Lattice parameter determination of a composition controlled Si_<1-x>Ge_x layer on a Si (001) substrate using convergent-beam electron diffraction

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概要

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• 2004-12-01

著者

• 津田 健治

  東北大多元研

• 寺内 正己

  東北大多元研

• 田中 通義

  東北大多元研

• 田中 通義

  東北大 科研

• AKAOGI Takayuki

  Asahi-Kasei Co. Ltd

• TSUDA Kenji

  Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

• TERAUCHI Masami

  Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

• TANAKA Michiyoshi

  Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

• AKAOGI Takayuki

  Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

• 寺内 正巳

  東北大学

• Tanaka M

  Production Engineering Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Tanaka M

  Mitsubishi Electric Co. Ltd. Hyogo Jpn

• Tsuda Kenji

  Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University

• Tsuda Kenji

  Fujitsu Ltd.

• Tanaka M

  Univ. Tokyo Tokyo

• Tanaka M

  Okayama Univ. Okayama

• Tanaka Midori

  Faculty Of Sciences Ochanomizu University

• Tanaka Midori

  Depatment Of Physics Ochanomizu University

• Tsuda K

  Tohoku Univ. Sendai

• Tanaka M

  Toshiba Corp. Kawasaki Jpn

• Terauchi Masami

  Institute For Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University

• Tanaka Midori

  Department Of Physics Ochanomizu University

• Tanaka M

  Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University

• Tanaka M

  Kobe Tokiwa Junior College

• Tanaka Michiyoshi

  Institute For Scientific Measurements

• 田中 雅慶

  九大

• TANAKA Masaaki

  Department of Physics, Kawasaki University of Medical Welfare

• TSUDA Kenji

  Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University

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