徳本 洋志 | アトムテクノロジー研究体
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概要
関連著者
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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三木 一司
電子技術総合研究所
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森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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徳本 洋志
Jrcat-nair
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三木 一司
電総研
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徳本 洋志
電総研
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岩槻 正志
日本電子
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佐藤 智重
日本電子
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森田 行則
電総研
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鈴木 峰晴
Nttアドバンステクノロジ(株)
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福田 常男
NTT通研
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徳本 洋志
電子技術総合研究所
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鈴木 峰晴
NTT通研
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近藤 康
アトムテクノロジー研究体(jrcat)-オングストロームテクノロジー研究機構
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清水 哲夫
独立行政法人産業技術総合研究所
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徳本 洋志
独立行政法人産業技術総合研究所
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
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清水 哲夫
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
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徳本 洋志
産業技術融合領域研究所
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Tokumoto Hiroshi
Elecltrotechnical Laboratory
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Tokumoto Hiroshi
Joint Research Center For Atom Technology (jrcat)
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坂本 邦博
電総研
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坂本 邦博
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
融合研
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末吉 孝
日本電子
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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坂本 統徳
電子技術総合研究所電子デバイス部
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天草 貴昭
日本電子(株)
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森田 行則
電子技術総合研究所
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末吉 孝
JEOL
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坂本 統徳
電子技術総合研究所
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米田 忠弘
東北大学多元物質科学研究所
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村上 寛
産総研
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村上 寛
電子技術総合研究所
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坂本 統徳
電総研
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徳本 洋志
北大電子研
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水谷 亘
JRCAT-NAIR
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森田 行則
融合研
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佐藤 智重
日本電子(株)
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岩槻 正志
日本電子(株)
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中村 雅一
アトムテクノロジー研究体(jrcat)オングストロームテクノロジ研究機構:(現)(株)東レリサーチセンター 表面科学研究部
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日比野 浩樹
NTT研究所
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鈴木 峰晴
NTT研究所
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本間 芳和
NTT研究所
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福田 常男
NTT研究所
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日比野 浩樹
NTT通研
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本間 芳和
NTT通研
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佐藤 智重
JEOL
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岩槻 正志
JEOL
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天草 貴昭
日本電子
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近藤 康
JRCAT-ATP
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柴田 信正
日本電子(株)
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千葉 聡
日本電子(株)
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森田 行則
産業技術融合領域研究所
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蓮沼 隆
JRCAT-ATP
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米田 忠弘
Tesxas Instruments
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蓮沼 隆
アトムテクノロジー研究体
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大野 公隆
アトムテクノロジー研究体, オングストロームテクノロジ研究機構
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NAGAHARA Larry
アトムテクノロジー研究体, オングストロームテクノロジ研究機構
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果 尚志
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
-
水谷 亘
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
-
大野 公隆
アトムテクノロジー研究体 オングストロームテクノロジ研究機構
-
徳本 洋志
Jrcat
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Nagahara Larry
アトムテクノロジー研究体 オングストロームテクノロジ研究機構
-
果 尚志
アトムテクノロジー研究体 産業技術融合領域研究所
-
米田 忠弘
東北大多元研:crest-jst
著作論文
- 走査プローブ顕微鏡による表面原子・分子化学分析
- 原子操作と識別技術
- 探針に吸着させた原子種の同定
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 24aY-8 低温STMによるSi(001)上に吸着されたXe原子の観察
- 低温STMの開発
- 14p-DH-11 Si(111)-√×√R30°におけるアドアトムの再配列
- 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン表面の動的観察
- STMによるSi(111) : (1×1)-(7×7)構造相転移の研究
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 30a-ZF-5 Si(111)表面上のSiH_3の局所構造
- 30p-BPS-4 HF処理Si(111):SiH_3相のSTM
- 24p-R-4 Si(111)表面の[112]ステップ形成機構
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- HF処理Si表面の観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- 超高真空走査トンネル顕微鏡による水素終端シリコン表面の観察
- 水素終端シリコン表面の形成
- 2p-YD-13 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離II
- 溶液処理を用いたシリコン(001)表面の平坦化
- 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御
- 5a-B-9 STMを用いたSi(111)-1x1:Hからの水素脱離
- STMで見た単結晶Si表面のH原子パッシベーション構造
- 30p-N-6 高温STMを用いた表面インデンテーションによるシリコンの細線の作成とその電気伝導評価
- 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
- 極低温STM関連技術と今後の展望
- 表面分析技術としてのSPM技術
- SPMの原理と今後の可能性について : 究極探針と原子・分子識別