勝野 広宣 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
-
勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学
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木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
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菅 博文
浜松ホトニクス株式会社
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菅 博文
浜松ホトニクス 開発本部
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中村 勤
静岡大学電子工学研究所
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中村 勤
浜松テレビ株式会社
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中村 勤
浜松ホトニクス(株)電子営第2事業部 第26部門
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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萩野 実
静岡大学電子工学研究所
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斎藤 敏正
静岡大学電子工学研究所
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鵜殿 治彦
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
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尾関 芳孝
静岡大学電子工学研究所
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元垣内 敦司
静岡大学電子工学研究所
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小山 忠信
電子工学研究所技術部
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村上 隼也
静岡大学電子工学研究所
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村上 準也
静岡大学電子工学研究所
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梶 正憲
静岡大学大学院電子科学研究科
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菅 博文
静岡大学
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菅 博文
静岡大学電子工学研究所
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萩野 実
静岡大学 電子工学研究所
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小林 正義
新潟大学機器分析センター第4部門EPMA室
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田中 高紀
大阪大学産業科学研究所
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田中 昭
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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田中 昭
静大電子研
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田中 高紀
大阪大学産業科学研究所技術室
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木村 雅和
静大電子研
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勝野 廣宣
静大電子研
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助川 徳三
静大電子研
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梶 正憲
静岡大学電子工学研究所
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菅 博文
浜松テレビ株式会社
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荻野 実
静岡大学電子工学研究所
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小林 正義
新潟大学機器分析センターepma室
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金子 勝
静岡大学電子工学研究所
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菅 博文
浜松テレビkk
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助川 祐三
静岡大学電子工学研究所
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平野 貴章
静岡大学工学部共通化学講座
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高橋 秀夫
静岡大電子工研
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生駒 修治
静岡大学工学部共通講座
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青山 満
静岡大学電子工学研究所
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管 博文
静岡大学電子工学研究所
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渡辺 明佳
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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斎藤 敏正
静岡大学大学院電子科学研究科
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木村 雅和
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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勝野 広宣
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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田中 昭
Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University・Research Institute of Elec
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助川 徳三
Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University・Research Institute of Elec
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元垣内 敦司
静大電子研
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高橋 勲
静岡大学電子工学研究所技術部
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勝野 廣宣
電子工学研究所
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青山 満
静岡大学電子工学研究所技術部
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勝野 広宣
静岡大 電子工研
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相川 和則
静大電子研
著作論文
- 真珠研磨とSEM観察
- GaInSb混晶の均一組成バルク成長
- EPMA装置の性能比較
- GaP系NEA冷陰極
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長における成長モード
- 窒化ガリウム結晶の常圧下液相エピタキシャル成長
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 漏れ液からのGaN結晶成長実験
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上へのGaN層の形成
- 組成変換法によるGaInPおよびGaInAs混晶の成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶の液相成長
- GaP基板上へのGalnP混晶のLPE成長と計算機シミュレーション
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの成長
- In溶液からのCuGaSe_2バルク結晶の成長
- 7)NEAGaP冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- NEA GaP冷陰極(カソードの最近の進歩)
- 9)GaP系冷陰極のライフテスト(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- GaP系冷陰極のライフテスト
- 19)GaP系NEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 2-3 GaPによるNEA冷陰極
- 29aA7 GaAs on GaP LPE成長層の熱処理によるGaAsP混晶への変換(融液成長IV)
- 高圧ガスの法規と資格
- 1)液相成長による(InGa)P-GaAsヘテロ接合の特性(第49回 テレビジョン電子装置研究会第7回 画像表示研究会 合同研究会)
- 4-4 GaP NEA素子の寿命試験
- 4-3 温度差液相成長法によるNEA-GaP冷陰極素子
- EPMA装置の性能比較
- 技術部研修報告 : 浜松キャンパス
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- LPE GaAs on GaPのAsPへの変換
- 学生に実験装置を壊されないために
- 走査型電子顕微鏡(SEM)の修理
- CuGaSe_2結晶のIn溶液からの引上げ成長 : 半導体液相成長II
- 退職予定者の思い : 今後の技術部に期待する
- yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長