鵜殿 治彦 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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鵜殿 治彦
静岡大学電子工学研究所
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
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助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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元垣内 敦司
静岡大学電子工学研究所
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勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
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助川 祐三
静岡大学電子工学研究所
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Dost S
Univ. Victoria B.c. Can
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Dost Sadik
Center For Advanced Materials And Related Technology And Department Of Mechanical Engineering Univer
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Qin Zhong
Center For Advanced Materials And Related Technology And Department Of Mechanical Engineering Univer
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勝野 宏宣
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- ヘテロLPE成長したGaP基板上GaAs層中の双晶発生の抑制
- 組成変換技術によるGaP基板上へのGaAsP混晶層の成長
- 29aA7 GaAs on GaP LPE成長層の熱処理によるGaAsP混晶への変換(融液成長IV)
- LPE法によるIII-V族化合物半導体混晶の成長および溶解に関するSolid-Liquid Diffusion Modelによる解析II : 組成変換法への応用
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
- LPE GaAs on GaPのAsPへの変換
- GaP基板上GaAs層のGaAsPへの組成変換