Au/Si(111)-γ(√<3>×√<3>)R30°表面形成過程の評価

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概要

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• We have investigated formation processes of the γ (√3×√3) R30° (γ√3) reconstructed surface for the Au/Si (111) system by using Auger electron spectroscopy, reflection high energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy. Depositing Au onto the Si (111) - (7 × 7) substrate at a temperature of 600°C, we have successfully obtained the well-defined γ√3 surface with a single domain, which is extremely flat at an atomic scale. On the basis of the analysis of the surface composition, we have demonstrated that one monolayer of Au constitutes the γ√3 surface. Furthermore, it has been revealed that excess Au atoms at the surface contribute not to the formation of the surface reconstruction but to that of the liquid islands of Au.

• 日本真空協会の論文
• 2003-04-20

著者

• 門平 卓也

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 大坂 敏明

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 松尾 真吾

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 江口 豊明

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 西田 慶仁

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 中川 明久

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 大坂 敏明

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 大坂 敏明

  早稲田大学理工学部

• 大坂 敏明

  早稲田大学

• 中川 明久

  早大理工

• 西田 慶仁

  早大理工

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