29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1989-03-28

著者

• 柏倉 隆之

  東北大理

• 虻川 匡司

  東北大理

• 河野 省三

  東北大理

• 江島 丈雄

  東北大理

• 坂本 統徳

  電総研

関連論文

• 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
• 25a-ZD-11 アルカリ金属の内殻光電子スペクトル
• 5a-A-16 高温超伝導体の軟X線分光
• 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 31a-H-14 ウラン化合物の内殻線形状の解析
• 12a-DC-17 Ce/Ni(110)界面における化合物形成と電子構造
• 12a-DC-16 CeNiAl_4、CeNi_2Al_5の高分解能共鳴光電子分光
• 12a-DC-14 ウラン化合物の共鳴光電子分光
• 12a-DC-13 ウラン化合物の内殻線形状の非対称性と価電子帯スペクトル
• 29p-P-8 Ti酸素化物の光電子分光と逆光電子分光
• 29a-P-12 セリウム化合物(CeSn_3,CeNiSn,CePdSn)のXPS,X-BISスペクトル
• 25a-ZD-10 CeB_6の共鳴光電子分光
• 25a-ZD-6 CeNi_2Al_3の共鳴光電子分光
• 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
• 30p-E-2 ウラン化合物の内殻線形状の非対称性
• 30p-E-1 ウラン化合物U_3T_3X_4(T=Ni, Cu;X=Sn, Sb)のXPS, X-BISスペクトル
• 30a-E-3 Ni(110)の角度分解共鳴光電子分光
• 28a-B-11 Ni単結晶の角度分解共鳴光電子分光
• 27a-B-3 ウラン化合物(UB_,U_2PtSi_3)のXPS,X-BISスペクトル
• 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
• 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
• 25p-W-7 CeNi、LaNiの高分解能光電子分光
• 2p-E-4 低温Si(001)c(4x2)清浄及びNa吸着表面のARUPS
• 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
• 29a-H-1 CeB_6の共鳴光電子分光 II
• 29a-G-7 Si(111)3×1-NaとSi(111)δ7×7-NaにおけるSi2p内殻準位シフト
• 27p-B-1 YbB_6の共鳴光電子分光
• 30a-TC-3 La_Sr_xCuO_4 (X=0.0-0.55)およびYBa_2Cu_3O_の軟X線吸収分光
• 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
• 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
• 30p-D-9 Si(111)√×√-Snの回折XPS
• 4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
• 3p-RJ-10 Sm/Ge(111)表面の角度分解UPS,II
• 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析
• 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
• 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
• 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
• 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
• 15p-B-18 2価金属塩化物のCl^-L_吸収 II : アルカリ土類塩化物
• 15p-B-17 2価金属塩化物のCl^-L_吸収工 : 遷移金属塩化物
• 15p-B-13 CuClのCl^-L_吸収
• 2p-W-2 UGe_z,U_3Ge_4のXPS,X-BISスペクトル
• 31p-P-7 ___-
• 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
• 4p-NC-7 レチナールアナログのXPS
• 30a-A-7 Ag(110)表面の回折XPS
• 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 6p-ZA-2 Nd-Ce-Cu-Oの軟X線分光
• 6a-ZA-8 Bi-Sr-Ca-Y-Cu-Oの軟X線分光
• 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
• 12a-Y-6 Sn/Ge(111)表面の回折XPS,AESIII
• 27p-Y-2 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES II
• 27p-Y-1 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES, I
• 30a-BE-5 回折XPSによるAg/Si(111)構造解析
• 電子回折による波数空間測定
• 3a-C4-13 逆光電子分光装置の改良 : Si(111)√3x√3-Sn,-Inを例として
• 12a-Y-8 Sn/Ge(111)表面の角度分解UPS
• 27a-Y-5 Si(111)(1×1), (7×7)表面電子状態の温度変化
• 1p-TA-13 Na, Ga/Si(001) Single-Domain表面のARUPS
• 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
• 3a-C4-9 Single-Domain Si(001)2x1-K表面の角度分解UPS
• 3a-KH-9 SORによる遷移金属塩化物の価電子帯光電子スペクトル
• 3a-KH-8 SORによるCu-ハライドの価電子帯光電子スペクトル
• 3a-KH-7 SORによるEu-カルコゲナイドの価電子帯光電子スペクトル
• 3a-KH-6 SORによるCdSおよびMnPの価電子帯スペクトル
• 3a-KH-5 SOR用光電子エネルギーアナライザーと貴金属価電子帯スペクトル
• 3a-KH-4 SORによるXUV光電子分光学-必要性と測定の原理
• 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
• 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
• 30a-BE-4 Si(111)-√×√Agの角度分解UPS
• 1p-A-1 Si(111)1×1表面電子状態のUPS
• 31a-J-3 Si(111)7×7表面の角度分解UPS
• 30a-TA-8 UHV-SEMによるIn/Si(111)表面の研究
• 4p-Y-5 Si(001)表面とアルカリ吸着 : 光電子分光
• 3a-C4-12 超高真空SEM装置の試作とAg/Si(111)表面
• 1p-KM-3 光電子回折:Ag-Si(111),Sn/Ge(111)
• 12a-Y-7 Sn/Ge(111)表面の直衝突イオン散乱分光
• 31p-F-5 固体表面の電子状態
• 30p-C-15 バクテリオロドプシンにおけるtwo external point charge modelの検討
• 12p-W-8 SmB_6中のSmイオンの混合電子状態(ESCAのデータ)
• 25a-H-4 金属ヘキサボライドのX線光電子分光
• 30p-D-6 角度分解光電子分光法による銅のエネルギー・バンドの決定 : 三角法の適用
• 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
• 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 12p-Z-11 銅ハライドの極端紫外光電子スペクトルにおけるp-d干渉効果
• 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 熱散漫散乱を用いた表面構造解析
• 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
• 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31a-M2-1 Si(111)√3x√3-Sbの角度分解正逆光電子分光(表面・界面)
• 30p-H-14 Si(111)√3×√3-Ag表面の内殻準位シフト(表面・界面)
• 31a-M2-3 Si(oo1)2×1-sの角度分解UPS(表面・界面)
• 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク