三木 一司 | 電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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三木 一司
電子技術総合研究所
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三木 一司
電総研
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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徳本 洋志
電総研
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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坂本 邦博
電総研
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森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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佐藤 智重
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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徳本 洋志
電子技術総合研究所
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坂本 邦博
電子技術総合研究所
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森田 行則
電総研
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三木 一司
物材機構
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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鈴木 峰晴
Nttアドバンステクノロジ(株)
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福田 常男
NTT通研
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坂本 統徳
電子技術総合研究所
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村上 寛
産総研
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村上 寛
電子技術総合研究所
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Bowler D.r.
オックスフォード大学
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徳本 洋志
Jrcat-nair
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脇山 茂
セイコー電子工業
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松畑 洋文
電子技術総合研究所
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鈴木 峰晴
NTT通研
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Owen J.h.g.
オックスフォード大学
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Briggs G.a.d.
オックスフォード大学
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脇山 茂
セイコー電子工業(株)科学機器事業部技術ー部技術 2g
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坂本 統徳
電総研
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Owen J.H.G.
オックスフォード大
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Briggs G.A.D.
オックスフォード大
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末吉 孝
日本電子
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岡野 真
電子技術総合研究所
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小野 雅敏
電子技術総合研究所
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岡野 真
電総研
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坂本 統徳
電子技術総合研究所電子デバイス部
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末吉 孝
JEOL
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阪東 寛
産総研
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山本 淳
産総研エネルギー技術
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Pettifor D.G.
オックスフォード大・材料
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阪東 寛
電子技術総合研究所
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松畑 洋文
電総研
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徳本 洋志
融合研
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小野 雅敏
電総研
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小野 雅敏
電総研極限技術部
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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梶村 皓二
電子技術総合研究所
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岡山 重夫
電子技術総合研究所
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梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
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岡山 重夫
工業技術院電子技術総合研究所
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小野 雅敏
電子技術総合研究所極限技術部
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本間 芳和
東理大
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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徳本 洋志
産業技術融合領域研究所
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森田 行則
電子技術総合研究所
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京谷 憲一
明治大
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Pettifor D.g.
オックスフォード大
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齋藤 彰
大阪大学大学院工学研究科
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阪東 寛
電総研
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青野 正和
阪大工
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
物材機構mana
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虻川 匡司
東北大多元研
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虻川 匡司
東北大学多元物質科学研究所
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杉原 和佳
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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山崎 聡
産総研ナノテク部門
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渡辺 真二
小坂研究所
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虻川 匡司
東北大科研
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河野 省三
東北大科研
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河野 省三
東北大多元研
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山本 淳
電総研
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太田 敏隆
電総研
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梶村 皓二
電総研
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下村 勝
静岡大電子研
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桑原 裕司
阪大工
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浅見 久美子
阪大・産研
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権田 俊一
阪大・産研
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浅見 久美子
阪大産研
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権田 俊一
阪大産研
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OWEN J.H.G
オックスフォード大学
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BOWIER D.R
オックスフォード大学
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BRIGGS G.A.D
オックスフォード大学
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Bowler D.
ロンドン大学
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長尾 哲
三菱化成総研
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酒井 明
京都大学工学部付属メゾ材料研究センター
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山本 淳
電子技術総合研究所
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太田 敏隆
電子技術総合研究所
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加藤 英和
名古屋大学大学院工学研究科
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松井 恒雄
名古屋大学大学院工学研究科
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桑原 祐司
理研
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河野 省三
東北大・理
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村上 寛
電総研
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堀池 靖浩
(株)東芝
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清水 哲夫
独立行政法人産業技術総合研究所
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徳本 洋志
独立行政法人産業技術総合研究所
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清水 哲夫
電総研
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森田 行則
融合研
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井上 明
セイコー電子工業(株)
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渡辺 和俊
セイコー電子工業
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本間 昭彦
セイコー電子工業
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堀池 靖浩
東大院工
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堀池 靖浩
東芝超lsi研:現広大工
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下村 勝
東北大科研
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小林 好行
小坂研究所
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赤間 善昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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酒井 明
東芝超LSI研
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杉原 和佳
東芝超LSI研
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赤間 善昭
東芝超LSI研
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杉原 和佳
(株)東芝
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阪東 寛
産業技術総合研
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佐藤 智重
日本電子(株)
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
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生田 一之
アトムテクノロジー研究体-融合研
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山崎 聡
アトムテクノロジー研究体-融合研
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田中 一宜
アトムテクノロジー研究体-融合研
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豊島 安健
電子技術総合研究所
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松田 彰久
電子技術総合研究所
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斎藤 彰
大阪大学大学院工学研究科
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豊島 安健
電子技術総合研究所材料科学部
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松田 彰久
産業技術総合研究所薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ
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田中 一宜
アトムテクノロジー研究体
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松井 恒雄
名古屋大学
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太田 敏隆
産総研
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安藤 和徳
セイコー電子工業
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河野 省三
東北大
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倉田 智生
大阪大学大学院 工学研究科 精密科学専攻
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齋藤 彰
阪大工
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石田 茂
阪大工
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倉田 智生
阪大工
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山本 淳
産業技術総合研
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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橋口 原
中央大理工
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日比野 浩樹
NTT研究所
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鈴木 峰晴
NTT研究所
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本間 芳和
NTT研究所
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福田 常男
NTT研究所
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日比野 浩樹
NTT通研
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本間 芳和
NTT通研
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佐藤 智重
JEOL
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岩槻 正志
JEOL
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長尾 哲
三菱化成
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森田 行則
産業技術融合領域研究所
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Bowler R.D.
オックスフォード大
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Owen G.H.J
オックスフォード大
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Briggs D.A.G
オックスフォード大
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京谷 憲一
明治大学
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山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
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坂木 統徳
電総研
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高橋 直
明治大工
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国吉 克哉
明治大工
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井上 明
セイコー電子工業
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堀池 靖浩
東洋大学工学部電気電子工学科
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堀池 靖浩
極端紫外線露光システム技術開発機構(euva)
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下村 勝
静岡大 大学院電子科学研究科
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山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
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齋藤 彰
理研 Sprine-8:大阪大院工:科学技術振興機構icorp
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山崎 聡
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
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鵜木 重幸
日本大学文理学部
著作論文
- 25a-K-13 Si中のBi細線の電子顕微鏡観察
- 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造I
- 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造 II
- 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
- Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 30a-Z-9 Ge/Si歪超格子のエレクトロリフレクタンス
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- 14p-DH-11 Si(111)-√×√R30°におけるアドアトムの再配列
- 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン表面の動的観察
- STMによるSi(111) : (1×1)-(7×7)構造相転移の研究
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 30a-ZF-5 Si(111)表面上のSiH_3の局所構造
- 30p-BPS-4 HF処理Si(111):SiH_3相のSTM
- 24p-R-4 Si(111)表面の[112]ステップ形成機構
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- HF処理Si表面の観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- Si表面で形成されるBi細線の電子顕微鏡観察
- 25pW-2 Si(001)表面上ビスマス細線構造(2) : 元素置換技術
- 12p-DL-6 Si/Ge/Siヘテロエピタキシャル成長に及ぼすBi, Sbの影響
- 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- シリコンの位相制御エピタキシ- (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
- 27a-S-3 Si(001)off基板の成長メカニズム
- Ge/Si歪超格子 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子材料の開発)
- 3.8 Si (001) 上の単原子層ステップとMBE成長
- Si/Ge歪超格子の微細構造と光学的性質
- タイトル無し
- 29p-TC-10 Si(111)7x7表面への酸素吸着過程のSTM観察(29pTC 表面・界面)