八百 隆文 | 広島大工
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概要
関連著者
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八百 隆文
広島大工
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八百 隆文
電総研
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前川 稠
電総研
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稲垣 勝哉
電総研
-
谷野 浩史
電総研
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高橋 和宏
電総研
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牧田 雄之助
電総研
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舛本 泰章
筑波大物理
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徳本 圓
電総研
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菅原 冬彦
電総研
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江尻 有郷
東大教養
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山内 睦子
電総研
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江良 皓
無機材研
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南 不二雄
無機材研
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平田 和美
無機材研
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平野 正浩
電総研
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徳本 洋志
電総研
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舛本 泰章
筑波大 数理
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高橋 晴夫
東教大光研
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高橋 晴夫
筑波大
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舛本 泰章
筑波大
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阪東 寛
電総研
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大柳 宏之
電総研
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松下 正
高エ研
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松下 正
Kek-pf
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松下 正
Kek
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石黒 武彦
京大理:crest(科技団)
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石黒 武彦
電総研
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梶村 皓二
電総研
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坂本 邦博
電総研
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坂本 統徳
電総研
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岡田 安正
電総研
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植杉 克弘
北海道大学電子科学研究所
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大串 秀世
電総研
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松井 進
東理工・理工
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吉村 雅満
豊田工業大学ナノハイテクリサーチセンター
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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植杉 克弘
広島大工
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吉村 雅満
広島大工
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平木 昭夫
阪大工
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伊藤 利道
阪大工
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黒須 楯生
東海大
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田口 常正
阪大・工
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小貫 英雄
電総研
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天野 茂樹
東海大工
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黒須 楯生
東海大工
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飯田 昌盛
東海大工
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梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
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徳本 洋志
Jrcat-nair
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関 哲也
セイコーエプソン
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田島 道夫
光共研
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田島 道夫
電総研:宇宙研
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徳丸 洋三
電総研
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八百 隆文
電子技術総合研究所
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松井 進
東理大
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田口 常正
阪大工
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小貫 秀雄
電総研
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植杉 克弘
北大 電子科研
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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黒須 楯生
東海大 情報理工
著作論文
- 28p-E-8 GaAs/AlAs 短周期超格子の時間分解分光
- 28a-E-9 MBE ZnSeの励起子系のUVピコ秒分光
- 29p-P-3 熱アニールによるシリコン表面欠陥回復過程の高温STM"その場"観察
- 28p-QA-14 金属錯体の超構造II : 混晶系の光物性
- 3a-S4-9 選択配位エピタキシー法による金属錯体の人工積層構造の作成
- 金属錯体の人工格子材料実現に向けて--遷移金属錯体の選択配位エピタキシ-
- 28p-QA-13 金属錯体の超構造I : 選択配位エピタキシー法
- 遷移金属配位化合物の選択配位エピタキシャル成長とその展望
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
- 3a-F-11 ZnS-ZnTe超格子の電子分光
- 14p-L-2 分子線エピタキシァル成長したZnSeの真性点欠陥とその生成機構
- 6p-J-9 多面金属の極紫外吸収(II)GaのM_吸収
- 7a-Q-11 多価金属の極紫外吸収(I) : Bi及びPbのO_吸収
- 2p-R-7 n-InSbの低温電子比熱
- 14a-W-5 n-InSbのエネルギー緩和
- 23a-G-13 n-InSbのエネルギー緩和II
- 6p-M-10 CdSの高電場移動度
- 2-6族化合物の原子層エピタキシ-
- 6p-M-4 n-InSbのエネルギー緩和
- 10a-Q-3 Field Enhanced Dissociation of Excitons in n-Ge
- 分子線エピタキシ(MBE)による電子材料の作成とテバイスへの応用 (半導体と電子材料の中期展望) -- (薄膜技術)
- RHEEDによるヘテロ界面での格子歪緩和の動的観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- X線2結晶法によるGaAs(001)表面の評価
- MBEの安全化に関する調査
- 12p-H-1 nonstationary electric conduction in n-Ge
- 5p-H-4 大きな超音波ポテンシャル下の電子の運動
- 7a-F-10 超音波とSuper Lattice
- 7a-F-9 高電界下の量子伝導現象