29aZF-7 RHEED による Si(111)√<3>x√<3>-Ag 表面構造相転移の研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-03-06
著者
-
虻川 匡司
東北大理
-
虻川 匡司
東北大多元研
-
虻川 匡司
東北大学多元物質科学研究所
-
河野 省三
東北大科研
-
河野 省三
東北大多元研
-
山崎 智之
東北大学多元研
-
河野 省三
東北大・理
-
河野 省三
東北大学多元物質科学研究所
-
矢島 健太郎
東北大学多元研
-
河野 省三
東北大
-
虻川 匡司
東北大学多原研
-
虻川 匡司
東北大学理
関連論文
- 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
- 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
- Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
- 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
- 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
- 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
- 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
- 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
- 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
- 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
- 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
- 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
- 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
- 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
- 2p-E-4 低温Si(001)c(4x2)清浄及びNa吸着表面のARUPS
- 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
- 27a-PB-11 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散の温度依存性
- 27a-PB-10 Surface structures and interface formation of In (Al) adsorption on Si (001) 2x1 studied by photoelectron spectroscopy
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
- 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 30p-D-12 Si(111)√×√-Biの角度分解UPS
- 30p-D-9 Si(111)√×√-Snの回折XPS
- 1p-S-11 Au/Si(111)表面の回折XPSII
- 1p-S-2 Si(111)√×√-Gaの角度分解UPS
- 4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
- 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析
- 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
- 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
- 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
- 30a-A-7 Ag(110)表面の回折XPS
- 4p-NM-7 Sm,Eu,Gd,Ybの表面4f準位-I;SOR,UPS
- 4p-NM-6 光電子の運動量不確認性と1T-TaS_2のバンド構造
- 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究
- 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態
- 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
- 科学解説 CVD成長ダイヤモンド表面の電子分光・回折・顕微鏡による局所分析
- 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
- 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
- 1次元表示型エネルギ-分析器 (マイクロチャネルプレ-トを利用した表面研究技術(技術ノ-ト))
- 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成
- 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察
- 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価
- 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√×√, Ag / Ge / Si(111)√×√表面構造解析
- 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III
- 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
- 12a-Y-6 Sn/Ge(111)表面の回折XPS,AESIII
- 27p-Y-2 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES II
- 27p-Y-1 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES, I
- 30a-BE-5 回折XPSによるAg/Si(111)構造解析
- 電子回折による波数空間測定
- 3a-C4-13 逆光電子分光装置の改良 : Si(111)√3x√3-Sn,-Inを例として
- 26p-P-8 Si(001)2×1-Kの角度分解UPS
- 26a-P-11 Sn/Si(111)表面の逆光電子分光
- 27a-Y-5 Si(111)(1×1), (7×7)表面電子状態の温度変化
- 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
- 1p-TA-13 Na, Ga/Si(001) Single-Domain表面のARUPS
- 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
- 3a-C4-9 Single-Domain Si(001)2x1-K表面の角度分解UPS
- 3a-TA-2 GaAsスピン偏極電子源の性能
- 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
- 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
- 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
- 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
- 26a-P-12 Si(111)√×√,Sb表面のXPD
- 30p-BPS-18 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析II
- 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法
- 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
- 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
- 光電子回折による半導体表面構造解析
- 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
- 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
- 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces
- 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
- アルカリ金属吸着Si(001)2×1表面の電子状態
- 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 熱散漫散乱を用いた表面構造解析
- 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
- 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFN-7 ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクスII(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXZA-3 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-5x2-Au表面の構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-4 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√7×√3表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJB-2 ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(29aTJ 表面・界面)