI Masami
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
TANAKA Michiyoshi
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
AKAOGI Takayuki
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
Tanaka M
Production Engineering Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Tanaka M
Mitsubishi Electric Co. Ltd. Hyogo Jpn
-
Tanaka Michiko
Tokyo University Of Agiculture And Technology Department Of Biotechnology
-
Tanaka M
New Materials Research Center Sanyo Electric Co. Ltd.
-
Tsuda Kenji
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Tsuda Kenji
Fujitsu Ltd.
-
Tanaka M
Okayama Univ. Okayama
-
Tanaka Midori
Depatment Of Physics Ochanomizu University
-
Tsuda K
Tohoku Univ. Sendai
-
Tanaka M
Manufacturing Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Tanaka M
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
Terauchi Masami
Institute For Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Tanaka M
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Tanaka M
Kobe Tokiwa Junior College
-
Taino M
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Tanaka Michiyoshi
Institute For Scientific Measurements
-
Matsuzaki T
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Himeji Institute Of Technology
-
TSUDA Kenji
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University
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