27pPSA-15 時間分解2光子光電子分光によるSi(111)初期酸化表面の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-03-03

著者

• 鎌田 雅夫

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 鎌田 雅夫

  佐賀大シンクロトロン

• 高橋 和敏

  佐賀大SLセンター

• 今村 真幸

  神戸大工

• 倉橋 勇丞

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 高橋 和敏

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 石橋 一典

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 竹田 光希

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 今村 真幸

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 鎌田 雅夫

  佐大シンクロ

• 今村 真幸

  佐賀大学シンクロ

• 高橋 和敏

  佐賀大学シンクロ

• 鎌田 雅夫

  佐賀大学シンクロ

関連論文

• 20pHT-4 SiC多形結晶の電子照射誘起構造変化に及ぼす電子励起効果と弾き出し効果(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pPSA-12 Si(001)初期酸化表面の時間分解角度分解2光子光電子分光(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pPSA-6 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aPS-21 Hemin薄膜の作製と光電子分光II(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
• 21aGV-5 Time-resolved photoemission experiments with synchrotron radiation and laser(Elucidation of ultrafast dynamics on the surface and the nanoscale with the short wavelength sources)
• 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター事業の現状と利用計画
• 27aWR-5 高温化学処理により単分散化したアルカンチオレート表面修飾Auナノ粒子の光電子分光(微粒子・クラスタ)(領域9)
• 22aYC-9 表面修飾金属ナノ粒子の光電子分光 III
• 28pPSB-54 表面修飾金属ナノ粒子の光電子分光 II
• 24aPS-59 半導体基板上に成長させた半金属Biナノ薄膜の電子構造
• 24aPS-58 Agナノ薄膜/Fe系の角度分解光電子分光
• 23aW-11 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光 III
• 25pY-11 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光II
• 29a-PS-55 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光
• 29a-PS-54 Agナノ薄膜の温度依存角度分解光電子分光及びX線回折
• 25a-YR-4 Agナノ薄膜/fcc Fe系の角度分解光電子分光
• 25a-YR-3 Agナノ薄膜における光電子スペクトルの温度依存性
• 12pXD-8 中赤外領域における SWNT のレーザー誘起吸収変化(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
• 22pPSA-27 放射光とレーザーを用いた PbWO_4 における赤外過渡吸収測定
• 20aYG-1 InAsにおける光励起キャリアの時間分解光電子分光測定(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
• 24aYJ-6 InAsの光起電力効果(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30aXA-7 光誘起したGaAs(100)の内殻光電子スペクトルII : Surface photovoltageの時間変化
• 31a-YG-4 Ag ナノ薄膜における電子-格子相互作用;光電子分光
• 30a-YM-8 Biナノ薄膜(バルク領域)の光電子分光
• 30a-YM-7 Agナノ薄膜の角度分解光電子分光
• Agナノ薄膜における量子サイズ効果の光電子分光測定(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 5p-B-7 Biナノ薄膜のエピタキシャル成長と光電子分光
• 31p-F-2 金属超薄膜における量子サイズ効果 : 光電子分光III
• 30p-YC-10 Agナノ薄膜における量子化電子状態
• 金属超薄膜における量子サイズ効果 : 光電子分光II
• NdB_6(110)清浄表面の光電子分光II
• NdB_6(110)清浄表面の光電子分光I
• 31p-PSB-58 金属超薄膜における量子サイズ効果:光電子分光
• 27a-W-14 MBE-光電子分光複合装置の建設
• 23pHL-6 Si(111)上に成長したBi表面の超高速励起電子ダイナミクス(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 22pPSB-25 有機分子表面修飾Auナノ粒子の光電子スペクトルの温度依存性(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 22pPSB-24 有機分子表面修飾Siナノ粒子の光学特性評価(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 20pHK-10 有機分子保護Siナノクラスターにおける発光と電子構造の相関(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 26pXA-7 Si(111)上に成長したBi表面の干渉型時間分解2光子光電子分光(新分光法,MCD/MLD,領域5,光物性)
• 26pxA-3 硬X線光電子分光による有機分子表面修飾Siナノ粒子の電子状態の研究(光電子分光(表面・薄膜・低次元物質II),領域5,光物性)
• 30aVD-11 ドデカンチオレート表面修飾Agナノ粒子の量子化電子状態(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• 透過電子顕微鏡法(TEM)の基本原理とその場観察法によるナノ粒子の特異物性解析
• 22aPS-9 Si(111)清浄表面の干渉型時間分解2光子光電子分光II(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 30aXA-13 微小領域でのSRとレーザー組み合わせ実験のためのビームライン改造
• 30aRD-4 角度分解2光子光電子分光法によるグラファイト表面の鏡像準位の研究(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTB-6 放射光とレーザーを用いた BaF_2 における内殻励起子の 2 光子分光
• 31aYF-11 放射光とレーザーを用いた BaF_2 における内殻励起子の 2 光子分光 III
• 17aRG-12 放射光とレーザーを用いたBaF_2における内殻励起子の2光子分光
• シンクロトロン光とレーザーを用いたナノテク支援と光誘起起電力効果研究
• 22aPS-13 放射光光電子分光法による環境半導体β-FeSi_2の電子状態研究(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24pYH-2 アミノ酸システインの光電子分光(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aPS-4 セシウムテルライド薄膜フォトカソードの電子親和性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSA-10 佐賀大学表面研究用ビームラインの現状(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 佐賀シンクロトロン光利用のための斜入射分光器の検討
• 佐賀シンクロトロン光計画について
• 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センターにおける軟X線利用分析ビームライン(BL12)
• 「レーザーと放射光の組み合わせ実験の新展開」特集号によせて : 放射光とレーザーの組み合わせによる新しい分光法
• Conference Report on the 5th Asian Synchrotron Radiation Forum in Saga
• 佐賀県が進めるシンクロトロン光応用研究施設事業の現状ともの創りビームライン計画
• 21aWB-1 佐賀シンクロトロンにおける直入射・斜入射結合型分光器の設計
• 22pPSA-18 マイクロ秒時間分解光電子分光によるSi(111)√×√表面の光誘起起電力効果の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pTD-6 Ag/Si(111)表面の角度分解2光子光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aPS-6 Hemin薄膜の作製と光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 21pTQ-6 p-GaAs(100)表面におけるSPV効果の超高速時間変化(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 20pZA-12 Cr/GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
• 26aWB-3 n-type GaAs(100)表画における超高速光励起キャリアダイナミクス(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• シンクロトロン放射光とレーザーの組み合わせによる光電子分光実験
• 九州シンクロトロン光の特徴と最先端利用計画
• 19pYD-5 n-type GaAs(100)表面におけるキャリアダイナミクスの解明(光電子分光,領域5(光物性))
• 22pPSA-10 サブ meV 超高分解能光電子分光装置の建設
• 30pPSA-17 UVSOR BL5A における新しい高分解能光電子分光システムの性能評価
• 25aPS-97 放射光光竃子分光による歯科合金上L-システイン薄膜の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
• 23aWX-7 時間分解2光子光電子分光によるSi(001)初期酸化表面の研究(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-1 Ti_4O_7における光誘起相の光電子分光(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 放射光とレーザーの組み合わせによる新しい分光法
• 17pRG-15 GaAs-GaAsP超格子におけるSurface-Photovoltage効果
• 28pPSB-29 Si(111)2√×3-(Pb, Sn) 表面の光電子分光
• 佐賀県におけるシンクロトロン光応用研究施設の建設 (特集 地域における放射線利用の技術展開(1))
• 25aPS-96 放射光光電子分光によるβ-FeSi_2単結晶の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
• 24pRE-7 Si(111)上に成長したBi(111)表面の角度分解2光子光電子分光(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
• 25pRA-12 アルカリ土類フッ化物における自由励起子
• 12aXC-11 シンクロトロン光とレーザーの組合せによる半導体表面の光誘起現象の研究(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
• 17aRG-13 放射光とレーザーを組み合わせた赤外過渡吸収分光
• 25aXQ-1 n-type GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 24aPS-29 Cr/p-GaAs(100)における表面光誘起起電力効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aPS-97 磁性トポロジカル絶縁体における輸送特性に及ぼすフェルミエネルギーのピン止め効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pPSA-17 マンガンフタロシアニン薄膜の占有・非占有電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-15 時間分解2光子光電子分光によるSi(111)初期酸化表面の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-3 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pHC-14 Si (111)上に成長したBi (111)表面の角度分解2光子光電子分光II(27pHC 非線形光学/超高速現象,領域5(光物性))
• 23aHA-2 放射光励起角度分解光電子光法によるBi_2Te_3の電子状態研究(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-12 グラファイト上の鏡像準位の時間分解角度分解2光子光電子分光(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pRC-11 Si(lll)上Bi薄膜の非占有量子化電子状態(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pPSB-19 フェニル基終端Siナノクラスターの電子構造(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23pPSB-10 MnPc/HOPG表面における鏡像準位と薄膜電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-21 SiC上エピタキシャルグラフェンの2光子光電子分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-13 角度分解光電子分光によるMnPc/Cu(100)の電子状態研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-35 Si(111)7x7に成長させたBi(111)の非占有電子状態(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26pYH-5 TiドープV_2O_3ナノ結晶の金属絶縁体転移(26pYH V酸化物・秩序型ペロブスカイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28pXK-4 Si(111)上Agナノ薄膜の非占有量子化電子状態(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク