GaInSb混晶の均一組成バルク成長
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概要
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CZモードにより均一組成の大型混晶バルクの成長条件の検討を行い、これに基づいて溶質原料の供給下で成長を行う溶質供給CZ法によりGaInSbバルク成長実験を行った。本成長の溶液状態に安定なCZモード成長のための非平衡性と、組成均一化のための平衡性が要求されるため、溶液を小孔を持つ隔壁で区切り溶液間の溶質供給量制御を行うことで2つの溶液状態の共存を実現した。本成長系により成長温度691℃一定の下でInSb濃度3mol%で均一組成の良好なGaInSb混晶バルクを得た。次にここで得た混晶を種子結晶とし、成長温度672℃一定の下で成長を行うことにより、5mol%のInSb濃度を持つ直径17mmのGaInSb混晶バルクを18mmにわたって得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
田中 昭
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
-
渡辺 明佳
静岡大学電子工学研究所
-
勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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