徳本 洋志 | Jrcat-nair
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概要
関連著者
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徳本 洋志
Jrcat-nair
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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徳本 洋志
電総研
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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徳本 洋志
Jrcat
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清水 哲夫
独立行政法人産業技術総合研究所
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徳本 洋志
独立行政法人産業技術総合研究所
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阪東 寛
産総研
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梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
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阪東 寛
産業技術総合研
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森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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水谷 亘
JRCAT-NAIR
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徳本 洋志
電子技術総合研究所
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Tokumoto Hiroshi
Elecltrotechnical Laboratory
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Tokumoto Hiroshi
Joint Research Center For Atom Technology (jrcat)
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阪東 寛
電総研
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梶村 皓二
電総研
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徳本 洋志
北大電子研
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清水 哲夫
JRCAT-融合研
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徳本 洋志
JRCAT-融合研
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三木 一司
電子技術総合研究所
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小野 雅敏
電子技術総合研究所
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脇山 茂
セイコー電子工業
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蓮沼 隆
JRCAT-ATP
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脇山 茂
セイコー電子工業(株)科学機器事業部技術ー部技術 2g
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近藤 康
アトムテクノロジー研究体(jrcat)-オングストロームテクノロジー研究機構
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新堀 俊一郎
株式会社三友製作所
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白山 裕也
株式会社三友製作所
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横須賀 俊太郎
株式会社三友製作所
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樫村 健太
株式会社三友製作所
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内藤 泰久
独立行政法人産業技術総合研究所
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
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清水 哲夫
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
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小野 雅敏
電総研
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小野 雅敏
電総研極限技術部
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岡山 重夫
電子技術総合研究所
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水谷 亘
Jrcat : 融合研 電総研
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岡山 重夫
工業技術院電子技術総合研究所
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小野 雅敏
電子技術総合研究所極限技術部
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森田 行則
JRCAT-NAIR
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米田 忠弘
東北大多元研:crest-jst
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高橋 賢
独立行政法人通信総合研究所
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米田 忠弘
東北大学多元物質科学研究所
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村上 寛
産総研
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阪東 寛
電子技術総合研究所
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杉原 和佳
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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中川 格
電総研
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渡辺 真二
小坂研究所
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木下 信盛
電総研
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村上 寛
電子技術総合研究所
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酒井 明
京都大学工学部付属メゾ材料研究センター
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金 珠泰
JRCAT-ATP
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安藤 淳
電総研
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大井 明彦
JRCAT-ATP
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岩槻 正志
日本電子
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水谷 亘
電総研
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渡辺 和俊
セイコー電子工業
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黒須 楯生
東海大
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柏谷 聡
電総研
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本間 昭彦
セイコー電子工業
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谷野 浩史
電総研
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天野 茂樹
東海大工
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黒須 楯生
東海大工
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飯田 昌盛
東海大工
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岡野 真
電子技術総合研究所
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梶村 皓二
電子技術総合研究所
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太田 公廣
電総研
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小林 好行
小坂研究所
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赤間 善昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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岡野 真
電総研
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杉原 和佳
(株)東芝
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太田 公廣
電総研デバイス機能研
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安藤 淳
愛媛大理
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天草 貴昭
日本電子(株)
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崔 奈美
JRCAT
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向田 広巳
JRCAT-ATP
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米田 忠弘
JRCAT-ATP
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石田 敬雄
JRCAT-NAIR
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黒須 楯生
東海大 情報理工
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赤間 善昭
(株)東芝生産技術研究所
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堀江 智之
独立行政法人産業技術総合研究所
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岩瀬 千克
株式会社三友製作所
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林 明宏
株式会社三友製作所
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高橋 賢
独立行政法人産業技術総合研究所
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酒井 明
京都大学工学研究科附属メゾ材料研究センター
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甲田 壽男
産総研
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村田 恵三
阪市大院理
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西川 治
金沢工大
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林 豊
ソニー
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岡 邦彦
電総研
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安西 弘行
電総研
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村田 恵三
電総研
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徳本 圓
電総研
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鵜木 博海
電総研
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田中 国義
(株)東芝研究開発センター
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田中 国義
(株)東芝 基礎研
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小木曽 久人
産総研
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松畑 洋文
電総研
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遠藤 和弘
電総研
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清水 哲夫
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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八百 隆文
電総研
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西岡 泰城
日本大学理工学部
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松浦 彰
(株)東芝研究開発センター
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大串 秀世
電総研
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松田 哲朗
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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中西 久幸
東理大理工
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菅 洋志
産業技術総合研究所
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大野 輝昭
テクネックス工房
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田中 深幸
産業技術総合研究所
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徳本 洋志
北海道大学電子科学研究所ナノテクノロジー研究センター
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川上 辰男
株式会社三友製作所
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綿谷 透
独立行政法人産業技術総合研究所
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清水 哲夫
電総研
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森田 行則
融合研
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徳本 洋志
融合研
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繁野 雅次
セイコー電子工業(株)
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井上 明
セイコー電子工業(株)
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梶村 晧二
電総研
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中川 善嗣
東レリサーチ
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八百 隆文
広島大工
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渡邉 将史
金沢工業大学工学部
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秋葉 宇一
東京工業大学生命理工学部
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藤平 正道
東京工業大学大学院生命理工学研究科
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田中 将元
新日銭第一技研
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中静 恒夫
新日銭第一技研
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森田 直威
東レリサーチ
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山崎 修一
新日銭第一技研
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藤掛 秀樹
東理大理工
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川浪 仁志
電総研
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林 豊
電総研
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安西 引行
電総研
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梶村 職二
電総研
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水谷 亘
電子技術総合研究所
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脇山 茂
セイコ・電子工業
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宮田 千加良
セイコ・電子工業
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繁野 雅次
セイコ・電子工業
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本間 昭彦
セイコ・電子工業
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渡辺 和俊
セイコ・電子工業
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坂井 文樹
セイコ・電子工業
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中川 春樹
小坂研究所
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松本 文雄
小坂研究所
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徳本 洋志
北海道大学電子科学研究所附属ナノテクノロジー研究センター
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坂井 文樹
セイコー電子工業(株)
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光武 邦寛
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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庄田 尚弘
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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加藤 芳秀
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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山崎 修一
新日鐵第一技研
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小木曽 久人
産業技術総合研究所
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豊崎 正男
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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塚田 志郎
(株)東芝研究開発センター
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岩槻 正志
日本電子(株)
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安藤 和徳
セイコー電子工業
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鵜木 博海
産総研
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鵜木 博海
電子技術総合研究所
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小木曽 久人
(独)産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門集積加工研究グループ
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小木曽 久人
Jrcat-nair
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山本 滋
金沢工大
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中村 雅一
アトムテクノロジー研究体(jrcat)オングストロームテクノロジ研究機構:(現)(株)東レリサーチセンター 表面科学研究部
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中川 善嗣
東レリサーチセンター
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中川 善嗣
(株)東レリサーチセンター 表面科学研究部
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藤平 正道
東工大生命理工
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天草 貴昭
日本電子
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徳本 洋志
産業技術融合領域研究所
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近藤 康
JRCAT-ATP
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柴田 信正
日本電子(株)
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千葉 聡
日本電子(株)
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柳生 貴也
金沢工大
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渡邉 将史
金沢工大
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米田 忠弘
Tesxas Instruments
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蓮沼 隆
アトムテクノロジー研究体
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佐藤 治道
機械研
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山中 一司
機械研
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甲田 壽男
機械研
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畔原 宏明
東工大生命理工
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畔原 宏明
東京工業大学生命理工学部
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大野 公隆
アトムテクノロジー研究体, オングストロームテクノロジ研究機構
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NAGAHARA Larry
アトムテクノロジー研究体, オングストロームテクノロジ研究機構
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果 尚志
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
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水谷 亘
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
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本松 誠
JRCAT-ATP
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大野 公隆
アトムテクノロジー研究体 オングストロームテクノロジ研究機構
-
柳生 貴也
金沢工業大学工学部
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徳本 洋志
北海道大学電子科学研究所
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井上 明
セイコー電子工業
-
藤平 正道
東京工業大学生命理工学部生体分子工学科
-
Nagahara Larry
アトムテクノロジー研究体 オングストロームテクノロジ研究機構
-
佐藤 治道
産業技術総合研究所
-
果 尚志
アトムテクノロジー研究体 産業技術融合領域研究所
-
西川 治
金沢工業大学工学部
-
繁野 雅次
セイコー電子工業株式会社
-
藤平 正道
東京工業大学・工学部生体分子工学科
著作論文
- 小型走査電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電子銃の安定性評価
- 走査プローブ顕微鏡による表面原子・分子化学分析
- 原子操作と識別技術
- 探針に吸着させた原子種の同定
- 25p-YM-3 原子操作によりSiを捕獲したSTM探針のFIM観察
- 6p-B-12 原子操作によるタングステンシリサイド形成
- 30p-E-10 Asを高ドープしたSi(001)の表面構造
- タングステン上の重水素の吸着
- 1p-M-5 STMによる原子スケール塑性現象 : ステップ形成のメカニズム
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 4a-M-11 STMによる有機超伝導体の観察IV
- 5p-ZB-15 低温STMによる単結晶酸化物超伝導体のトンネル分光
- 3a-B4-9 STM/STSによる4Hb-TaS2とGICの電子状態解析
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 5p-S4-15 STMによる有機超伝導体の観察II
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 化合物半導体表面研究用UHV-STM装置の開発
- 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- 24aY-8 低温STMによるSi(001)上に吸着されたXe原子の観察
- 低温STMの開発
- 超高真空走査トンネル顕微鏡による水素終端シリコン表面の観察
- 25aWB-2 UHV-STMを用いたSi(111)-3/4×3/4:N(quadruplet)表面の構造解析
- 22pT-6 UHV-STMを用いたSi(111)-8x8:N表面の構造解析
- 水素終端シリコン表面の形成
- 2p-YD-13 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離II
- 溶液処理を用いたシリコン(001)表面の平坦化
- 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- 23pW-4 走査型アトムプローブによるカーボンナノチューブの原子レベルの解析
- 25a-YM-11 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離III
- 30p-N-6 高温STMを用いた表面インデンテーションによるシリコンの細線の作成とその電気伝導評価
- STMによる原子細線加工とその物性
- 1p-YA-5 STMによるシリコン原子のレヤーバイレヤー操作と量子コンダクタンス
- D-4 探針の押し込みによる弾性変形の分子力学シミュレーション(D.超音波基礎・非線形)
- SC-9-6 STMを用いた機能性分子自己組織化膜(SAM)の局所的電気伝導性測定
- 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
- 金属薄膜、有機単分子膜、高分子表面のナノメートル構造
- STMと表面原子像観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 走査型プロ-ブ顕微鏡手法(STMとAFM) (半導体材料/プロセス評価技術--最近のトピックス(技術ノ-ト))
- 極低温STM関連技術と今後の展望
- 表面分析技術としてのSPM技術
- 半導体開発におけるSTM/AFM
- SPMの原理と今後の可能性について : 究極探針と原子・分子識別
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(4) : プラズマ加工中の温度精密計測
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(3) : 四重極質量分析による加工モニタリング