八百 隆文 | 東北大学金属材料研究所
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概要
関連著者
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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八百 隆文
東北大金研
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吉村 雅満
豊田工業大学ナノハイテクリサーチセンター
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植杉 克弘
北海道大学電子科学研究所
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植杉 克弘
北大 電子科研
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吉村 雅満
広大工
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八百 隆文
広大工
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佐藤 智重
日本電子
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末吉 孝
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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吉村 雅満
広島大学工学部
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末吉 孝
JEOL
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高岡 克也
広大工
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朱 自強
東北大学金属材料研究所
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後藤 武生
東北大理
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花田 貴
東北大金研
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八百 隆文
JASRI
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山本 愛士
奈良先端大物質
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滝口 隆晴
広島大学工学部
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植杉 克弘
広大工
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八百 隆文
広島大学工学部
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八百 隆文
東北大学際セ
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牧野 久雄
東北大学金属材料研究所
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牧野 久雄
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
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佐藤 智重
日本電子(株)
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後藤 武生
東北大 大学院
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花田 貴
東北大学金属材料研究所
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山本 愛士
東北大学大学院理学研究科
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後藤 武生
東北大学大学院理学研究科
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八百 隆文
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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石田 明広
静岡大学工学部
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八百 隆文
東北大学学際科学国際高等研究センター
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菅 博文
浜松ホトニクス
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石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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井上 翼
工学部電気電子工学科
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井上 翼
静岡大学工学部電気工学科
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藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
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藤安 洋
静岡大学工学部
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長澤 仁也
静岡大学工学部
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高 恒柱
東北大金研
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高 恒柱
東北大学金属材料研究所
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新井 健太
東北大学金属材料研究所
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宮島 顕祐
東北大学大学院理学研究科
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藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
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井上 翼
静岡大学工学部
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宮島 顕祐
阪大院基礎工:科学技術振興機構さきがけ
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上野 聡
広島大学大学院生物圏科学研究科
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上野 聡
広大生物生産
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宮尾 正大
静大電子研
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大坂 之雄
広大工
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粕谷 厚生
学際セ
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野村 卓志
静岡大学電子工学研究所
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宮尾 正大
静岡大学電子工学研究所
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萩野 実
静岡大学電子工学研究所
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小村 琢治
広島大学工学部
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植杉 克弘
広島大工
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吉村 雅満
広島大工
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八百 隆文
広島大工
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滝口 隆晴
広大工
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植杉 克弘
広島大学工学部
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小村 琢治
Jrcat-nair
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粕谷 厚生
東北大学学際科学研究センター
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猪澤 道能
広大工
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福士 仁文
東北大学金属材料研究所
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粕谷 厚生
東北大学学際科学国際高等研究センター
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瀧口 宏志
広大生物生産
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八瀬 清志
通産省工技院物質工研
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佐藤 清隆
広大生物生産
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戸塚 洋史
東北大金研
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木戸 健夫
東北大理
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Cho M.W.
東北大学金属材料研究所
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桧山 善人
弘前大学理工学部
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具 本欣
東北大学金属材料研究所
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真下 正夫
弘前大学理工学部
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井上 誠司
広大工
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川見 浩
広大工
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朱 自強
静岡大学大学院電子科学研究科
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八百 隆文
通産省工業技術院電子技術総合研究所
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高 恒桂
東北大学金属材料研究所
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木戸 健夫
東北大学大学院理学研究科
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Chen Y.F
東北大学金属材料研究所
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CHEN Y.F
東北大金研
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ハ瀬 清志
産業技術総合研究所光技術研究部門
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富家 英登
東北大学金属材料研究所
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戎谷 崇
広島大学工学部
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宮尾 正大
静岡大
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クルツ 絵里
東北大学金属材料研究所
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新井 健太
東北大学大学院工学研究科
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阿部 忠由
広島大・工
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竹林 和久
広島大・工
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朱 自強
広島大・工
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八百 隆文
広島大・工
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大塚 武夫
広島大学工学部
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川又 淳二
広島大学工学部
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朱 自強
広島大学工学部
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瀧口 宏志
セイコーエプソン
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Cho M.
東北大学金属材料研究所
著作論文
- ZnSeのMBE成長機構
- STMによるSi(111)へのAlCl^3分子の吸着プロセスの観察と反応表面での原子・分子操作
- 走査トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程の観察
- 29p-P-3 熱アニールによるシリコン表面欠陥回復過程の高温STM"その場"観察
- アルゴンイオンスパッタSi(001)固相エピタキシ過程のSTMによるその場観察 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- STMによるSi表面へのAlCl_3吸着過程の観察と反応表面での原子・分子操作
- 15a-DJ-12 STMによるAlCl_3吸着Si(111)表面の観察
- 12a-DK-4 Si(100)表面欠陥の高温STM観察
- 13a-Y-9 Si(100)固相エピタキシ過程のSTM観察
- 27pC3 アルゴンスパッタ非晶質Si膜の固相エピタキシ過程のSTM観察(気相成長III)
- STMによるシリコン表面の構造評価 (電子材料高度評価技術)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- CH_4/H_2 系 RIE によるZnSe 系化合物半導体の量子構造作製と光学的物性評価
- 気相成長による脂質長鎖分子蒸着薄膜のAFM観察 : 有機結晶(一般)II
- 28pPSB-4 InAs/GaAs (001) 自己形成ドットのサイズ均一化の機構
- ZnOエピタキシーの最近の進展
- II-VI族化合物半導体の分子線エピタキシー薄膜 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- MBEによるInGaAs成長中のIn再蒸発
- 原子価不整合のあるII-VI/III-V界面の形成
- 23pN-14 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子分子の発光II
- 15a-DH-12 シリコン上へのAlの整合吸着相のSTM観察
- 14p-DH-5 MoS_2表面のSTM/STS
- SK4 Si(111)面上のAlの吸着構造のSTM観察
- 25p-Y-8 STMによるAl/Si(111)超構造の観察 (II)
- 25p-Y-7 STMによるAl/Si(111)超構造の観察 (I)
- AlAs/GaAs超格子の熱物性 (超格子素子基礎技術) -- (超格子の構造と特性評価)
- 26pYC-3 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子分子の発光
- 31p-ZG-7 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光II
- II-VI族半導体量子ドット
- 27pC4 p-CdSeの作製と評価(気相成長III)
- 27pC15 TEGa・TBAsを用いたGaAsのGS-MBE成長(気相成長IV)
- SCaM/AFM/STM複合顕微鏡による半導体電気特性ナノレベル評価
- 半導体量子ドットの自然形成とその評価法
- Si(100)ステップの局所構造と電子状態
- STMでみる固相エピタキシープロセス