26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√<3>x√<3>)R30°-Sn表面の評価
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-09-03
著者
-
門平 卓也
早稲田大学各務記念材料技術研究所
-
大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
-
青野 正和
理研
-
青野 正和
物材機構mana
-
中村 淳
電通大電子
-
大坂 敏明
早大理工
-
大坂 敏明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
大坂 敏明
早大理工:早大材研
-
大坂 敏明
早稲田大学理工学部
-
門平 卓也
東大工:科学技術振興機構crest
-
大坂 敏明
早稲田大 理工
-
中村 淳
理研
-
三浦 義弘
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
門平 卓也
早大理工
-
三浦 義弘
早大理工
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