27a-ZD-13 TED法によるInSb{111}表面原子配列の決定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-09-12
著者
関連論文
- Au/InSb(111)A系における合金形成過程
- 24aZ-11 ロイシン複合体結晶の成長速度に対する不純物の効果
- 6a-P-8 リゾチーム結晶への不純物取り込み量と成長条件の相関
- リゾチーム結晶の屈折率と成長速度の相関
- InSb(111)A-2√3×2√3-R30゜再配列構造の評価
- Au/Si(111)-γ(√×√)R30°表面形成過程の評価
- 29p-BPS-47 NiA1(111)の表面フォノン
- 29p-PS-37 TED法によるInSb{111}極性面上における酸素吸着構造の解析
- InSb(111)B-(3X3)表面の核形成と成長
- 29a-ZX-7 MBE成長ZnSエピタキシ膜の評価
- 製錬と腐食
- 濃度差マランゴニ対流に基づく多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化
- 価値の容認
- KCl下地表面構造とその上でのSn蒸着粒子のエピタキシャル成長 : 微粒子・薄膜
- フォークト関数を用いた表面内殻準位シフトの評価
- 29a-PS-4 Au吸着Si(111)表面のγ√⇔(6×6)構造変化
- 27a-PS-68 InSb(111)A-2√×2√-30°表面の構造解析
- 29a-PS-32 InSb(111)A-2√×2√-30°再配列構造の評価II
- InSb(111)A-√3×√3-Au吸着表面の構造解析とその形成過程
- 3a-Q-5 透過電子回折(TED)法によるInSb(111)B-(3×3)表面の構造解析
- 透過電子回折法による化合物半導体の表面構造解析
- 28a-Z-10 InSb(111)A上でのAuヘテロエピタキシー
- 透過電子回折法によるInSb{111}表面の原子配列の決定
- 27a-ZD-13 TED法によるInSb{111}表面原子配列の決定
- 5p-W-14 超高真空その場観察電子顕微鏡によるInSb{111}極性表面上でのIn成長の観察
- 5a-T-3 酸素吸着モデルで考えたSi(111)7x7超構造のTED解析
- Nd123の溶液成長のその場観察
- 酸素分圧を駆動力とする超伝導酸化物の溶液成長のその場観察
- 7a-PS-40 h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態
- 6p-B-11 α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
- 5a-H-11 α-Sn(111)-(2×2)表面の構造と電子状態I
- 29a-PS-36 InSb(111)B-2×2表面の最適化構造とその電子状態
- Ge/Si(111)-Sb系表面変性エピタキシ-
- GaAs(111)A-2×2表面の電子状態と構造安定性
- 30a-PS-29 RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A, B表面の構造解析
- 5a-Q-10 Si(111)表面上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
- 14a-DJ-5 単原子層グラファイト/SiC(111)系不整合界面における電荷移動機構
- 脂肪酸真空蒸着膜の多形発現のAFM観察
- 脂肪酸真空蒸着膜における多形現象のAFM観察 : バイオクリスタル I
- 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
- 29p-T-3 α-Sn(111)表面再配列構造のSTM観察
- Sn/InSb(111)A系のSTM観察
- 31a-J-3 Sn吸着InSb(111)A表面のSTMによる研究
- 業績評価のあり方
- InSb(001)-C(8×2)表面構造の直接観察
- 1a-RJ-10 蒸発-蒸着による固体表面の平滑化に関するMullinsモデルの数学的再検討
- アルカリハライド下地上での薄膜のグラフェオピタキシー
- 29p-PSB-18 硫酸水溶液中におけるAu(111)電極表面のAFM観察
- Au/Si(111)-γ(√×√)R30°表面形成過程の評価
- 鶏卵白リゾチームの核生成および結晶方位に及ぼす磁場の影響
- 3p-T-9 InSb{111}上でのダイアモンド型Sn成長に関する一考察
- 4a-Q-4 MgO(100)上におけるPd(100)クラスターの電子状態
- アルカリハライド上におけるAuの初期成長 : ―化学結合論的視点から―
- 27a-E-5 単原子層グラファイト/Ni(111)系における電荷移動機構
- ヘテロエピタキシ-素過程の化学結合論的考察
- 学科が変わった (金属学・材料科学をどう教えどう学ぶか) -- (カリキュラムはこれでよいのだろうか)
- グラフォエピタキシ---SOI素子,3次元LSIへの応用が期待される新しい薄膜成長法