HF処理Si表面の観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 25a-K-13 Si中のBi細線の電子顕微鏡観察
- 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造I
- 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造 II
- 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
- Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
- 小型走査電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電子銃の安定性評価
- 走査プローブ顕微鏡による表面原子・分子化学分析
- 原子操作と識別技術
- 探針に吸着させた原子種の同定
- 25p-YM-3 原子操作によりSiを捕獲したSTM探針のFIM観察
- 6p-B-12 原子操作によるタングステンシリサイド形成
- 30p-E-10 Asを高ドープしたSi(001)の表面構造
- タングステン上の重水素の吸着
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 30a-Z-9 Ge/Si歪超格子のエレクトロリフレクタンス
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- 24aY-8 低温STMによるSi(001)上に吸着されたXe原子の観察
- 低温STMの開発
- 14p-DH-11 Si(111)-√×√R30°におけるアドアトムの再配列
- 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン表面の動的観察
- STMによるSi(111) : (1×1)-(7×7)構造相転移の研究
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 30a-ZF-5 Si(111)表面上のSiH_3の局所構造
- 30p-BPS-4 HF処理Si(111):SiH_3相のSTM
- 24p-R-4 Si(111)表面の[112]ステップ形成機構
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- HF処理Si表面の観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- 超高真空走査トンネル顕微鏡による水素終端シリコン表面の観察
- 25aWB-2 UHV-STMを用いたSi(111)-3/4×3/4:N(quadruplet)表面の構造解析
- 22pT-6 UHV-STMを用いたSi(111)-8x8:N表面の構造解析
- 水素終端シリコン表面の形成
- 2p-YD-13 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離II
- 溶液処理を用いたシリコン(001)表面の平坦化
- 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御
- 5a-B-9 STMを用いたSi(111)-1x1:Hからの水素脱離
- STMで見た単結晶Si表面のH原子パッシベーション構造
- 水素終端Si(111)上における銅フタロシアニン分子配列のSPM観察
- HF変性Si表面
- Si表面で形成されるBi細線の電子顕微鏡観察
- 25pW-2 Si(001)表面上ビスマス細線構造(2) : 元素置換技術
- 12p-DL-6 Si/Ge/Siヘテロエピタキシャル成長に及ぼすBi, Sbの影響
- 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- シリコンの位相制御エピタキシ- (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
- 25a-YM-11 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離III
- 30p-N-6 高温STMを用いた表面インデンテーションによるシリコンの細線の作成とその電気伝導評価
- 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
- 27a-S-3 Si(001)off基板の成長メカニズム
- 極低温STM関連技術と今後の展望
- Ge/Si歪超格子 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子材料の開発)
- 表面分析技術としてのSPM技術
- 3.8 Si (001) 上の単原子層ステップとMBE成長
- SPMの原理と今後の可能性について : 究極探針と原子・分子識別
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(4) : プラズマ加工中の温度精密計測
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(3) : 四重極質量分析による加工モニタリング
- Si/Ge歪超格子の微細構造と光学的性質
- タイトル無し
- 29p-TC-10 Si(111)7x7表面への酸素吸着過程のSTM観察(29pTC 表面・界面)