漏れ液からのGaN結晶成長実験
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概要
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Ga溶媒への溶解度が極めて低いGaN結晶の液相成長技術を開発することを目的として、溶媒移動法の原理を漏れ液層に適用することを試みた。水平から30度傾けた石英ルツボの底に、窒化処理したサファイアC面基板を置き、その下半分が浸る量のGaを入れて900℃に加熱した。漏れ液を形成するためにルツボを毎分1回転させながら、Ga溶液表面上に窒素希釈のNH_3ガスを導入した。その結果、基板面上に多数の粒状GaN結晶が成長した。X線回析はこれらの結晶が全てC軸配向していることを示した。結晶粒は成長部の温度勾配を大きくするほど大きく、かつ多くなることが判り、液相成長の可能性が展望できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-11
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