GaAs/GaP(001)における成長モード遷移
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概要
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本論文は,基板と成長層間の格子不整合によって生じる,レイヤー・バイ・レイヤーの2次元的成長モードから3次元的島成長への成長モード遷移の機構について論じる.GaP(001)基板上にGaAsを分子線エピタキシ法によって成長し,反射高速電子線回折(RHEED)像の画像解析によって島形成と格子歪緩和過程を調べた.成長モード遷移の臨界膜厚は,成長速度によって変化することを示した.また,RHEED像の強度プロファイルから,成長を停止した後においても層から島への成長膜構造の変化と格子歪の緩和が起こっていることを明らかにした.これらの結果は,カイネティクスの制限によってGaAs膜が準安定な構造にあることを示している.これに基づいて,ヘテロ成長表面における層成長および島形成過程を考え,これらの過程の競合によって成長速度依存性を説明した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-20
著者
-
野村 卓志
静岡大学電子工学研究所
-
萩野 実
静岡大学電子工学研究所
-
萩野 實
静岡大学電子工学研究所
-
石川 賢司
静岡大学電子工学研究所
-
野村 卓志
Department Of Advanced Materials Science Faculty Of Engineering Kagawa University
-
吉川 昌宏
静岡大学大学院電子科学研究科
-
吉川 昌宏
静岡大学電子工学研究所
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