宮尾 正大 | 静岡大
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概要
関連著者
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宮尾 正大
静大電子研
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宮尾 正大
静岡大
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萩野 実
静岡大学電子工学研究所
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野村 卓志
静岡大学電子工学研究所
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菊池 浩昌
静岡大学電子工学研究所
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永井 俊光
静岡大学電子工学研究所
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宮尾 正大
静岡大学電子工学研究所
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和田 達明
静岡大学大学院電子科学研究科
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宮尾 正大
仙台電波高等専門学校
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逢坂 雄美
仙台電波工業高等専門学校
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山内 一朗
日本電装(株)
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加藤 義章
阪大レーザー研究センター
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中野 昇
東大物性研
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吉岡 正和
東大核研
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武藤 正文
東大核研
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設楽 哲夫
KEK-PF
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設楽 哲夫
Kek
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黒田 寛人
東大物性研
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八百 隆文
東北大金研
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山口 豪
静大工、物性研
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山口 豪
静大工:プリンストン大学
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佐藤 勇
高工研
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西村 弘志
東大物性研
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萩野 實
静岡大学電子工学研究所
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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高田 耕治
Kek
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高田 耕治
高エネルギー加速器研究機構
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高田 耕治
高エネルギー物理学研究所
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山口 豪
静岡大学工学部
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佐々木 彰
静岡大学工学部
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西野 直也
富士電気化学株式会社
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福岡 修一
富士電気化学株式会社
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菊池 浩昌
日本電気
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永井 俊光
浜松ホトニクス
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前田 裕司
旭硝子株式会社
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佐藤 勇
KEK
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福島 靖孝
KEK
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新竹 積
KEK
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松本 治
KEK
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竹田 誠之
阪大産研
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粟野 春之
静岡大学電子工学研究所
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山口 豪
静岡大 工
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西野 直也
富士電気化学
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萩野 実
静岡電子工学研究所
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和田 達明
茨城大学工学部電気電子工学科
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宮尾 正大
静岡大学大学院電子工学研究所
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萩野 実
静岡大学大学院電子工学研究所
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朱 自強
静岡大学大学院電子科学研究科
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八百 隆文
通産省工業技術院電子技術総合研究所
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山下 正芳
ヤマハ(株)
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宮尾 正大
仙台電波工業高等専門学校
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太田 正志
浜松フォトニクス株式会社
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和田 達明
茨城大学工学部
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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朱 自強
東北大学金属材料研究所
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石上 好彦
ソニー株式会社
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吉岡 正和
東大原子核研
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加藤 義章
阪大レーザー研
著作論文
- 電界イオン-走査型トンネル複合顕微鏡の製作とその性能
- インタ-ネットとパ-リテキストの活用
- 中期インド・アリアン聖典の計算機解析-11-韻律解析の全体像と韻律の分類表示について
- NEA GaAs光電面に対する残留ガスの影響
- NEA-GaAs表面の昇温脱離法による解析
- 量子力学における汎関数法
- ZnSeのMBE成長機構
- カリウム添加Ag-O-Cs光電面の研究
- RHEED強度振動測定装置の開発
- 分子線エピタキシ法によるGaAs_xP_1-x混晶成長の組成比制御
- GaAs表面超構造のMBE成長条件依存性による実効的As/Ga比の決定
- MBE成長ヘテロエピタキシャル層格子歪の評価
- GaAs/GaP, GaP/GaAsヘテロ接合における成長層の格子歪 : エピタキシー
- 半導体表面に吸着したアルカリ金属の状態と光電面の大出力マイクロ波発生装置への応用
- MBE成長GaAs/GaP,GaP/GaAsヘテロ接合の格子歪
- マルチホール分子線源
- MBE法によるGaP基板上のGaAs成長
- 最近のMBEとその応用
- 2a-BB-3 レーザーとフォトカソードを用いた新マイクロ波源「レーザートロン」
- MBE法によるInGaAs混晶の成長