Tanaka M | Univ. Tokyo Tokyo
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概要
関連著者
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田中 通義
東北大多元研
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田中 通義
東北大 科研
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Tanaka M
Univ. Tokyo Tokyo
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Tanaka M
Okayama Univ. Okayama
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Tanaka Midori
Faculty Of Sciences Ochanomizu University
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Tanaka Midori
Depatment Of Physics Ochanomizu University
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Tanaka Midori
Department Of Physics Ochanomizu University
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Tanaka M
Kobe Tokiwa Junior College
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田中 雅慶
九大
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TANAKA Masaaki
Department of Physics, Kawasaki University of Medical Welfare
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Tanaka M
Sony Corp. Atsugi Jpn
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津田 健治
東北大多元研
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Tanaka M
Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
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Tanaka Motoyuki
Depatment Of Physics Faculty Of Science Okayama University
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Tsuda Kenji
Fujitsu Ltd.
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Tsuda K
Tohoku Univ. Sendai
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Tanaka Misdori
Department Of Physics Faculty Of Science Ochanomizu University
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小形 曜一郎
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
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小形 曜一郎
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
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寺内 正己
東北大多元研
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津田 健治
東北大学多元物質科学研究所
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小形 曜一郎
東北大多元研
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赤荻 隆之
旭化成株式会社基盤技術研究所
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寺内 正己
東北大学多元物質科学研究所
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田中 通義
東北大学多元物質科学研究所
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TANAKA Michiyoshi
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
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寺内 正巳
東北大学
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Tanaka Michiyoshi
Institute For Scientific Measurements
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橋本 拓也
Department Of Integrated Sciences In Physics And Biology College Of Humanities And Sciences Nihon Un
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廣田 和馬
東大物性研
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橋本 拓也
日大文理
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小形 曜一郎
東北大学多元物質科学研究所
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AKAOGI Takayuki
Asahi-Kasei Co. Ltd
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TSUDA Kenji
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
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TERAUCHI Masami
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
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赤荻 隆之
東北大多元研
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秋重 幸邦
島根大教育
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秋重 幸邦
島根大学教育学部
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秋重 幸邦
島根大・教
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Tanaka M
Production Engineering Research Laboratory Hitachi Ltd.
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Tanaka M
Mitsubishi Electric Co. Ltd. Hyogo Jpn
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Tsuda Kenji
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
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Tanaka M
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
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Terauchi Masami
Institute For Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
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Tanaka M
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
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TSUDA Kenji
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University
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齋藤 晃
名大エコトピア研
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村上 洋一
東北大院理
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村上 洋一
高エネルギー加速器研究機構・物質構造科学研究所・構造物性研究センター
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遠藤 康夫
高エ研
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橋本 拓也
日本大学文理学部物理学科
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横澤 忠洋
物質・材料研究機構
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遠藤 康夫
東北大金研
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水崎 純一郎
東北大学多元物質科学研究所
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水崎 純一郎
東北大多元研
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高木 一成
東北大学多元物質科学研究所
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AKAOGI Takayuki
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
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SAITOH Koh
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
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YOKOSAWA Tadahiro
Structural Chemistry, Arrhenius Laboratory, Stockholm University
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TSAI An
National Institute for Materials Science
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応本 和也
日本電子
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三好 正悟
東北大多元研
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齋藤 晃
東北大多元研
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横澤 忠洋
物材機構
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蔡 安邦
物材機構
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Tsai An-pang
Institute For Materials Research Tohoku University
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Tsai A
National Institute For Materials Science
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Tsai A‐p
National Institute For Materials Science
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Saitoh K
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
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斎藤 晃
東北大学多元物質科学研究所
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Endoh Yasuo
Core Research For Evolutional Science And Technology (jrcat) : Department Of Physics Tohoku Universi
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Endoh Yasuo
Physics Department Granduate School Of Science Tohoku University
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Ando Yuji
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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Endoh Yasuo
Institute For Materials Research Tohoku University
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Endoh Yasuo
Physics Department Tohoku University
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Tsai A‐p
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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YOKOSAWA Tadahiro
National Institute for Materials Science
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Yokosawa Tadahiro
Structural Chemistry Arrhenius Laboratory Stockholm University
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斎藤 晃
東北大学 科学計測研究所
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高木 一成
東北大科研
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Ando Y
Tokyo Univ. Information Sci. Chiba Jpn
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Endoh Yasuo
Crest Japan Science And Technology Corporation (jst)
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橋本 拓也
日本大学文理学部
著作論文
- 22pVE-4 収束電子回折法による静電ポテンシャル分布解析 : BaTiO_3とPbTiO_3の比較(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYE-10 収束電子回折法によるPbTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXA-13 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析II(誘電体(BaTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Ge濃度を制御したSi_Ge_xの格子定数測定
- 収束電子回折法によるSiの電子密度分布解析
- 24pYK-10 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(24pYK 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Local lattice parameter determination of a silicon (001) layer grown on a sapphire (1102) substrate using convergent-beam electron diffraction
- 21aYM-13 収束電子回折法によるLa_Sr_Mn_2O_7(x=0.525)の結晶構造の研究(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 収束電子回折法によるLaCrO_3の結晶構造・電子密度分布解析
- Lattice parameter determination of a composition controlled Si_Ge_x layer on a Si (001) substrate using convergent-beam electron diffraction
- 13pTJ-7 収束電子回折法による La_Sr_xCrO_3 (x=0.3) の電子密度分布の解析 II(電子線, 領域 10)
- Formation of a Superlattice Order from a Fundamental-Lattice Decagonal Quasicrystal of Al_Ni_Co_8(Condensed Matter : Structure, Mechanical and Thermal Properties)
- 29pXK-8 チタン酸バリウムの180°分域のコントラストI(誘電体)(領域10)
- 28aXM-8 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究IV(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 28aXM-7 収束電子回折法によるLa_Sr_xCrO_3の電子密度分布の解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22aXB-5 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究 III
- 22aXB-2 収束電子回折法による結晶構造精密化における構造パラメーターの誤差評価
- 22aXB-1 収束電子回折法による LaMnO_3 軌道秩序相の電子密度分布解析 III
- 22aTK-7 基本格子構造をもつ Al_Ni_Co_8 デカゴナル準結晶からの超格子秩序の形成
- 30pXD-11 収束電子回折法による結晶構造精密化への並列計算の導入