鎌田 雅夫 | 佐賀大シンクロトロン
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概要
関連著者
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鎌田 雅夫
佐賀大シンクロトロン
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東 純平
佐賀大シンクロトロン
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高橋 和敏
佐賀大SLセンター
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鎌田 雅夫
佐大シンクロ
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鎌田 雅夫
佐賀大シンクロ
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東 純平
佐賀大slセンター
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鎌田 雅夫
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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高橋 和敏
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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東 純平
佐賀大シンクロ
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東 純平
佐賀大学シンクロ
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高橋 和敏
佐賀大シンクロトロン
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東 純平
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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高橋 和敏
佐賀大シンクロ
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高橋 和敏
佐賀大学シンクロ
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鎌田 雅夫
佐賀大学シンクロ
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信大工
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鎌田 雅夫
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神戸大院工
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東 純平
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鎌田 雅夫
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京薬大物理
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岡山大理
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香川大工
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大西 彰正
山形大理
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分子研
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熊本大理
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田中 仙君
総研大
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高橋 和敏
分子研
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大西 彰正
山形大 理
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香川大学 工学部材料創造工学科
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中西 俊介
香川大 教育
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香川大 教育
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杉山 陽栄
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Watanabe M
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:(present)institute Of Materials Structure Scie
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大西 彰正
山形大物
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佐々木 実
山形大学理学部
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今村 真幸
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長島 健
阪大レーザー研
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萩行 正憲
阪大レーザー研
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佐々木 実
山形大理
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福井高専
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小池 正宏
信大工
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大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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谷 正彦
福井大学遠赤外領域開発研究センター
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佐大シンクロトロン
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阪大超伝導セ
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保田 英洋
神戸大工
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鎌田 雅夫
総研大
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高岡 友康
京都大学人間・環境
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稲部 良行
信大工
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杉山 陽栄
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鎌田 雅夫
佐賀大学 シンクロトロン光応用研究センター
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東 純平
佐賀大SL センター
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谷 正彦
福井大
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原田 耕二郎
佐賀大シンクロトロン
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高橋 和敏
佐賀大学 シンクロトロン光応用研究センター
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東 純平
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佐賀大SLセンター
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Kim H.-j.
Daegu Univ.
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長島 健
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小川 浩二
佐賀大学シンクロ
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佐賀大SLセ
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田中 耕一郎
京大院理
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鬼頭 聖
産総研
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田中 耕一郎
京大iCeMS
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石井 啓文
台湾NSRRC
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九大院工
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九大院工
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木村 真一
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分子研UVSOR
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石井 啓文
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弘前大院理工
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中西 彊
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大阪歯科大
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櫻井 貴章
信州大工
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櫻井 貴章
信大工
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信大工
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遠藤 守信
信州大学工学部
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長島 健
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谷 正彦
福井大遠赤センター
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萩行 正憲
大阪大レーザー研
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東 純平
佐大シンクロトロン
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高橋 和敏
佐大シンクロトロン
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谷 正彦
阪大レーザー研
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木下 豊彦
NEDO
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田中 耕一郎
京都大学
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田中 耕一郎
京都大
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石渡 洋一
佐賀大理工
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木田 徹也
九大院総理工
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分子研
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茨大工電電
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名大理
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根岸 雄一
分子研
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岡理大理
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土井 洋一郎
福井大工
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京大院理
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田中 耕一郎
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高岡 友康
京大人環
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渡辺 雅之
京大人環
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高岡 友康
京大総人
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早川 耕亮
信大工
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西谷 智博
原子力機構量子ビーム応用研究部門
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小川 浩二
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藤本 斉
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北島 聡一
佐賀大シンクロトロン
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隅本 倫徳
山口大理工
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藤本 斉
熊本大自然
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信州大学
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一宮 正義
京大院人環
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分子研
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香川大教育
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WATANABE Makoto
Institute for Molecular Science
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WATANABE Masamitsu
RIKEN SPring-8
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豊田 紘一
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永田 佑介
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徳富 信二
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片山 祥吾
香川大教育
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Watanabe Masamitsu
Riken
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佐々木 実
山形大物
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岩長 祐伸
京大院人環
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財部 健一
岡山理科大学理学部
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春山 雄一
兵庫県立大
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山本 勇
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山大理
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佐々木 実
山大理
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山大理
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北浦 守
山大理
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Han J.-W.
Daegu Univ.
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Kim K.-S.
APCTP POSTECH
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小川 浩二
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佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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北浦 守
山形大理
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山本 勇
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保田 英洋
阪大超高圧電顕
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上田 茂典
NIMS/SPring-8
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小林 啓介
NIMS/SPring-8
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小林 宏成
東京理科大理
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根岸 雄一
東京理科大理
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石橋 幸治
理研基幹研
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Watanabe Makoto
Synchrotron Radiation Laboratory Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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佐賀大理工
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糸山 真央
佐賀大理工
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南任 真史
理研基幹研
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根岸 雄一
東京理科大学理学部第一部応用化学科
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高橋 和敏
佐大シンクロ
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東 純平
佐大シンクロ
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根岸 雄一
東京理科大学 理学部第一部応用化学科
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財部 健一
岡山理科大理
-
山本 勇
佐賀大学シンクロ
著作論文
- 21pPSA-12 Si(001)初期酸化表面の時間分解角度分解2光子光電子分光(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-6 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aPS-21 Hemin薄膜の作製と光電子分光II(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 12pXD-8 中赤外領域における SWNT のレーザー誘起吸収変化(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
- 22pPSA-27 放射光とレーザーを用いた PbWO_4 における赤外過渡吸収測定
- 20aYG-1 InAsにおける光励起キャリアの時間分解光電子分光測定(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aYJ-6 InAsの光起電力効果(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30aXA-7 光誘起したGaAs(100)の内殻光電子スペクトルII : Surface photovoltageの時間変化
- 30aVD-11 ドデカンチオレート表面修飾Agナノ粒子の量子化電子状態(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
- 30aXA-13 微小領域でのSRとレーザー組み合わせ実験のためのビームライン改造
- 30aRD-4 角度分解2光子光電子分光法によるグラファイト表面の鏡像準位の研究(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTB-6 放射光とレーザーを用いた BaF_2 における内殻励起子の 2 光子分光
- 31aYF-11 放射光とレーザーを用いた BaF_2 における内殻励起子の 2 光子分光 III
- 17aRG-12 放射光とレーザーを用いたBaF_2における内殻励起子の2光子分光
- シンクロトロン光とレーザーを用いたナノテク支援と光誘起起電力効果研究
- 22aPS-13 放射光光電子分光法による環境半導体β-FeSi_2の電子状態研究(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pYH-2 アミノ酸システインの光電子分光(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-4 セシウムテルライド薄膜フォトカソードの電子親和性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-10 佐賀大学表面研究用ビームラインの現状(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 22pPSA-18 マイクロ秒時間分解光電子分光によるSi(111)√×√表面の光誘起起電力効果の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pTD-6 Ag/Si(111)表面の角度分解2光子光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aPS-6 Hemin薄膜の作製と光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21pTQ-6 p-GaAs(100)表面におけるSPV効果の超高速時間変化(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 20pZA-12 Cr/GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 26aWB-3 n-type GaAs(100)表画における超高速光励起キャリアダイナミクス(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- シンクロトロン放射光とレーザーの組み合わせによる光電子分光実験
- 九州シンクロトロン光の特徴と最先端利用計画
- 19pYD-5 n-type GaAs(100)表面におけるキャリアダイナミクスの解明(光電子分光,領域5(光物性))
- 25aPS-97 放射光光竃子分光による歯科合金上L-システイン薄膜の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 23aWX-7 時間分解2光子光電子分光によるSi(001)初期酸化表面の研究(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-1 Ti_4O_7における光誘起相の光電子分光(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 放射光とレーザーの組み合わせによる新しい分光法
- 17pRG-15 GaAs-GaAsP超格子におけるSurface-Photovoltage効果
- 25aPS-96 放射光光電子分光によるβ-FeSi_2単結晶の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 24pRE-7 Si(111)上に成長したBi(111)表面の角度分解2光子光電子分光(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 25pRA-12 アルカリ土類フッ化物における自由励起子
- 12aXC-11 シンクロトロン光とレーザーの組合せによる半導体表面の光誘起現象の研究(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
- 17aRG-13 放射光とレーザーを組み合わせた赤外過渡吸収分光
- 25aXQ-1 n-type GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 24aPS-29 Cr/p-GaAs(100)における表面光誘起起電力効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-97 磁性トポロジカル絶縁体における輸送特性に及ぼすフェルミエネルギーのピン止め効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pPSA-15 時間分解2光子光電子分光によるSi(111)初期酸化表面の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-3 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pHC-14 Si (111)上に成長したBi (111)表面の角度分解2光子光電子分光II(27pHC 非線形光学/超高速現象,領域5(光物性))
- 23aHA-2 放射光励起角度分解光電子光法によるBi_2Te_3の電子状態研究(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-12 グラファイト上の鏡像準位の時間分解角度分解2光子光電子分光(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-11 Si(lll)上Bi薄膜の非占有量子化電子状態(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSB-19 フェニル基終端Siナノクラスターの電子構造(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pPSB-10 MnPc/HOPG表面における鏡像準位と薄膜電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-35 Si(111)7x7に成長させたBi(111)の非占有電子状態(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26pYH-5 TiドープV_2O_3ナノ結晶の金属絶縁体転移(26pYH V酸化物・秩序型ペロブスカイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))