岡野 泰則 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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岡野 泰則
静岡大
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岡野 泰則
静岡大学
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熊川 征司
静岡大学 電子研
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岡野 泰則
静大創科院
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 宇宙環境利用科学研究系
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村上 倫章
静大電研
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
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宮澤 政文
静大工
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岡野 泰則
静大工
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BALAKRISHNAN K.
静岡大
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Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
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Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
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アリバナンドハン ムカンナン
静岡大学電子工学研究所
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K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
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Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
小松 秀樹
静岡大学電子工学研究所
-
村上 倫章
静岡大学電子工学研究所
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岡野 泰則
静岡大学工学部
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小松 秀輝
静岡大
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森井 久史
静岡大学電子工学研究所
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
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宮澤 政文
静岡大学工学部
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青木 徹
静岡大学・電子工学研究所
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柴田 尚弘
静岡大学電子工学研究所
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中村 徹郎
静岡大学電子工学研究所
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙環境利用科学研究系
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構
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ラジェッシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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水口 尚
琉球大学
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水口 尚
静大工
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平田 彰
早稲田大学理工学部
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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小松 秀輝
静岡大学電子工学研究所
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山田 哲生
静岡大学電子工学研究所
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Dost S.
カナダビクトリア大学機械工学科
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Dost S.
ビクトリア大
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Dost Sadik
Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria
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ラジェツシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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早川 泰弘
静大電子研
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熊川 征司
静大電子研
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森井 久史
静岡大学・電子工学研究所
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百瀬 与志美
静大電研
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木村 忠
静岡大学電子工学研究所
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所
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DAO Le
INRS-Energie et materiaux, University du Qubec
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今石 宣之
九大機能研
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今石 宣之
九州大学
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Dao Le
Inrs-energie Et Materiaux University Du Qubec
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木村 忠
静岡大
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新船 幸二
静岡大
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村上 倫章
静岡大
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早川 泰弘
静岡大
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熊川 征司
静岡大
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岡野 泰則
静岡大学創造科学技術大学院
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鈴木 崇之
静岡理工科大
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新船 幸二
静岡大学電子工学研究所
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岡野 義則
静岡大学工学部
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新船 幸二
早稲田大学理工学部
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早川 泰弘
静岡大学
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近藤 宏樹
静大・工
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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木村 忠
静岡大 電子工研
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山口 十六夫
静岡大学
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岡野 泰則
静大・工
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田中 昭
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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平田 邦紘
静大・院
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川口 幸真
静大・工
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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BALAKRISHNAN Krishnan
静岡大
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安達 広樹
静岡大
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RAJESH Govindasamy
静岡大学
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ARIVANANDHAN Mukannan
静岡大学
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田中 智之
静岡大学
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小山 忠信
静大電研
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熊川 征司
静大電研
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早川 泰弘
静大電研
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新船 幸二
静大電子研
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中村 徹郎
静岡大
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DOST S.
ビクトリヤ大
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DAO Le
ケベック大
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BALAKRISHNAN Krishnan
静岡大学電子工学研究所
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KRISHNAMURTHY Daivasigamani
静岡大学電子工学研究所
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DOST Sadic
University of Victoria
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BALAKRISHNAN K.
静大電子研
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DOST S.
ヴィクトリア大
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DAO LE.
ケベック大
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山口 十六夫
静大電子研
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干川 圭吾
信州大学教育学部
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平田 彰
早大理工
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小澤 哲夫
静岡工科大学
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干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
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黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
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鈴木 美穂子
静岡大学
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岡野 泰則
静大・創科院
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山口 十六夫
静大電研
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柴田 尚弘
静大電研
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木村 忠
静大電研
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榎本 祥一
静大工
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勝又 政光
静大工
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阿部 悟
静大工
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小松 秀樹
静大電研
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杉浦 裕樹
静大工
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小山 忠信
静岡大・電研
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DOST Sadik
カナダビクトリア大学機械工学科
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酒井 奨
信大教
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黄 新明
信大教
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干川 圭吾
信大教
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梅村 鎮基
静岡大学
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平田 邦紘
静大院
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水口 尚
静岡大
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水口 尚
静大院
-
水口 尚
静大・工
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鈴村 貴弘
静大院
-
近藤 宏樹
静大院
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川口 幸真
静大学
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酒井 奨
静大院
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干川 圭吾
信州大
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鈴村 貴弘
静岡大学
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平田 彰[他]
早稲田大学理工学部 応用化学科
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伴 貴彦
阪大基礎工
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岡野 泰則
阪大基礎工
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高木 洋平
阪大基礎工
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加地 大
阪大基礎工
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野村 吉貴
阪大基礎工
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Nakata Hiroki
Osaka University
-
Tani Kentaro
Osaka University
著作論文
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
- InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
- InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
- InGaSb半導体育成における重力の影響に関する数値解析
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- 609 フローティング・ゾーン融液内温度差・濃度差マランゴニ対流現象に関する数値解析(電子デバイス材料,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- GaSb/InSb/GaSbサンドイッチ構造試料溶融に及ぼす自然対流,マランゴニ対流の影響に関する数値解析
- 石英るつぼからシリコン融液に混入する酸素の動的挙動に関する数値解析 : バルク成長II
- 固体高分子形燃料電池内における移動現象に関する3次元数値解析
- A232 微小重力環境下における FZ 法を用いた Si/Ge 結晶成長に関する数値解析
- 343 FZ 法を用いた Si/Ge 結晶成長時の三次元マランゴニ対流現象に関する解析
- フルゾーン型フローティング・ゾーン内マランゴニ対流の三次元解析 : バルク結晶成長IV
- VGF法を用いたCdZTe結晶成長に関する数値解析 : バルク結晶成長IV
- 425 地上及び微小重力環境におけるCdZnTe結晶成長に関する数値解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 微小重力下での対流, 拡散現象に及ぼす重力揺らぎの影響
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 602 FZ法を用いたSi/Ge結晶成長時における融液内対流現象に関する数値解析(OS 機器設計に関する伝熱問題(その1))
- 28aPS-49 微粒子沈殿帯の動的なパターン形成とゲルの相分離構造との関係(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))