7)NEAGaP冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1979-10-01
著者
-
助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
萩野 実
静岡大学電子工学研究所
-
菅 博文
浜松ホトニクス株式会社
-
勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
-
勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
-
中村 勤
静岡大学電子工学研究所
-
中村 勤
浜松テレビ株式会社
-
菅 博文
静岡大学
-
助川 徳三
静岡大学
-
菅 博文
浜松ホトニクス 開発本部
-
萩野 実
静岡大学 電子工学研究所
-
中村 勤
浜松ホトニクス(株)電子営第2事業部 第26部門
関連論文
- 数値解析によるMOSSITにおけるバックゲート領域効果の検討
- 遮へいゲートSIT : その特性と設計
- 六方晶系グラファイト表面原子のSTM観察
- 電界イオン-走査型トンネル複合顕微鏡の製作とその性能
- NEA GaAs光電面に対する残留ガスの影響
- NEA-GaAs表面の昇温脱離法による解析
- 量子力学における汎関数法
- ZnSeのMBE成長機構
- カリウム添加Ag-O-Cs光電面の研究
- RHEED強度振動測定装置の開発
- 分子線エピタキシ法によるGaAs_xP_1-x混晶成長の組成比制御
- GaAs表面超構造のMBE成長条件依存性による実効的As/Ga比の決定
- MBE成長ヘテロエピタキシャル層格子歪の評価
- GaAs/GaP, GaP/GaAsヘテロ接合における成長層の格子歪 : エピタキシー
- 半導体表面に吸着したアルカリ金属の状態と光電面の大出力マイクロ波発生装置への応用
- pGaSb-nGa_1-xAl_xSbヘテロ接合フォトダイオード
- 分子線エピタキシャル成長した半導体表面観察用STM装置
- 制御電子回路の雑音除去による走査トンネル顕微鏡の画質改善
- アルコキシド法により作成したPZT圧電アクチュエータ
- 真珠研磨とSEM観察
- 均一組成Ga_In_Sbバルク混晶の引き上げ成長 : 半導体液相成長I
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb混晶の多段引き上げ
- GaInSb混晶の均一組成バルク成長
- 29aA9 溶質供給下でのGaInSb混晶バルク成長(融液成長IV)
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb均一組成バルク混晶の成長
- EPMA装置の性能比較
- GaP系NEA冷陰極
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長における成長モード
- 窒化ガリウム結晶の常圧下液相エピタキシャル成長
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 漏れ液からのGaN結晶成長実験
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- Ga_In_Sb均一組成バルク混晶の引き上げ : 溶液成長
- 分析機器に関する学内研修の実施
- Cs-Sb光電面内の欠陷とCs圧との熱平衡
- 3-6 Sb-K-Cs光電陰極の試作
- 組成変換法によるGaP基板上へのGaN層の形成
- GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- 組成変換法によるGaInPおよびGaInAs混晶の成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶の液相成長
- 三元溶液からのGaInSbバルク混晶の成長
- GaP基板上へのGalnP混晶のLPE成長と計算機シミュレーション
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- ZnCl_2を用いたZnSe LPE成長
- ヘテロLPE成長したGaP基板上GaAs層中の双晶発生の抑制
- 組成変換技術によるGaP基板上へのGaAsP混晶層の成長
- 高安定長寿命のNEA GaP-GaAlP冷陰極
- 7)NEAGaP冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- NEA GaP冷陰極(カソードの最近の進歩)
- 9)GaP系冷陰極のライフテスト(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- GaP系冷陰極のライフテスト
- 19)GaP系NEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 2-3 GaPによるNEA冷陰極
- yo-yo溶質供給法を用いたGaAsの液相成長 : 半導体液相成長I
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- Si-LPE成長に及ぼす重力の影響 : 溶液成長
- 第29回結晶成長国内会議および第24回結晶成長討論会報告
- 1)NEA冷陰極の放出電子密度分布(テレビジョン電子装置研究会(第87回)画像表示研究会(第46回))
- NEA冷陰極の放出電子密度分布
- アルコキシド法により合成したチタン酸鉛超微粒子の焼成過程
- 1)液相成長による(InGa)P-GaAsヘテロ接合の特性(第49回 テレビジョン電子装置研究会第7回 画像表示研究会 合同研究会)
- 4-2 Si添加GaAs NEA光電面
- LPE成長InGaP-GaAlPヘテロ接合とNEA冷陰極への応用
- 温度差液相エピタキシャル法によるGaP p-n接合の成長
- 4-4 GaP NEA素子の寿命試験
- 4-3 温度差液相成長法によるNEA-GaP冷陰極素子
- ネサベースCs-Sb光電陰極
- 3-6 分子線エピタキシー法によるNEA透過型光電子放出素子
- 分子線源の設計条件について : マルチホールオリフィス分子線源の試作
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
- LPE GaAs on GaPのAsPへの変換
- GaAs/GaP(001)における成長モード遷移
- (NH_4)_2S_x処理したGaAs表面の昇温脱離法による評価
- Hartley変換を用いたSTM画像処理
- マルチホールドプラグ分子線源
- GaP (100) 表面上の吸着Cs及びCs-Oの熱脱離特性
- 3-2 CsI透過形二次電子面(第二報)
- Csで活性化したCsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面(第2報)
- 2)CsI透過形二次電子面(第11回テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1)GaAsからの光電子放出(第15回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- CsI透過形二次電子面(第1報)
- 29aA8 InP on GaP液相成長(融液成長IV)
- NEAGaP表面からの放出光電子のエネルギー分布
- MBE法によるGaP基板上のGaAs成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)