高橋 和敏 | 佐賀大SLセンター
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概要
関連著者
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高橋 和敏
佐賀大SLセンター
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鎌田 雅夫
佐賀大シンクロトロン
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東 純平
佐賀大シンクロトロン
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高橋 和敏
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佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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Kek-pf
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高橋 和敏
佐賀大シンクロトロン
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佐々木 洋征
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東北大院理
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田中 章順
東北大院・理
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高橋 和敏
東北大院・理
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佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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東北大理
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田中 章順
東北大理
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鈴木 章二
東北大理
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高橋 和敏
東北大理
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鎌田 雅夫
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東北大院・理
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東北大理
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神戸大院工
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藤正 修司
神戸大工
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分子研
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東北大理
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佐々木 洋征
東北大院理
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熊本大理
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名大院工
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総研大
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佐賀大SL センター
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今村 真幸
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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長島 健
阪大レーザー研
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阪大レーザー研
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木村 真一
UVSOR
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小杉 信博
分子研
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中川 剛志
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伊藤 孝寛
分子研UVSOR
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東大物性研
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名大院工
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山形大理
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東大物性研
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東北大理
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東北大院・理
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権藤 和香子
東北大院・理
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東北大理
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神戸大工
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鎌田 雅夫
総研大
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高橋 和敏
東北大・理
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東北大・理
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佐藤 繁
東北大・理
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田村 好司
東北大院・理
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東北大理
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名大院工
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山形大 理
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佐賀大シンクロトロン
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福井大
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名大院工
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山形大物
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山形大物
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物材機構
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名大工
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筑波大数理物質
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名大工
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姫工大高度研
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東大物性研
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分子研
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中西 彊
名大理
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大阪歯科大
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大阪歯科大
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永澤 鶴美
東北大院・理
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栗山 要助
東北大理
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櫂藤 和香子
東北大院・理
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土子 将史
筑波大 物工
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高橋 靖彦
筑波大 物工
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大嶋 建一
筑波大 物工
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曽田 一雄
名大工
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森田 健治
名大工
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北浦 守
福井高専
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長島 健
大阪大レーザー研
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谷 正彦
福井大遠赤センター
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萩行 正憲
大阪大レーザー研
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東 純平
佐大シンクロトロン
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高橋 和敏
佐大シンクロトロン
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谷 正彦
阪大レーザー研
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鎌田 雅夫
佐大シンクロトロン
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木下 豊彦
NEDO
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東北大理
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名大工
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産総研
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佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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Takahashi K.
分子研
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東北大理
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幡野 正之
東北大・理
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佐々木 洋征
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田村 好司
東北大・理
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東北大・理
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名大理
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名城大
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UVSOR
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More S.
分子研
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高橋 尚志
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名大工
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高橋 和敏
分子研UVSOR
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佐々木 実
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財部 健一
岡山理科大学理学部
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春山 雄一
兵庫県立大
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山本 勇
佐賀大slセンター
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Kim H.-j.
Daegu Univ.
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石橋 一典
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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竹田 光希
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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北浦 守
山形大理
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山本 勇
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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保田 英洋
阪大超高圧電顕
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山本 勇
佐賀大シンクロトロン
-
上田 茂典
NIMS/SPring-8
-
小林 啓介
NIMS/SPring-8
-
小林 宏成
東京理科大理
著作論文
- 21pPSA-12 Si(001)初期酸化表面の時間分解角度分解2光子光電子分光(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-6 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aPS-21 Hemin薄膜の作製と光電子分光II(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 21aGV-5 Time-resolved photoemission experiments with synchrotron radiation and laser(Elucidation of ultrafast dynamics on the surface and the nanoscale with the short wavelength sources)
- 24aPS-59 半導体基板上に成長させた半金属Biナノ薄膜の電子構造
- 24aPS-58 Agナノ薄膜/Fe系の角度分解光電子分光
- 23aW-11 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光 III
- 25pY-11 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光II
- 29a-PS-55 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光
- 29a-PS-54 Agナノ薄膜の温度依存角度分解光電子分光及びX線回折
- 25a-YR-4 Agナノ薄膜/fcc Fe系の角度分解光電子分光
- 25a-YR-3 Agナノ薄膜における光電子スペクトルの温度依存性
- 20aYG-1 InAsにおける光励起キャリアの時間分解光電子分光測定(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aYJ-6 InAsの光起電力効果(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30aXA-7 光誘起したGaAs(100)の内殻光電子スペクトルII : Surface photovoltageの時間変化
- 31a-YG-4 Ag ナノ薄膜における電子-格子相互作用;光電子分光
- 30a-YM-8 Biナノ薄膜(バルク領域)の光電子分光
- 30a-YM-7 Agナノ薄膜の角度分解光電子分光
- Agナノ薄膜における量子サイズ効果の光電子分光測定(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-B-7 Biナノ薄膜のエピタキシャル成長と光電子分光
- 31p-F-2 金属超薄膜における量子サイズ効果 : 光電子分光III
- 30p-YC-10 Agナノ薄膜における量子化電子状態
- 金属超薄膜における量子サイズ効果 : 光電子分光II
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光II
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光I
- 31p-PSB-58 金属超薄膜における量子サイズ効果:光電子分光
- 27a-W-14 MBE-光電子分光複合装置の建設
- 30aVD-11 ドデカンチオレート表面修飾Agナノ粒子の量子化電子状態(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
- 30aXA-13 微小領域でのSRとレーザー組み合わせ実験のためのビームライン改造
- 30aRD-4 角度分解2光子光電子分光法によるグラファイト表面の鏡像準位の研究(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- シンクロトロン光とレーザーを用いたナノテク支援と光誘起起電力効果研究
- 22aPS-13 放射光光電子分光法による環境半導体β-FeSi_2の電子状態研究(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pYH-2 アミノ酸システインの光電子分光(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-4 セシウムテルライド薄膜フォトカソードの電子親和性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-10 佐賀大学表面研究用ビームラインの現状(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21aWB-1 佐賀シンクロトロンにおける直入射・斜入射結合型分光器の設計
- 22pPSA-18 マイクロ秒時間分解光電子分光によるSi(111)√×√表面の光誘起起電力効果の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pTD-6 Ag/Si(111)表面の角度分解2光子光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aPS-6 Hemin薄膜の作製と光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21pTQ-6 p-GaAs(100)表面におけるSPV効果の超高速時間変化(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 20pZA-12 Cr/GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 26aWB-3 n-type GaAs(100)表画における超高速光励起キャリアダイナミクス(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- シンクロトロン放射光とレーザーの組み合わせによる光電子分光実験
- 九州シンクロトロン光の特徴と最先端利用計画
- 19pYD-5 n-type GaAs(100)表面におけるキャリアダイナミクスの解明(光電子分光,領域5(光物性))
- 22pPSA-10 サブ meV 超高分解能光電子分光装置の建設
- 30pPSA-17 UVSOR BL5A における新しい高分解能光電子分光システムの性能評価
- 25aPS-97 放射光光竃子分光による歯科合金上L-システイン薄膜の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 23aWX-7 時間分解2光子光電子分光によるSi(001)初期酸化表面の研究(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 放射光とレーザーの組み合わせによる新しい分光法
- 17pRG-15 GaAs-GaAsP超格子におけるSurface-Photovoltage効果
- 28pPSB-29 Si(111)2√×3-(Pb, Sn) 表面の光電子分光
- 25aPS-96 放射光光電子分光によるβ-FeSi_2単結晶の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 24pRE-7 Si(111)上に成長したBi(111)表面の角度分解2光子光電子分光(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 12aXC-11 シンクロトロン光とレーザーの組合せによる半導体表面の光誘起現象の研究(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
- 25aXQ-1 n-type GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 24aPS-29 Cr/p-GaAs(100)における表面光誘起起電力効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pPSA-15 時間分解2光子光電子分光によるSi(111)初期酸化表面の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-3 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pHC-14 Si (111)上に成長したBi (111)表面の角度分解2光子光電子分光II(27pHC 非線形光学/超高速現象,領域5(光物性))
- 23aHA-2 放射光励起角度分解光電子光法によるBi_2Te_3の電子状態研究(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-12 グラファイト上の鏡像準位の時間分解角度分解2光子光電子分光(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-11 Si(lll)上Bi薄膜の非占有量子化電子状態(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSB-19 フェニル基終端Siナノクラスターの電子構造(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pPSB-10 MnPc/HOPG表面における鏡像準位と薄膜電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))