27aPS-6 Hemin薄膜の作製と光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-08-18
著者
-
東 純平
佐賀大シンクロトロン
-
鎌田 雅夫
佐賀大シンクロトロン
-
高橋 和敏
佐賀大シンクロトロン
-
高橋 和敏
佐賀大SLセンター
-
原田 耕二郎
佐賀大シンクロトロン
-
東 純平
佐賀大slセンター
-
鎌田 雅夫
佐大シンクロ
-
鎌田 雅夫
佐賀大シンクロ
-
高橋 和敏
佐賀大シンクロ
-
東 純平
佐賀大シンクロ
関連論文
- 21pPSA-12 Si(001)初期酸化表面の時間分解角度分解2光子光電子分光(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-6 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aPS-21 Hemin薄膜の作製と光電子分光II(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 21aGV-5 Time-resolved photoemission experiments with synchrotron radiation and laser(Elucidation of ultrafast dynamics on the surface and the nanoscale with the short wavelength sources)
- 7a-C-7 C_単結晶の低温ガラス相におけるサイト選択励起発光スペクトル
- 31p-D-11 C_単結晶の発光スペクトルと吸収端共鳴励起効果 III
- 30aYG-3 擬一次元結晶ピペリジニウム鉛ハライドにおける光誘起欠陥のESR II
- 22aXD-9 擬一次元結晶ピペリジニウム鉛ハライドにおける光誘起欠陥のESR
- 23pM-4 擬一次元結晶ピペリジニウム鉛ハライドにおける発光の偏光特性
- 26pYB-12 擬一次元結晶ピペリジニウム鉛ハライドの光電子分光
- 26p-YN-6 擬一次元半導体ピペリジニウム鉛ハライドの光励起状態III
- 2a-YG-3 擬一次元半導体ピペリジニウム鉛ハライドの光励起状態II
- 8a-G-3 擬一次元半導体ピペリジニウム鉛ハライドの光励起状態
- 24aPS-59 半導体基板上に成長させた半金属Biナノ薄膜の電子構造
- 24aPS-58 Agナノ薄膜/Fe系の角度分解光電子分光
- 23aW-11 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光 III
- 25pY-11 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光II
- 29a-PS-55 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光
- 29a-PS-54 Agナノ薄膜の温度依存角度分解光電子分光及びX線回折
- 25a-YR-4 Agナノ薄膜/fcc Fe系の角度分解光電子分光
- 25a-YR-3 Agナノ薄膜における光電子スペクトルの温度依存性
- 12pXD-8 中赤外領域における SWNT のレーザー誘起吸収変化(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
- 22pPSA-27 放射光とレーザーを用いた PbWO_4 における赤外過渡吸収測定
- 20aYG-1 InAsにおける光励起キャリアの時間分解光電子分光測定(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aYJ-6 InAsの光起電力効果(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26p-YP-6 長残光性物質SrAl_2O_4:Eu,Dyの蛍光・励起スペクトル
- 30aXA-7 光誘起したGaAs(100)の内殻光電子スペクトルII : Surface photovoltageの時間変化
- 31a-YG-4 Ag ナノ薄膜における電子-格子相互作用;光電子分光
- 30a-YM-8 Biナノ薄膜(バルク領域)の光電子分光
- 30a-YM-7 Agナノ薄膜の角度分解光電子分光
- Agナノ薄膜における量子サイズ効果の光電子分光測定(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-B-7 Biナノ薄膜のエピタキシャル成長と光電子分光
- 31p-F-2 金属超薄膜における量子サイズ効果 : 光電子分光III
- 30p-YC-10 Agナノ薄膜における量子化電子状態
- 金属超薄膜における量子サイズ効果 : 光電子分光II
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光II
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光I
- 31p-PSB-58 金属超薄膜における量子サイズ効果:光電子分光
- 27a-W-14 MBE-光電子分光複合装置の建設
- 30aVD-11 ドデカンチオレート表面修飾Agナノ粒子の量子化電子状態(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
- 30aXA-13 微小領域でのSRとレーザー組み合わせ実験のためのビームライン改造
- 30aRD-4 角度分解2光子光電子分光法によるグラファイト表面の鏡像準位の研究(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTB-6 放射光とレーザーを用いた BaF_2 における内殻励起子の 2 光子分光
- 31aYF-11 放射光とレーザーを用いた BaF_2 における内殻励起子の 2 光子分光 III
- 17aRG-12 放射光とレーザーを用いたBaF_2における内殻励起子の2光子分光
- 22aXC-10 放射光とレーザー光の組み合わせによるZnSeの変調反射分光
- シンクロトロン光とレーザーを用いたナノテク支援と光誘起起電力効果研究
- 22aPS-13 放射光光電子分光法による環境半導体β-FeSi_2の電子状態研究(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pYH-2 アミノ酸システインの光電子分光(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-4 セシウムテルライド薄膜フォトカソードの電子親和性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-10 佐賀大学表面研究用ビームラインの現状(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21aWB-1 佐賀シンクロトロンにおける直入射・斜入射結合型分光器の設計
- 22pPSA-18 マイクロ秒時間分解光電子分光によるSi(111)√×√表面の光誘起起電力効果の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pTD-6 Ag/Si(111)表面の角度分解2光子光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aPS-6 Hemin薄膜の作製と光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21pTQ-6 p-GaAs(100)表面におけるSPV効果の超高速時間変化(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 20pZA-12 Cr/GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 26aWB-3 n-type GaAs(100)表画における超高速光励起キャリアダイナミクス(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- シンクロトロン放射光とレーザーの組み合わせによる光電子分光実験
- 九州シンクロトロン光の特徴と最先端利用計画
- 19pYD-5 n-type GaAs(100)表面におけるキャリアダイナミクスの解明(光電子分光,領域5(光物性))
- 22pPSA-10 サブ meV 超高分解能光電子分光装置の建設
- 30pPSA-17 UVSOR BL5A における新しい高分解能光電子分光システムの性能評価
- 25aPS-97 放射光光竃子分光による歯科合金上L-システイン薄膜の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 23aWX-7 時間分解2光子光電子分光によるSi(001)初期酸化表面の研究(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-1 Ti_4O_7における光誘起相の光電子分光(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 放射光とレーザーの組み合わせによる新しい分光法
- 17pRG-15 GaAs-GaAsP超格子におけるSurface-Photovoltage効果
- 25aPS-96 放射光光電子分光によるβ-FeSi_2単結晶の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 24pRE-7 Si(111)上に成長したBi(111)表面の角度分解2光子光電子分光(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 25pRA-12 アルカリ土類フッ化物における自由励起子
- 12aXC-11 シンクロトロン光とレーザーの組合せによる半導体表面の光誘起現象の研究(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
- 23aXD-8 PbBr_2結晶における電子・正孔の局在構造
- 17aRG-13 放射光とレーザーを組み合わせた赤外過渡吸収分光
- 25aXQ-1 n-type GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 24aPS-29 Cr/p-GaAs(100)における表面光誘起起電力効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-97 磁性トポロジカル絶縁体における輸送特性に及ぼすフェルミエネルギーのピン止め効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pPSA-17 マンガンフタロシアニン薄膜の占有・非占有電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-15 時間分解2光子光電子分光によるSi(111)初期酸化表面の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-3 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pHC-14 Si (111)上に成長したBi (111)表面の角度分解2光子光電子分光II(27pHC 非線形光学/超高速現象,領域5(光物性))
- 23aHA-2 放射光励起角度分解光電子光法によるBi_2Te_3の電子状態研究(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-12 グラファイト上の鏡像準位の時間分解角度分解2光子光電子分光(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-11 Si(lll)上Bi薄膜の非占有量子化電子状態(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSB-19 フェニル基終端Siナノクラスターの電子構造(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pPSB-10 MnPc/HOPG表面における鏡像準位と薄膜電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-21 SiC上エピタキシャルグラフェンの2光子光電子分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-13 角度分解光電子分光によるMnPc/Cu(100)の電子状態研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-35 Si(111)7x7に成長させたBi(111)の非占有電子状態(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pPSA-6 佐賀大学ビームラインBL13における時間分解光電子分光システムの開発と性能評価(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pBL-9 Ti_4O_7における光誘起相のレーザー時間分解光電子分光(24pBL 光誘起相転移(酸化物・金属錯体など),領域5(光物性))
- 26pYH-5 TiドープV_2O_3ナノ結晶の金属絶縁体転移(26pYH V酸化物・秩序型ペロブスカイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pPSB-14 歯科合金上L-システイン薄膜の電子状態研究 : 基板依存性(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aPSB-18 システイン溶液中でAg表面に作製した薄膜の光電子分光(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 18pFE-7 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁休Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクス(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aEJ-11 NaNO_2薄膜の時間分解光電子分光(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 28pXK-4 Si(111)上Agナノ薄膜の非占有量子化電子状態(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-23 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクスII(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-6 BiAg/Ag(1111)表面の非占有電子状態(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-57 マグネリ相チタン酸化物における電荷秩序状態の光電子分光(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))