岡野 泰則 | 静岡大学工学部
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概要
関連著者
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岡野 泰則
静岡大学工学部
-
Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
-
平田 彰
早稲田大学理工学部
-
平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
-
村上 倫章
静大電研
-
村上 倫章
静岡大学電子工学研究所
-
酒井 奨
静大院
-
依田 真一
宇宙開発事業団
-
宮澤 政文
静岡大学工学部
-
今石 宣之
九州大学機能物質科学研究所
-
大井田 俊彦
宇宙開発事業団宇宙環境利用システム本部宇宙環境利用研究センター
-
小松 秀樹
静岡大学電子工学研究所
-
宮澤 政文
静大工
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
-
小松 秀輝
静岡大
-
Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
柴田 尚弘
静岡大学電子工学研究所
-
小松 秀輝
静岡大学電子工学研究所
-
中村 徹郎
静岡大学電子工学研究所
-
山田 哲生
静岡大学電子工学研究所
-
新船 幸二
早稲田大学理工学部
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
-
酒井 奨
静岡大学工学部
-
K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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興津 和彦
静大電研
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大井田 俊彦
宇宙開発事業団
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Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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新船 幸二
静岡大学電子工学研究所
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高木 洋平
静岡大学工学部
-
藤原 省悟
早稲田大学理工学部
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興津 和彦
静岡大学電子工学研究所
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Dost S.
カナダビクトリア大学機械工学科
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Dost S.
ビクトリア大
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Dost Sadik
Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria
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平田 彰[他]
早稲田大学理工学部 応用化学科
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大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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塚田 隆夫
東北大学大学院工学研究科化学工学専攻
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橋本 望
電力中央研究所
-
岡野 泰則
静岡大
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橋本 望
(財)電力中央研究所
-
橋本 望
電中研
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渡辺 隆行
東京工業大学原子炉工学研究所
-
渡辺 隆行
東京工大 大学院総合理工学研究科
-
渡辺 隆行
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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渡辺 隆行
東京工業大学
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渡辺 隆行
東京工業大学総合理工学研究科化学環境学専攻
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岡野 泰則
静大工
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鈴木 崇之
静岡理工科大
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木村 忠
静岡大学電子工学研究所
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岡野 義則
静岡大学工学部
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BALAKRISHNAN Krishnan
静岡大学電子工学研究所
-
KRISHNAMURTHY Daivasigamani
静岡大学電子工学研究所
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DOST Sadic
University of Victoria
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DAO Le
INRS-Energie et materiaux, University du Qubec
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岡野 泰則
静岡大学
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岩本 光生
大分大学工学部 機械・エネルギーシステム工学科
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橋本 望
北大院
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
大坂 敏明
早稲田大学理工学部
-
大坂 敏明
早稲田大学
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塚田 隆夫
東北大学大学院工学研究科
-
安廣 祥一
九大
-
安廣 祥一
九州大学機能物質科学研究所
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岡野 泰則
静大創科院
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山口 十六夫
静岡大学
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西澤 伸一
電総研
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西澤 伸一
早稲田大学理工学部
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渡辺 隆行
東工大総理工
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Dao Le
Inrs-energie Et Materiaux University Du Qubec
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岡野 泰則
工学部物質工学科
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岩本 光生
大分大学工学部
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DOST Sadik
カナダビクトリア大学機械工学科
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梅村 鎮基
静岡大学
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興津 和彦
豊田工業大学
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HASHIMOTO Nozomu
Central Research Institute of Electric Power Industry
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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梅村 鎮基
静岡大学工学部物質工学科
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石田 敦子
静大院
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高木 洋平
静大工
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酒井 奨
静岡大学大学院理工学研究科
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岡野 泰則
静大創
著作論文
- InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
- InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
- 濃度差マランゴニ対流に基づく多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化
- In-Sb系融液の均一分散・混合化実験(IML-2)の評価
- 熱工学
- GaSb/InSb/GaSbサンドイッチ構造試料溶融に及ぼす自然対流,マランゴニ対流の影響に関する数値解析
- 微小重力環境下(IML-2)におけるIn-GaSb-Sb融液混合実験
- 融液からの単結晶成長における輸送現象
- 1514 Zone-melting法を用いたSi/Ge結晶育成中の移動現象に関する数値解析(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(4),オーガナイズドセッション)
- 微小量カ下における化合物半導体融液内不純物拡散現象に及ぼす重力揺らぎの影響 : バルク成長III
- 電子材料用バルク単結晶作製時の移動現象
- 微小重力下と地上におけるGaSb/InSb/GaSb試料の溶解実験と数値解析