25pTD-3 SiO_2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 中村 淳

  電通大電子

• 名取 晃子

  電通大電子

• 涌井 貞一

  電通大電子

• 名取 晃子

  電気通信大学電子工学科

• 中村 淳

  電通大院先進理工:電通大電子

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