ナノエレクトロニクスと計算科学, 白石賢二, 伊藤智徳, 影島博之(共著) ,"ナノエレクトロニクスと計算科学", (社)電子情報通信学会(2001-11), A5判, 定価(本体2,400円+税)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2002-06-01

著者

• 名取 晃子

  電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻

• 名取 晃子

  電気通信大学電子工学科

関連論文

• 21aHW-4 Si/SiO_2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性 : valley-orbit相互作用効果(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGL-7 HfO_2・SiO_2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-7 SiC多形超薄膜の誘電特性(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22pPSB-23 酸素吸着グラフェンの構造安定性と凝集性質(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pTA-12 グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aWH-14 多谷半導体中のD^-基底状態 : 磁場効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aXL-1 D^-基底状態の拡散量子モンテカルロ計算 : 有効質量異方性及び多谷効果(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pWF-11 ナノスケールの摩擦機構 : ティップサイズ効果(粉体・摩擦・地震,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
• 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pVC-4 異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(21pVC 確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pTD-3 SiO_2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pTD-9 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II : STM像の不純物原子種依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTG-9 第一原理計算によるSiO_2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-10 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTG-9 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
• Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造転移(結晶成長理論の最近の動向)
• 28pTA-10 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造変化機構II
• 24pPSA-55 Si(100)面の異方的欠損ダイマークラスタの成長ダイナミクス
• 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
• 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
• 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
• 24pW-16 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップと構造変化機構
• 24aW-8 O/Cu(100)のナノドメイン構造と揺らぎ
• 25pD-7 Charged Magnetoexcitons in Parabolic Quantum Dots
• C-10-15 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
• 21pWH-12 In被覆Au探針を用いたエレクトロマイグレーションの観察(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Ag探針を用いた表面エレクトロマイグレーションのSEM観察
• 22pYE-3 グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノエレクトロニクスと計算科学, 白石賢二, 伊藤智徳, 影島博之(共著) ,"ナノエレクトロニクスと計算科学", (社)電子情報通信学会(2001-11), A5判, 定価(本体2,400円+税)
• 23pYH-3 原子摩擦力の速度飽和機構(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXJ-1 Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXB-13 縦型2重量子ドットのスピン結合と磁場制御(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aPS-51 原子レベルの摩擦機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-7 SiO_2超薄膜の誘電特性(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 半導体超薄膜の誘電特性
• 27aXD-9 BNリボンの磁性II(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-145 2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-14 Si(001)-2×1 ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の外部電場依存性(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 15aPS-81 BN リボンの磁性(領域 9)
• 15aPS-10 ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦(領域 9)
• 15aPS-9 超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(領域 9)
• 14aXG-3 Si 超薄膜の誘電特性 II(表面界面電子物性, 領域 9)
• 30aWP-5 Si超薄膜の誘電特性(ナノ構造量子物性)(領域9)
• 極薄SiO_2/Si界面のエネルギー障壁の第一原理計算
• Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
• Simulated Annealingの有効冷却スケジュールとレンジリミターの設計
• TSP(巡回セールスマン問題)のHopfieldモデルによる解法の効率化

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク