萩野 実 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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萩野 実
静岡大学電子工学研究所
-
宮尾 正大
静大電子研
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野村 卓志
静岡大学電子工学研究所
-
宮尾 正大
静岡大
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宮尾 正大
静岡大学電子工学研究所
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西田 亮三
静岡大学電子工学研究所
-
萩野 実
静岡大学 電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
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勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
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中村 勤
静岡大学電子工学研究所
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中村 勤
浜松テレビ株式会社
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中村 勤
浜松ホトニクス(株)電子営第2事業部 第26部門
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菅 博文
浜松ホトニクス株式会社
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吉崎 節哉
静岡大学 電子工学研究所
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和田 達明
静岡大学大学院電子科学研究科
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菅 博文
浜松ホトニクス 開発本部
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矢後 栄郎
静岡大学大学院電子科学研究科
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高橋 正
東北大学電気通信研究所
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宮尾 正大
仙台電波高等専門学校
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菅 博文
静岡大学
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助川 徳三
静岡大学
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助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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山口 豪
静大工、物性研
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山口 豪
静大工:プリンストン大学
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永井 俊光
静岡大学電子工学研究所
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萩野 實
静岡大学電子工学研究所
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知念 幸勇
東芝
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高橋 正
東北大 電気通信研究所
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山口 豪
静岡大学工学部
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佐々木 彰
静岡大学工学部
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西野 直也
富士電気化学株式会社
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福岡 修一
富士電気化学株式会社
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山内 一朗
日本電装(株)
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山口 豪
静岡大 工
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西野 直也
富士電気化学
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岡田 長也
静岡大学大学院電子科学研究科
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石川 賢司
静岡大学電子工学研究所
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高橋 正
東北大通研
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萩野 実
東北大学電気通信研究所
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新垣 実
静岡大学電子工学研究所
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木下 正雄
静岡大学電子工学研究所
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西田 亮三
静岡大学
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野村 卓志
Department Of Advanced Materials Science Faculty Of Engineering Kagawa University
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吉崎 節哉
芝電気株式会社
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八百 隆文
東北大金研
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菊池 浩昌
静岡大学電子工学研究所
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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矢後 栄郎
静岡大学電子科学研究科
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前田 裕司
旭硝子株式会社
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粟野 春之
静岡大学電子工学研究所
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木原 征夫
富士電気化学株式会社
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管 博文
静岡大学電子工学研究所
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川原 杲
日本電気株式会社
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萩野 実
静岡電子工学研究所
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和田 達明
茨城大学工学部電気電子工学科
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宮尾 正大
静岡大学大学院電子工学研究所
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萩野 実
静岡大学大学院電子工学研究所
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朱 自強
静岡大学大学院電子科学研究科
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八百 隆文
通産省工業技術院電子技術総合研究所
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山下 正芳
ヤマハ(株)
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宮尾 正大
仙台電波工業高等専門学校
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菅 博文
静岡大学電子工学研究所
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竹内 登志男
仙台電波高専
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高橋 正
仙台電波高専
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木下 正雄
浜松テレビ
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杉山 優
静岡大学電子工学研究所
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竹内 登志男
東北大学電気通信研究所
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知念 幸勇
静岡大学電子工学研究所
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知念 幸勇
静岡大学大学院電子科学研究科
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鈴木 智行
ソニー株式会社
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大澤 永
静岡大電子研
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和田 達明
茨城大学工学部
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吉川 昌宏
静岡大学大学院電子科学研究科
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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吉川 昌宏
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 智行
静岡大学電子工学研究所
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西田 亮三
静岡大学 電子工学研究所
-
角田 建男
静岡大学
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朱 自強
東北大学金属材料研究所
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川口 泰彦
静岡大学電子工学研究所
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町屋 周宏
静岡大学電子工学研究所
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菊地 昌浩
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- 六方晶系グラファイト表面原子のSTM観察
- 電界イオン-走査型トンネル複合顕微鏡の製作とその性能
- NEA GaAs光電面に対する残留ガスの影響
- NEA-GaAs表面の昇温脱離法による解析
- 量子力学における汎関数法
- ZnSeのMBE成長機構
- カリウム添加Ag-O-Cs光電面の研究
- RHEED強度振動測定装置の開発
- 分子線エピタキシ法によるGaAs_xP_1-x混晶成長の組成比制御
- GaAs表面超構造のMBE成長条件依存性による実効的As/Ga比の決定
- MBE成長ヘテロエピタキシャル層格子歪の評価
- GaAs/GaP, GaP/GaAsヘテロ接合における成長層の格子歪 : エピタキシー
- 半導体表面に吸着したアルカリ金属の状態と光電面の大出力マイクロ波発生装置への応用
- 分子線エピタキシャル成長した半導体表面観察用STM装置
- 制御電子回路の雑音除去による走査トンネル顕微鏡の画質改善
- アルコキシド法により作成したPZT圧電アクチュエータ
- GaP系NEA冷陰極
- Cs-Sb光電面内の欠陷とCs圧との熱平衡
- 3-6 Sb-K-Cs光電陰極の試作
- 7)NEAGaP冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- 9)GaP系冷陰極のライフテスト(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- 19)GaP系NEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 2-3 GaPによるNEA冷陰極
- アルコキシド法により合成したチタン酸鉛超微粒子の焼成過程
- ネサベースCs-Sb光電陰極
- 3-6 分子線エピタキシー法によるNEA透過型光電子放出素子
- 分子線源の設計条件について : マルチホールオリフィス分子線源の試作
- GaAs/GaP(001)における成長モード遷移
- (NH_4)_2S_x処理したGaAs表面の昇温脱離法による評価
- Hartley変換を用いたSTM画像処理
- マルチホールドプラグ分子線源
- GaP (100) 表面上の吸着Cs及びCs-Oの熱脱離特性
- 3-2 CsI透過形二次電子面(第二報)
- Csで活性化したCsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面(第2報)
- 2)CsI透過形二次電子面(第11回テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1)GaAsからの光電子放出(第15回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- CsI透過形二次電子面(第1報)
- NEAGaP表面からの放出光電子のエネルギー分布
- MBE法によるGaP基板上のGaAs成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)