木村 昭夫 | 東大物性研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
木村 昭夫
東大物性研
-
柿崎 明人
東大物性研
-
原沢 あゆみ
東大物性研
-
鎌倉 望
東大物性研
-
宮本 幸治
広大放射光セ
-
鎌倉 望
Jaea:spring-8
-
生天目 博文
広大放射光セ
-
藤森 淳
東大理
-
奥田 太一
広大放セ
-
木村 昭夫
広大院理
-
柿崎 明人
物構研
-
菅 滋正
阪大基礎工
-
谷口 雅樹
広大院理
-
宮本 幸治
広大放セ
-
谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
-
黒田 健太
広大院理
-
沢田 正博
広大放射光
-
恒川 雅典
阪大基礎工
-
生天目 博文
広大放射光
-
大門 寛
阪大基礎工
-
石井 広義
都立大理
-
木村 昭夫
広大理
-
Rader O.
東大理
-
小野 寛太
東大物性研
-
恒川 雅典
阪大院基礎工:名大物質国際研
-
大門 寛
奈良先端大物質創成:crest-jst
-
関山 明
東大理
-
室 隆桂之
阪大基礎工
-
田中 雅明
東大工
-
谷口 雅樹
広島大院理
-
谷口 雅樹
広大理
-
生天目 博文
広大放セ
-
島田 賢也
東大理
-
成田 尚司
東大物性研
-
田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
TAGUCHI Munetaka
RIKEN/SPring-8
-
上田 茂典
阪大基礎工
-
羽生 隆昭
都立大理
-
島田 賢也
広大放射光セ
-
溝川 貴司
東大理
-
仙洞田 剛士
筑波大物理
-
石井 武比古
東大物性研
-
植田 義文
呉高専
-
岩崎 剛之
阪大基礎工
-
岡林 潤
東大理
-
黒田 健太
広大大学院理
-
坂本 一之
東北大院理
-
坂木 一之
東北大院理
-
近藤 大雄
東北大院理
-
須藤 彰三
東北大院理
-
辛 埴
東大物性研
-
斎藤 祐児
原子力機構放射光
-
今田 真
阪大基礎工
-
石井 廣義
首都大理工
-
石井 広義
首都大院理工
-
谷口 雅樹
広大放セ
-
宮西 晋太郎
JRCAT
-
秋永 広幸
JRCAT
-
田中 虔一
東大物性研
-
渡邊 正満
理研
-
生天目 博文
広大理
-
渡辺 正満
東大物性研
-
牛見 義光
東北大院理
-
牛見 義光
東北大学大学院理学研究科
-
有田 将司
広大放射光セ
-
島田 賢也
広大放射光
-
摂待 力生
阪大理院
-
大貫 惇睦
阪大理院
-
島田 賢也
広島大学放射光センター
-
國井 暁
東北大理
-
斎藤 祐児
原研
-
奥田 太一
広大放射光セ
-
喬 山
広大放射光セ
-
An K.S.
東大物性研
-
竹田 幸治
原子力機構
-
佐藤 繁
東北大理
-
鈴木 章二
東北大院・理
-
田中 章順
東北大理
-
鈴木 章二
東北大理
-
高橋 和敏
東北大理
-
松下 智裕
高エ研
-
宮原 恒〓
高エ研
-
岡根 哲夫
東北大理
-
中谷 健
原子力機構
-
安居院 あかね
東大物性研
-
植田 義文
呉工業高等専門学校電気情報工学科
-
田中 章順
神戸大院工
-
安居院 あかね
東大・物性研
-
高橋 和敏
佐賀大SLセンター
-
植田 義文
徳山工業高等専門学校情報電子工学科
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
野中 源一郎
九州大学薬学部
-
野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
-
野中 倫明
東京都立大塚病院 外科
-
野中 作太郎
九州電気専門学校
-
野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
-
矢橋 牧名
JASRI
-
永長 直人
東大工
-
兒玉 了祐
阪大院工
-
吉田 鉄平
東大理
-
下志万 貴博
東大物性研
-
斎藤 祐児
JAEA
-
犬伏 雄一
阪大院工
-
永園 充
理研XFEL
-
富樫 格
理研XFEL
-
登野 健介
理研XFEL
-
矢橋 牧名
理研XFEL
-
石川 哲也
理研XFEL
-
大橋 治彦
理研XFEL
-
木村 洋昭
理研XFEL
-
十倉 好紀
東大工
-
前野 悦輝
京大理
-
石坂 香子
東京大学物性研究所
-
長谷 泉
産総研
-
米田 仁紀
電通大レーザー研
-
東谷 篤志
理研xfel
-
石川 哲也
JASRI
-
登野 健介
東大院理
-
有田 亮太郎
東大工
-
小野瀬 佳文
東大工
-
仲武 昌史
広大放射光
-
斉藤 祐児
原子力機構
-
金子 良夫
ERATO
-
小林 研介
東大理
-
菅原 仁
都立大理
-
小出 常晴
高エ研PF
-
Ye M.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.
-
Kimura A.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.
-
Nakatake M.
HSRC, Hiroshima Univ.
-
Namatame H.
HSRC, Hiroshima Univ.
-
Taniguchi M.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.
-
福原 忠
富山県大工
-
有田 将司
広大放セ
-
島田 賢也
広大放セ
-
児玉 了祐
大阪大院・工・レーザー研
-
大橋 治彦
理研xfel:jasri
-
大橋 治彦
(財)高輝度光科学研究センター
-
仙波 泰徳
Jasri
-
辛 埴
理研 SPring-8
-
中島 伸夫
広大院理
-
島田 賢也
広島大放射光セ
-
叶 茂
広大院理
-
斉藤 祐児
原研 SPring-8
-
上田 茂典
NIMS Spring-8
-
鹿又 武
東北学院大工
-
宮本 幸治
広大院理
-
笠谷 光男
東北大理
-
設楽 哲夫
高エ研PF
-
播磨 尚朝
阪府大総合科
-
佐藤 英行
都立大理
-
矢橋 牧名
財団法人高輝度光科学研究センター
-
矢橋 牧名
高輝度光科学研究センター放射光研究所
-
矢橋 牧名
理研・jasri X線自由電子レーザー合同計画推進本部
-
矢橋 牧名
(財)高輝度光科学研究センタービームライン・技術部門
-
熊谷 泰輔
阪大院工
-
佐藤 文哉
電通大レーザー
-
大橋 拓司
電通大レーザー
-
富樫 格
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
-
落合 明
新潟大工
-
鈴木 孝
東北大理
-
米田 仁紀
電気通信大学レーザー極限技術研究センター
-
国井 曉
東北大理
-
長谷 泉
電総研
-
十倉 好紀
東大理
-
下山田 篤史
東大物性研
-
菅滋 正
阪大基礎工
-
仲武 昌史
広島大・放射光
-
木村 昭夫
広島大学大学院理学研究科
-
生天目 博之
広大理
-
加藤 健一
広大理
-
宮内 洋司
高エ研PF
-
岡本 淳
東大理
-
青木 勇二
都立大理
-
村川 寛
京大院理:(現)jst Erato-mf
-
福原 忠
富山県立大
-
富樫 格
理研:spring-8
-
有田 亮太郎
東大工:js-crest
-
木下 豊彦
分子研
-
Arita M
Hokkaido Univ. Sapporo
-
小出 常晴
物構研
-
石坂 香子
東大工
-
桑原 英樹
JRCAT
-
十倉 好紀
理研cmrg:erato-mf
-
十倉 好紀
東大工:産総研cerc:erato-mf
-
管 滋正
阪大基礎工
-
生天目 博文
広島大放射光
-
相浦 義弘
電総研
-
金子 良夫
Erato-mf
-
Shen Z.
Department Of Applied Physics Stanford University
-
木下 豊彦
NEDO
-
井上 公
強相関電子技術研究センター(cerc):ケンブリッジ大学
-
渡辺 正満
物講研
-
渡邊 正満
東大物性研
-
井上 公
科技団さきがけ研究, 電総研
-
原澤 あゆみ
東大物性研
-
池田 伸一
京大理
-
ARAI Masatoshi
Japan Atomic Energy Agency
-
永長 直人
東大工:理研cmrg
-
中辻 寛
阪大基礎工
-
永園 充
SPring-8
著作論文
- 30p-L-4 MnSb(0001)のスピン・角度分解光電子分光
- CePdAsの高分解能共鳴光電子分光
- 7a-K-6 光電子分光によるSr_2RuO_4の電子状態の研究
- 28a-Q-10 Si(001)-(2×1)表面に吸着したC_の電子状態:温度依存性
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光II
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光I
- 27p-W-3 強磁性ニッケル価電子帯6eVサテライトのスピン分解共鳴電子分光
- 27p-W-2 遍歴強磁性体MnAsおよびMnSbのスピン偏極光電子分光
- 31a-Z-6 アルカリ金属、Mg、Alの光電子スペクトル及び発光スペクトルの形状解析
- 28a-ZH-1 Co/Au(111)磁性薄膜のスピン分解光電子分光
- 25a-YP-15 Ni(110)のスピン分解価電子帯光電子スペクトルにおける磁気円二色性
- 25a-YP-14 円偏光励起スピン分解光電子分光によるNi6eVサテライトの測定
- 25a-YP-11 Fe/Rh(001)の角度分解光電子分光
- 26a-YJ-8 Fe/Rh(001)およびFe/Co(001)の成長モードと電子状態
- 31p-Z-4 Fe(001)のスピン依存表面電子状態
- 28a-YN-6 (Ga,Mn)AsのMn 3p内殻吸収磁気円二色性
- 1a-Z-6 40KeV モット散乱型小型電子スピン検出器の性能
- 28p-W-2 単純金属の光電子分光と軟X線発光スペクトル
- 29p-ZE-6 Ga_Mn_xAsの角度分解光電子分光
- 28a-W-1 LaB_6(110)の表面電子状態と4d-4f共鳴光電子分光
- 31p-YH-11 Ga_Mn_xAsの価電子帯光電子分光
- 8a-E-13 X線光電子分光によるIII-V族半導体中のMnの電子状態
- 31p-Z-5 fct Fe/Co(001)のスピン電子状態
- 31p-Z-10 Eu_3Ir_4Sn_の共鳴光電子分光
- 31p-PSB-75 CoPt_3単結晶表面における吸着誘起再配列
- 1a-Z-3 CoPt_3単結晶の角度分解光電子分光
- 28a-YR-6 C_吸着Si(001)-(2×1)表面の光電子分光
- 28a-YR-5 C_吸着Si(111)-(7×7)表面の電子状態 : 温度依存性
- 2a-YE-10 C_吸着Si表面の電子状態
- CoS_2の高分解能光電子分光
- (Nd_Sm_y)_Sr_MnO_3の高分解能光電子分光
- CeRu_2Ge_2の高分解能共鳴光電子分光
- 31p-Z-13 CeRu_2Si_2の高分解能・共鳴光電子分光測定
- 磁性薄膜Co及びMnの磁気線二色性
- 29a-YC-12 Ni価電子帯スピン分解光電子スペクトルの金森・今田モデルによる解析
- 28a-YC-5 強磁性体Niの価電子帯におけるMLDAD及びMCDAD
- 28a-ZH-2 fcc Fe/Co(001)のスピン電子状態
- 25a-YP-13 fct Fe/Co(001)のスピン分解内殻光電子分光
- 25a-YP-12 Fe/Co(001)の3p内殻光電子放出における磁気線二色性
- 26a-YJ-10 Fe/Co(001)の界面電子状態
- 26a-YJ-9 fct Fe/Co(001) スピン電子状態 II
- 23aJB-2 W(110)のスピン偏極表面電子構造における異方的ディラックコーン(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-9 高分解能スピン・角度分解光電子分光装置を用いた表面スピン電子物性測定(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-8 ARPES及びXMCD分光を用いたMnドープBi_2Se_3の電子状態の研究(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 24pTC-2 極性半導体BiTeIにおけるラシュバ型スピン分裂の観測(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pRB-2 EUV自由電子レーザー照射固体状態の白色光観測システム(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 24pTC-5 Relocation of the topological state of Bi_2Se_3 beneath the surface by Ag intercalation
- 25pBJ-7 MnドープBi_2Te_3の内殻吸収円二色性分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30a-YM-12 非磁性Cu(100)面からのスピン偏極光電子放出
- 29a-YC-13 fcc Co/Cu(001)のスピン・角度分解光電子分光
- 31p-PSB-59 Si(111)3×1-Alkali metal, Ag の表面内殻準位シフト
- 19aEA-11 MnドープBi_2Se_3の磁性と電子状態(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aEA-10 Bi_2Te_2Se及びBi_2Se_2Teのスピン分解光電子分光(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pCK-2 Bi(111)表面のC_対称性による異方的Rashba効果(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXK-3 W(110)表面電子状態のC_対称性による平らなディラックコーン(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seのスピン偏極表面電子状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-39 高分解能3次元スピン分解光電子分光装置の開発(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
- 28pXG-7 バルクキャリアドーピングによるTlBiSe_2トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-6 トポロジカル絶縁体GeBi_2T_4のスピン角度分解光電子分光(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDD-10 偏光依存スピン角度分解光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面状態のスピンテクスチャーの研究(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aJA-5 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seの巨大Rashba効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aJA-1 強磁性Ni(110)上のAu量子ワイヤにおけるRashbaスピン分裂バンド(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aDD-11 非層状物質三元トポロジカル絶縁体TIBiSe_2の勢開最表面の決定(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 1a-pS-9 近藤絶縁体YbB_の高分解能光電子分光II(1aPS 磁性(f電子系),磁性)
- 1p-YE-5 遍歴強磁性体MnAsおよびMnSbのスピン角度分解光電子分光(1pYE 磁性(遷移金属合金・化合物),磁性)