30p-N-6 高温STMを用いた表面インデンテーションによるシリコンの細線の作成とその電気伝導評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-03-10
著者
-
米田 忠弘
東北大学多元物質科学研究所
-
徳本 洋志
北大電子研
-
徳本 洋志
Jrcat-nair
-
徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
-
徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
-
蓮沼 隆
JRCAT-ATP
-
米田 忠弘
Tesxas Instruments
-
蓮沼 隆
アトムテクノロジー研究体
-
米田 忠弘
東北大多元研:crest-jst
関連論文
- 30aTE-6 重水素置換アルカンチオール自己組織化膜に対するSTM-IETS(30aTE 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYH-5 アルカンチオール自己組織化膜に対する非弾性電子トンネル機構(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- MPc_2分子(M=Tb^, Dy^ and Y^ ; Pc=フタロシアニン)の極低温STM/STS観察
- 25pRA-1 2層フタロシアニン・ランタノイド錯体で観察される単層膜規則構造と近藤効果(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-1 2層フタロシアニン・ランタノイド錯体で観察される単層膜規則構造と近藤効果(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 30aTF-11 金(111)表面上の希土類系フタロシアニン錯体LnPc2の極低温STS測定(30aTF 領域3,領域9合同 表面界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pTE-3 A low temperature scanning tunneling microscopy/spectroscopy investigation about YPc2 and DyPc adsorption on Au(111)
- 30aTF-11 金(111)表面上の希土類系フタロシアニン錯体LnPc2の極低温STS測定(30aTF 領域3,領域9合同 表面界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 1P357 原子間力顕微鏡による生細胞の応力緩和・熱振動測定(計測,ポスター発表,第45回日本生物物理学会年会)
- 18aTC-8 原子間力顕微鏡による生細胞の力学緩和測定(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
- 小型走査電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電子銃の安定性評価
- 走査プローブ顕微鏡による表面原子・分子化学分析
- 原子操作と識別技術
- 探針に吸着させた原子種の同定
- 25p-YM-3 原子操作によりSiを捕獲したSTM探針のFIM観察
- 6p-B-12 原子操作によるタングステンシリサイド形成
- 30p-E-10 Asを高ドープしたSi(001)の表面構造
- タングステン上の重水素の吸着
- 1p-M-5 STMによる原子スケール塑性現象 : ステップ形成のメカニズム
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 23pWB-7 グラフェンシートの低温成長プロセス(グラファイト・グラフェン(作成・評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-4 グラフェンシートの電子顕微鏡・ラマン散乱評価(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 4a-M-11 STMによる有機超伝導体の観察IV
- 5p-ZB-15 低温STMによる単結晶酸化物超伝導体のトンネル分光
- 3a-B4-9 STM/STSによる4Hb-TaS2とGICの電子状態解析
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 5p-S4-15 STMによる有機超伝導体の観察II
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 化合物半導体表面研究用UHV-STM装置の開発
- 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発
- 氷薄膜/Pt(111)表面におけるアンモニアの吸着と溶解
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 非弾性電子トンネル分光による自己組織化膜中の同位体識別
- 22pPSB-26 重水素部分置換アルカンチオールの合成と金表面への吸着(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXA-10 アルカンチオール自己組織化膜に対するSTM-IETS : 膜厚依存性と同位体効果(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-11 低温STMによるアルカンチオール自己組織化膜の電気伝導特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aSC-6 STMにおいて磁場中ラジカル分子を流れるトンネル電流の周波数分析II(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aSC-6 STMにおいて磁場中ラジカル分子を流れるトンネル電流の周波数分析II(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aYB-1 STMにより磁場中ラジカル分子を流れるトンネル電流の周波数分析(領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYB-1 STMにより磁場中ラジカル分子を流れるトンネル電流の周波数分析(領域3,領域9合同,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pPSB-58 蛍光相関分光法による生細胞膜分子の拡散過程の測定(ポスターセッション,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
- 24aWG-1 コロイドプローブ原子間力顕微鏡を用いたゲル力学表面測定のプローブサイズ依存性(24aWG ゲル・高分子,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 27pRH-11 AFMを用いた高分子ゲル表面の力学測定(27pRH 高分子鎖・ゲル,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 25pWX-6 2層フタロシアニン錯体における分子形状変化を用いたスピン制御 : 走査トンネル分光の近藤ピーク測定による(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-6 2層フタロシアニン錯体における分子形状変化を用いたスピン制御 : 走査トンネル分光の近藤ピーク測定による(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 31a-PS-12 ドーピングによるSi(100)表面ストレスの変化とステップ構造
- 23pYC-8 金(111)表面上に吸着したBDA分子をもちいたトンネル電子注入による操作(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pYC-9 金(111)表面上に吸着したBDA分子の吸着構造と電子状態(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYB-6 低温STMをもちいた10Kでの炭化水素分子のAu(111)表面吸着(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-1 10K-STMの試作と非弾性トンネル分光評価(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 超音速希ガス原子衝突による表面吸着分子の摩擦に関する研究(最近の研究から)
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- 24aY-8 低温STMによるSi(001)上に吸着されたXe原子の観察
- 低温STMの開発
- 超高真空走査トンネル顕微鏡による水素終端シリコン表面の観察
- 25aWB-2 UHV-STMを用いたSi(111)-3/4×3/4:N(quadruplet)表面の構造解析
- 22pT-6 UHV-STMを用いたSi(111)-8x8:N表面の構造解析
- 水素終端シリコン表面の形成
- 2p-YD-13 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離II
- 溶液処理を用いたシリコン(001)表面の平坦化
- 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- 23pW-4 走査型アトムプローブによるカーボンナノチューブの原子レベルの解析
- 25a-YM-11 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離III
- 30p-N-6 高温STMを用いた表面インデンテーションによるシリコンの細線の作成とその電気伝導評価
- STMによる原子細線加工とその物性
- 1p-YA-5 STMによるシリコン原子のレヤーバイレヤー操作と量子コンダクタンス
- D-4 探針の押し込みによる弾性変形の分子力学シミュレーション(D.超音波基礎・非線形)
- 走査型トンネル顕微鏡を用いた原子分解能を持つ局所ESR測定
- SC-9-6 STMを用いた機能性分子自己組織化膜(SAM)の局所的電気伝導性測定
- カーボンナノチューブの自己組織化によるストライプ構造形成
- 走査プローブを用いた表面磁性測定 : ESR-STMによる単一スピン計測の可能性
- トンネル電子を用いた単一分子の振動分光
- 28pRD-2 走査トンネル顕微鏡をもちいた単一スピン検出(28pRD 領域9,領域3合同シンポジウム:原子・分子レベルのスピン検出の最前線,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pRD-2 走査トンネル顕微鏡をもちいた単一スピン検出(28pRD 領域9,領域3合同シンポジウム:原子・分子レベルのスピン検出の最前線,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aXF-11 超高真空STMによる金(111)表面上に成長したリゾチウム(卵白)の観察(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pWA-3 走査型トンネル顕微鏡による表面吸着分子の振動励起(領域1シンポジウム 主題:超低速ビームによる共鳴制御,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
- 金属薄膜、有機単分子膜、高分子表面のナノメートル構造
- 希ガス衝突によるPt(997)表面上のCO拡散の制御とFTIR法による解析
- STMによる単電子スピンの検出
- STMと表面原子像観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 走査型プロ-ブ顕微鏡手法(STMとAFM) (半導体材料/プロセス評価技術--最近のトピックス(技術ノ-ト))
- 極低温STM関連技術と今後の展望
- 表面分析技術としてのSPM技術
- 同位体置換により解明された非弾性電子トンネル分光の選択則
- 走査型トンネル顕微鏡(STM)で分子を観る : 分子を観るための基板・試料作成の実際
- 半導体開発におけるSTM/AFM
- SPMの原理と今後の可能性について : 究極探針と原子・分子識別
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(4) : プラズマ加工中の温度精密計測
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(3) : 四重極質量分析による加工モニタリング
- 19pCC-6 STMによる分子性磁石における近藤効果の観測(19pCC 領域3 シンポジウム 主題:単分子磁性体研究の深化と多角化,領域3(磁性,磁気共鳴))
- STMによる単電子スピンの検出