田中 昭 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
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勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
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勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学
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天明 二郎
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
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中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
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鵜殿 治彦
静岡大学電子工学研究所
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橋本 佳孝
静岡大学電子工学研究所
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小澤 哲夫
静岡理工科大学
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 宇宙環境利用科学研究系
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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岡野 泰則
静岡大学電子工学研究所
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アリバナンドハン ムカンナン
静岡大学電子工学研究所
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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元垣内 敦司
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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森井 久史
静岡大学電子工学研究所
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所技術部
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章 国強
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学・電子工学研究所
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙環境利用科学研究系
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構
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ラジェッシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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田中 昭
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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章国 強
静岡大学電子工学研究所
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Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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清水 克美
静岡大学電子工学研究所
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尾関 芳孝
静岡大学電子工学研究所
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ラジェツシュ ゴビンダサミー
静岡大学電子工学研究所
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渡辺 明佳
静岡大学電子工学研究所
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斎藤 敏正
静岡大学電子工学研究所
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米山 剛
静岡大学電子工学研究所
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八木 光賢
静岡大学電子工学研究所
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金井 宏
静岡大学電子工学研究所
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小川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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森井 久史
静岡大学・電子工学研究所
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百瀬 与志美
静大電研
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百瀬 与志美
静岡大学電子工学研究所
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中村 篤志
静岡大学大学院・電子科学研究科
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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村上 隼也
静岡大学電子工学研究所
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村上 準也
静岡大学電子工学研究所
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梶 正憲
静岡大学大学院電子科学研究科
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梶 正憲
静岡大学電子工学研究所
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角辻 文康
静岡大学電子工学研究所
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角辻 文康
静岡大学電子工学研究所:新エネルギー・産業技術総合開発機構
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岡野 泰則
静岡大学創造科学技術大学院
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矢野 浩司
静岡大学電子科学研究科
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岡野 泰則
静岡大学
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早川 泰弘
静岡大学
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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木村 雅和
静岡大学地域共同センター
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天明 二郎
静岡大学大学院電子科学研究科
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金 昌佑
静岡大学電子工学研究所
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本山 慎一
(株)新日本無線
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助川 祐三
静岡大学電子工学研究所
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加藤 裕一
静岡大学電子工学研究所
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RAJESH Govindasamy
静岡大学
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ARIVANANDHAN Mukannan
静岡大学
-
田中 智之
静岡大学
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杉本 喜正
日本電気株式会社光エレクトロニクス研究所
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高橋 秀夫
静岡大電子工研
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小澤 哲夫
静岡工科大学
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杉本 喜正
静岡大学電子工学研究所
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水木 敏雄
静岡大学電子科学研究科
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平口 隆夫
富士通株式会社
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和泉 直生
静岡大学電子工学研究所
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渡邊 明佳
静岡大学電子工学研究所
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森田 寿夫
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
愛知技術短期大学
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斎藤 敏正
静岡大学大学院電子科学研究科
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辻本 富幸
静岡大学電子工学研究所
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杉本 喜正
物材機構・ナノテク融合セ
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水木 敏雄
シャープ株式会社
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勝野 広宣
静岡大 電子工研
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重盛 聡
静岡大学電子工学研究所
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勝野 宏宣
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 晃
静岡大学電子工学研究所
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神谷 俊幸
静岡大学大学院電子科学研究科
-
神谷 俊幸
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 数値解析によるMOSSITにおけるバックゲート領域効果の検討
- 遮へいゲートSIT : その特性と設計
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- pGaSb-nGa_1-xAl_xSbヘテロ接合フォトダイオード
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- 均一組成Ga_In_Sbバルク混晶の引き上げ成長 : 半導体液相成長I
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb混晶の多段引き上げ
- GaInSb混晶の均一組成バルク成長
- 29aA9 溶質供給下でのGaInSb混晶バルク成長(融液成長IV)
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長における成長モード
- リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
- 窒化ガリウム結晶の常圧下液相エピタキシャル成長
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 漏れ液からのGaN結晶成長実験
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- GaAs on GaP液相成長初期過程のその場観察
- Ga_In_Sb均一組成バルク混晶の引き上げ : 溶液成長
- 組成変換法によるGaP基板上へのGaN層の形成
- GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- 三元溶液からのGaInSbバルク混晶の成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- ZnCl_2を用いたZnSe LPE成長
- ヘテロLPE成長したGaP基板上GaAs層中の双晶発生の抑制
- 組成変換技術によるGaP基板上へのGaAsP混晶層の成長
- 29aA7 GaAs on GaP LPE成長層の熱処理によるGaAsP混晶への変換(融液成長IV)
- yo-yo溶質供給法を用いたGaAsの液相成長 : 半導体液相成長I
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- Si-LPE成長に及ぼす重力の影響 : 溶液成長
- 1)液相成長による(InGa)P-GaAsヘテロ接合の特性(第49回 テレビジョン電子装置研究会第7回 画像表示研究会 合同研究会)
- 4-2 Si添加GaAs NEA光電面
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
- LPE GaAs on GaPのAsPへの変換
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 29aA8 InP on GaP液相成長(融液成長IV)
- Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長
- yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長