須藤 彰三 | 東北大院理
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概要
関連著者
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須藤 彰三
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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粕谷 厚生
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東北大院理
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東北大院理
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早川 美徳
東北大院理
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本堂 毅
東北大院理
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吉澤 雅幸
東北大院理
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芳賀 健也
東北大院理
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佐崎 元
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東大理
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原沢 あゆみ
東大物性研
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木下 豊彦
東大物性研
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木村 昭夫
東大物性研
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中嶋 一雄
東北大金研
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坂本 一之
千葉大院融合
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内田 和喜男
東北大院理
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牛見 義光
東北大院理
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牛見 義光
東北大学大学院理学研究科
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瀧川 知昭
東北大院理
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中矢 博樹
東北大院理
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粕谷 厚生
東北大融合研
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西方 督
金研
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Poznan Univ. of Tech. (Poland)
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佐崎 元
北大低温研:jst-さきがけ
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Osiecki J.
東北大院理
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Osiecki Jacek
Linkoping大
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巾嶋 一雄
東北大・金研
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佐〓 元
東北大学・金研
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西方 督
徳島大学工学部
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佐崎 元
豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所
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川本 絵里奈
東北大院理
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柿崎 明人
東大物性研
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渡辺 明
東北大多元研
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粕谷 厚生
東北大金研
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佐崎 元
東北大金研
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芦間 英典
東北大院理
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武田 英夫
東北大院理
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渡辺 明
東北大反応研
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雨宮 健太
東大理
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Czajka R.
東北大学際セ
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粕谷 厚生
東北大学工学部学際科学国際高等研究センター
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木村 大介
東北大院理
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田岡 琢己
東北大院理
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本谷 宗
学際セ
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Wawro A.
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (Warsaw, Poland)
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志波 晃子
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東北大院工
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西方 督
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松井 一記
東北大院理
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Watanabe A
Univ. Tokyo Tokyo
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東北大院理
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吉澤 雅幸
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早川 美徳
東北大学大学院理学研究科
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川添 良幸
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櫻井 利夫
東北大金研
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岩佐 直仁
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松村 武
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松村 武
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松井 文彦
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是枝 聡肇
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金田 寛
新潟大物質量子セ
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山田 太郎
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須藤 彰三
東北大理
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Czajka R.
東北大院理
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藤川 安仁
東北大金研
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桜井 利夫
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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宮田 英威
東北大院理
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是枝 聡肇
東北大院理
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金田 寛
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岩佐 直人
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Sadowski J.
東北大金研
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宮田 英威
東北大・院・理
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Al-Mahboob A.
東北大金研
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サドウスキー J.
東北大金研
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Sadowski Jerzy
東北大金研
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冷清水 裕子
東北大院理
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棚橋 克人
富士通研
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田鎖 幸樹
東北大院理
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八田 振一郎
東北大院理
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アルマフーブ A.
東北大金研
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櫻井 利夫
東北大学際センター
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生田目 謙
東北大院理
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宮田 英威
東北大院・理・物理
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高田 弘樹
東北大院理
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鈴木 貴幸
東北大院理
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清水 誠
理研フロンティア
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中村 教博
東北大学大学院理学部地圏環境科学科
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奥田 太一
東大物性研
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岩佐 直仁
東北大院理
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松田 實
東北大反応研
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太田 俊明
立命館大学SRセンター
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Yeom H.
延世大
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Yeom H.
Yonsei大
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柿崎 明人
物構研
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後藤 武生
東北大理
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島 政英
東北大院理
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平野 真澄
東北大院理
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原田 壮基
東北大院理
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松田 巌
東大理
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Yeom Han
東大理
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東北大院理 和喜男
東北大院理
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千葉 朋
電通大電子
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名取 晃子
電通大電子
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宇佐美 徳隆
東北大学金属材料研究所
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宇佐美 徳隆
東北大金研
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脇田 高徳
東大物性研
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本堂 毅
東北大理
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Murgan P.
東北大金研
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佐崎 元
金研
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中嶋 一雄
金研
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本谷 宗
東北大学際セ
-
田岡 琢巳
東北大理
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伊藤 隆
東北大学際セ
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Wawro A.
Polish Academy of Sciences (Warsaw, Poland)
-
岩佐 直人
東北大院理
-
小野 ルミ子
東北大院理
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清水 誠
東北大院理
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後藤 武生
東北大院理
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吉澤 雅幸
東北大理:crest Jst
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伊藤 隆
Center For Interdisciplinary Research And Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
竹内 敏彦
東北大金研
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鈴木 利尚
東北大院理
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Yeom Han
東大大工
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Kasuya A
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
-
Kasuya Atsuo
Institute Of Materials Resesrch Tohoku University
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後藤 武生
東北大 大学院
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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石川 洋
東北大院理
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泉水 一紘
東北大院理
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早川 美穂
東北大院理
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長谷川 琢哉
(現)高エネルギー加速器研究機構
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田嶋 玄一
東北大学高等教育開発推進センター
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鈴木 千里
東北大院理
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Wawro A
東北大金研
-
Wawro A.
東北大学際セ:ポーランド科学アカデミー
-
Wawro A.
東北大金研
-
Czajka R
東北大金研
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川添 良幸
東北大学
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中村 教博
東北大学大学院理学研究科
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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加藤 大樹
東理大
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吉澤 雅幸
東北大学大学院 理学研究科
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長谷川 琢哉
東北大学大学院理学研究科
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中嶋 一雄
京都大
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姜 正敏
東北大院理
-
梅津 新
東北大院理
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Murugan P.
東北大金研
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粕谷 厚生
東北大学院セ
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Wawro Andrzej
東北大学際セ
-
Wawro A.
Polish Academy of Science
-
松下 ステファン
東北大院理
著作論文
- 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 全学理科系学生を対象とした"自然科学総合実験"
- 19pPSB-16 C_/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置
- 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
- 22aWA-8 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性II
- 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
- 24aPS-20 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程II
- 24aPS-17 Si(111)7×7表面上に吸着したC_の空分子軌道の研究
- 22aW-6 NEXAFSによるC_吸着Si(001)-(2×1)表面の電子状態の研究
- 26aPS-57 Si(111)7x7表面に吸着したC_の吸着状態
- 25pW-14 In/Si(111)表面の振動状態
- 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
- 25pW-11 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性
- 28a-Q-10 Si(001)-(2×1)表面に吸着したC_の電子状態:温度依存性
- 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXB-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究II(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTD-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-6 D:Si(111)1×1の表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-37 水素終端Si表面の改質とHREELS測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXJ-4 Al表面初期酸化の高分解能電子エネルギー損失分光測定(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-5 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-9 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14pXF-4 Ag ナノクラスターの表面プラズモンのエネルギーと分散(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 13pXF-7 VT-STM による H/Si(111)1×1 表面上の Ag クラスターの成長過程 II(微粒子・クラスタ, 領域 9)
- 30aWP-11 Agナノ粒子の表面プラズモンのエネルギーと分散(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 27aWR-1 VT-STMによるH/Si(111)1×1表面上のAgクラスターの成長過程(微粒子・クラスタ)(領域9)
- 20aPS-58 H/Si(111)1×1 表面上の Al ナノクラスターの成長過程
- 28aZA-11 東北大学における融合型理科実験の導入 : 特色GPの計画と文科系開講(28aZA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 19pXC-5 東北大学における融合型理科実験の導入1年半を経過して(物理教育(教育方法・実践・開発),領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 28a-ZG-5 オリゴシランの電子状態と光励起ダイナミクス
- 01aD06 ビシナルステップを用いたペンタセン薄膜結晶の成長方向の制御(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
- 01aD05 H-Si(111)表面上でのペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察II : ドメイン構造の生成機構(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
- 01aD04 H-Si(111)表面上で成長するペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察I : エピタキシャル構造(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
- 5p-H-12 C_を用いたSiC薄膜の成長機構
- 5p-H-11 Si(111)7×7表面に吸着したC_とSiダングリングボンドの相互作用
- 28aYE-12 東北大学の自然科学総合実験 : 実施5年を経過して(28aYE 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 21aRA-6 東北大学理学部物理学科の実験教育 : 導入から専門課程まで(21aRA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 24aRC-9 理科実験の文科系学部への開講III : 評価と展望(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 理科実験の文科系学部開講(実験室)
- 22pYJ-10 Si(111)7×7表面で原子数に依存して成長する(Ag)_nのSTM解析(領域9,領域7合同シンポジウム主題:精密に原子配列させた1nm構造体が示す特徴的な物性と展望,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pTV-14 理科実験の文科系学部への開講II : 東北大学の試み(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 20pXJ-7 自然法則の普遍性と文化の多様性 : Evidence Based Decisionの基礎としての理科実験(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 20pXJ-15 理科実験の文化系学部への開講 : 東北大学の試み(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 19aWH-9 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程II(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-7 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及びクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-9 Si(111)7×7表面上のAg原子の拡散及びクラスター形成過程(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-50 H/Si(111) 1×1 表面上の Ag ナノクラスターの成長過程
- 23aWS-8 Si(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27a-PS-24 Si表面に吸着したC_の振動状態:吸着量及び温度依存性
- 28a-YR-6 C_吸着Si(001)-(2×1)表面の光電子分光
- 28a-YR-5 C_吸着Si(111)-(7×7)表面の電子状態 : 温度依存性
- 2a-YE-10 C_吸着Si表面の電子状態
- 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- New Reconstructions of Platinum Silicide Surface (Special Issue: Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques)
- 23aYC-1 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-11 Si(111)表面におけるPtシリサイドの形成と表面構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 東北大学における融合型理科実験の導入
- 28pWQ-6 東北大学における融合型理科実験の導入(物理教育(教育調査・教育開発))(領域13)
- 文科系のための自然科学総合実験(物理教育は今)
- 27p-YL-7 カーボン60とシリコン表面の相互作用 : 吸着、膜成長、SiC膜形成
- 21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-28 水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aFE-2 Si(111)7×7表面上におけるAg原子のウェッティングレイヤー初期形成過程(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXK-7 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの表面プラズモンのエネルギー分散(29pXK 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJB-4 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの電子励起状態(表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJA-2 水素終端Si(110)-(1×1)表面の初期酸化過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 6pPSB-28 C70/Siヘテロ接合の界面の電子状態(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pPSB-59 Si(111)7×7表面上のFeクラスターの形成過程(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 24aYF-3 Si(111)7×7表面上のAg超薄膜形成過程とプラズモンの研究(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 30pAP-2 水素終端Si(110)-(1×1)面の作成法の改良と表面状態(30pAP 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面・結晶成長))