坂本 統徳 | 電総研
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概要
関連著者
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坂本 統徳
電総研
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坂本 邦博
電総研
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大柳 宏之
電総研
-
河野 省三
東北大・理
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山口 博隆
電総研
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三木 一司
電総研
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鈴木 章二
東北大院・理
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鈴木 章二
東北大理
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虻川 匡司
東北大理
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河野 省三
東北大理
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山口 博隆
産総研
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河野 省三
東北大科研
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遠田 義晴
東北大通研
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三木 一司
電子技術総合研究所
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虻川 匡司
東北大学多原研
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福谷 博仁
筑波大物理
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柏倉 隆之
東北大理
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桑原 裕司
理研 SPring-8
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松下 正
Kek
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虻川 匡司
東北大科研
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松畑 洋文
電総研
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大柳 宏之
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所電子基礎部
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塩田 隆
電総研
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遠田 義晴
東北大理
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八百 隆文
電総研
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東山 和幸
東北大理
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東山 和幸
筑波大物理
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Yeom H.W.
東大理
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岩渕 美保
筑波大物理
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細井 真也
筑波大物理
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塩田 隆
電子技術総合研究所
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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Yeom H.W.
東北大理
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河野 省三
東北大
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柿崎 明人
東大物性研
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木下 豊彦
東大物性研
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石井 武比古
東大物性研
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TAMASAKU Kenji
SPring-8/Riken
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佐藤 繁
東北大院理
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佐藤 繁
東北大理
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岡根 哲夫
東北大理
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松下 正
高エ研
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松下 正
Kek-pf
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虻川 匡司
東北大多元研
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川村 隆明
山梨大教育
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Tamasaku Kenji
Superconductivity Research Course University Of Tokyo
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Tamasaku Kenji
Superconductivity Research Course The Niversity Of Tokyo
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石黒 武彦
京大理:crest(科技団)
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石黒 武彦
電総研
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江島 丈雄
東北大理
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Park Chon-Yun
成均館大理
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佐々木 泰孝
東北大理
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高橋 秀行
東北大理
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Yu Sueng-Woo
成均館大理
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Kang Kum-A
成均館大理
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浅見 久美子
阪大・産研
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権田 俊一
阪大・産研
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浅見 久美子
阪大産研
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権田 俊一
阪大産研
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柏倉 隆之
宇大工
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徳本 洋志
電総研
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八百 隆文
広島大工
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鈴木 英一
電総研
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岡根 哲夫
原子力機構:spring-8
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森田 行則
電総研
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森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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京谷 憲一
明治大
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Kanomata Takeshi
Department Of Applied Physics Tohoku-gakuin University
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Kanomata T
Faculty Of Engineering Tohoku Gakuin University
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坂本 統徳
工業技術院電子技術総合研究所
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三木 洋文
電総研
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鵜木 重幸
日大文理
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小宮 祥男
電総研
-
垂井 康夫
電総研
-
我妻 洋
電総研
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垂井 康夫
工業技術院電子技術総合研究所
-
小宮 祥男
工業技術院電子技術総合研究所
-
Tamasaku K
Harima Inst. Riken/spring‐8 Hyogo Jpn
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川村 隆明
山梨大・教
-
橋口 原
中大理工
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高橋 直
明大工
著作論文
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 30a-Z-9 Ge/Si歪超格子のエレクトロリフレクタンス
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- 12p-DL-6 Si/Ge/Siヘテロエピタキシャル成長に及ぼすBi, Sbの影響
- 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
- 3a-C4-9 Single-Domain Si(001)2x1-K表面の角度分解UPS
- 14a-DH-12 Si(001)上のGe成長I「その場」表面敏感XAFSによる研究
- 14a-DH-9 Si(001)上のGe成長IIサーファクタントエピタキシーと界面構造
- 30a-L-1 MBE成長Si/Ge歪超格子薄膜の電子顕微鏡観察
- 29p-W-10 GeSi超格子の構造
- 4a-PS-27 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究III. : 局所構造の基板温度依存性
- 4a-PS-26 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究VI. : n=2の特異な電子状態
- 3)Ta_2O_5-SiO_2-Si構造による可視光不揮発性メモリーおよび光導波路(第51回テレビジョン電子装置研究会)
- 6-2 半導体メモリー(6.画像記録に応用される新現象と将来)(画像メモリー)
- タイトル無し
- 1p-F4-6 Si(001)微傾斜面の成長機構(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
- 30a-H-11 単一ドメインSi(001)_2×1表面からのRHEED強度(表面・界面)
- 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)
- 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))