水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御
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概要
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[110]方向に約4゜傾斜したSi (001) ウエハを、超高真空中で平坦化および水素終端化させて形成した、約4nm周期のステップ列を有する表面に、分子線蒸着によって平均膜厚約20nmの銅フタロシアニン膜を成長させた。基板温度140℃では、非常に大きな帯状の結晶がまばらに成長するが、基板温度60℃では、膜厚分布が16.5±2.5分子層の範囲にはいる連続的な膜が成長した。後者の膜においては、90%の領域で分子カラムがステップ列を横切る方向に配回していることが摩擦力顕微鏡によって確認された。この選択配向は、硬いフタロシアニン結晶と微傾斜基板表面との間のストライプ状の「有効接触領域」によって形成される、一種の人工格子によるものであると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
-
徳本 洋志
Jrcat-nair
-
徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
-
中村 雅一
アトムテクノロジー研究体(jrcat)オングストロームテクノロジ研究機構:(現)(株)東レリサーチセンター 表面科学研究部
-
徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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