大坂 敏明 | 早稲田大学理工学部

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概要

• 同名の論文著者
• 早稲田大学理工学部の論文著者

関連著者

• 大坂 敏明

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 大坂 敏明

  早稲田大学理工学部

• 大坂 敏明

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 大坂 敏明

  早稲田大 理工

• 大坂 敏明

  早大理工

• 大坂 敏明

  早大理工:早大材研

• 江口 豊明

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 中村 淳

  電通大電子

• 江口 豊明

  東大物性研:アウクスブルグ大

• 大坂 敏明

  早稲田大学

• 江口 豊明

  早大理工

• 中村 淳

  早大材研

• 門平 卓也

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 西澤 正泰

  早大理工

• 趙 星彪

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 成瀬 延康

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 青野 正和

  理研

• 西田 慶仁

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 大坂 敏明

  早大材研:早大理工

• 趙 星彪

  名大理工総研

• 成瀬 延康

  早大材研

• 西田 慶仁

  早大理工

• 三浦 義弘

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 中村 淳

  早大理工

• 原 尚子

  早稲田大学理工学部物理開発工学科

• 中村 淳

  電気通信大学電気通信学部電子工学科

• 依田 真一

  宇宙開発事業団

• 今石 宣之

  九州大学機能物質科学研究所

• 青野 正和

  物材機構mana

• 大井田 俊彦

  宇宙開発事業団宇宙環境利用システム本部宇宙環境利用研究センター

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部

• 早川 泰弘

  静岡大学電子工学研究所

• 熊川 征司

  静岡大学電子工学研究所

• 松尾 真吾

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部 応用化学科

• 尾本 誠一

  早大理工

• 岡野 泰則

  静岡大学工学部

• 新船 幸二

  早稲田大学理工学部

• 大島 忠平

  早稲田大学 各務記念材料技術研究所

• 大島 忠平

  早大材研

• 大島 忠平

  早稲田大学理工学部

• 中川 明久

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 大島 忠平

  早大材研

• 稲田 健

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 安廣 祥一

  九大

• 中川 明久

  早大理工

• 門平 卓也

  東大工:科学技術振興機構crest

• 安廣 祥一

  九州大学機能物質科学研究所

• 高橋 龍仁

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 中村 淳

  理研

• 藤原 省悟

  早稲田大学理工学部

• 興津 和彦

  静岡大学電子工学研究所

• 酒井 奨

  静岡大学工学部

• 野島 孝夫

  早稲田大学大学院

• 青野 正和

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 興津 和彦

  静大電研

• 中山 知信

  理研

• 野島 孝夫

  早大院

• 大井田 俊彦

  宇宙開発事業団

• 加藤 良造

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 湊 龍一郎

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 古田 俊一

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 森田 英之

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 船木 貴博

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 佐藤 宏

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 中澤 秀司

  早大理工

• 中島 博

  早大理工

• 門平 卓也

  早大理工

• 三浦 義弘

  早大理工

• 酒井 奨

  静大院

• Okano Y

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• 佐藤 宏

  早稲田大学大学院

• 中村 淳

  電気通信大学大学院先進理工学専攻

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著作論文

• Au/InSb(111)A系における合金形成過程
• InSb(111)A-2√3×2√3-R30゜再配列構造の評価
• InSb(111)B-(3X3)表面の核形成と成長
• 製錬と腐食
• 濃度差マランゴニ対流に基づく多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化
• 価値の容認
• KCl下地表面構造とその上でのSn蒸着粒子のエピタキシャル成長 : 微粒子・薄膜
• フォークト関数を用いた表面内殻準位シフトの評価
• 29a-PS-4 Au吸着Si(111)表面のγ√⇔(6×6)構造変化
• 27a-PS-68 InSb(111)A-2√×2√-30°表面の構造解析
• 29a-PS-32 InSb(111)A-2√×2√-30°再配列構造の評価II
• 7a-PS-40 h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態
• 6p-B-11 α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
• 5a-H-11 α-Sn(111)-(2×2)表面の構造と電子状態I
• 29a-PS-36 InSb(111)B-2×2表面の最適化構造とその電子状態
• Ge/Si(111)-Sb系表面変性エピタキシ-
• GaAs(111)A-2×2表面の電子状態と構造安定性
• 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
• 29p-T-3 α-Sn(111)表面再配列構造のSTM観察
• Sn/InSb(111)A系のSTM観察
• 31a-J-3 Sn吸着InSb(111)A表面のSTMによる研究
• Au/Si(111)-γ(√×√)R30°表面形成過程の評価

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