名取 晃子 | 電気通信大学電子工学科
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概要
関連著者
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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名取 晃子
電通大電子
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中村 淳
電通大電子
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中村 淳
電通大院先進理工:電通大電子
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名取 晃子
電通大
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中村 淳
電通大
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平山 基
電通大電子
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名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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名取 晃子
電気通信大学
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中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
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涌井 貞一
電通大電子
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新田 敏浩
電通大
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井上 純一
北海道大学大学院情報科学研究科
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千葉 朋
電通大電子
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井上 純一
物材機構計算科学センター
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井上 純一
電通大電子
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伊藤 潤
電気通信大学電子
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大竹 晃浩
物材機構
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五十嵐 正典
電通大電子
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河野 勝泰
電通大電子
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坂本 克好
電通大電子
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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坂本 克好
電通大
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長谷川 修司
東大理
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早川 美徳
東北大学大学院理学研究科
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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河野 勝泰
電気通信大学電子工学科
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粕谷 厚生
東北大学際セ
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小口 信行
物・材機構
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須藤 彰三
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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小口 信行
物材機構
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山口 翔
電気通信大学
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粕谷 厚生
学際セ
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早川 美徳
東北大院理
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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小口 信行
物質・材料研究機構
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大学
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大(チェコ共和国)
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粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
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冷清水 裕子
東北大院理
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泉水 一紘
東北大院理
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Osiecki J.
東北大院理
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早川 美穂
東北大院理
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平山 基
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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江口 俊輔
電通大電子
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挾間 裕一
電通大電子
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齋藤 浩一
電通大
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河野 勝泰
電気通信大学
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坂本 克好
電気通信大学電子工学科
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山田 太一
電通大電子
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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桝 日向
電通大電子
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湧波 信弥
電通大
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大野 景太
電通大
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名取 諭史
電通大
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石原 俊介
電通大
-
長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
著作論文
- 21aHW-4 Si/SiO_2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性 : valley-orbit相互作用効果(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGL-7 HfO_2・SiO_2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-7 SiC多形超薄膜の誘電特性(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pPSB-23 酸素吸着グラフェンの構造安定性と凝集性質(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pTA-12 グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aWH-14 多谷半導体中のD^-基底状態 : 磁場効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-1 D^-基底状態の拡散量子モンテカルロ計算 : 有効質量異方性及び多谷効果(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pWF-11 ナノスケールの摩擦機構 : ティップサイズ効果(粉体・摩擦・地震,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
- 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pVC-4 異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(21pVC 確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pTD-3 SiO_2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pTD-9 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II : STM像の不純物原子種依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTG-9 第一原理計算によるSiO_2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-10 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-9 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 21pWH-12 In被覆Au探針を用いたエレクトロマイグレーションの観察(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Ag探針を用いた表面エレクトロマイグレーションのSEM観察
- 22pYE-3 グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノエレクトロニクスと計算科学, 白石賢二, 伊藤智徳, 影島博之(共著) ,"ナノエレクトロニクスと計算科学", (社)電子情報通信学会(2001-11), A5判, 定価(本体2,400円+税)
- 23pYH-3 原子摩擦力の速度飽和機構(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXJ-1 Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXB-13 縦型2重量子ドットのスピン結合と磁場制御(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPS-51 原子レベルの摩擦機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-7 SiO_2超薄膜の誘電特性(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 半導体超薄膜の誘電特性
- 27aXD-9 BNリボンの磁性II(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-145 2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-14 Si(001)-2×1 ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の外部電場依存性(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15aPS-81 BN リボンの磁性(領域 9)
- 15aPS-10 ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦(領域 9)
- 15aPS-9 超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(領域 9)
- 14aXG-3 Si 超薄膜の誘電特性 II(表面界面電子物性, 領域 9)
- 30aWP-5 Si超薄膜の誘電特性(ナノ構造量子物性)(領域9)