混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料を用いて、中国回収衛星による微小重力環境下実験と1G環境下における地上参照実を行った。また、溶液中の濃度分布を重力レベルの関数として数値解析した。1G下では結晶成長界面形状が重力方向に末広りとなり、重力偏析が起こるのに対して、微小重力下では成長界面形状は平行となり、半径方向の濃度分布は均一となった。また、X線透過法による半導体溶液の濃度分布測定により、低温側のGaSbが高温側のGaSbよりもInSb融液に溶解しやすいことが示された。これらの結果は、重力に起因した溶質対流が混晶半導体の溶解過程と成長過程に影響をもたらすことを示している。
2010-05-06

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