科学解説 CVD成長ダイヤモンド表面の電子分光・回折・顕微鏡による局所分析

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• オ-ム社の論文

著者

• 河野 省三

  東北大科研

• 河野 省三

  東北大多元研

• 河野 省三

  東北大・理

• 河野 省三

  東北大

関連論文

• 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
• 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
• (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
• Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
• Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
• 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
• 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
• 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
• 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
• 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
• 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
• 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
• 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
• 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
• 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
• 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
• 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
• 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
• 2p-E-4 低温Si(001)c(4x2)清浄及びNa吸着表面のARUPS
• 30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
• 27a-PB-11 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散の温度依存性
• 27a-PB-10 Surface structures and interface formation of In (Al) adsorption on Si (001) 2x1 studied by photoelectron spectroscopy
• 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
• 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
• 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
• 30p-D-12 Si(111)√×√-Biの角度分解UPS
• 30p-D-9 Si(111)√×√-Snの回折XPS
• 1p-S-11 Au/Si(111)表面の回折XPSII
• 1p-S-2 Si(111)√×√-Gaの角度分解UPS
• 4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
• 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
• 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
• 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
• 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
• 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
• 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
• 30a-A-7 Ag(110)表面の回折XPS
• 4p-NM-7 Sm,Eu,Gd,Ybの表面4f準位-I;SOR,UPS
• 4p-NM-6 光電子の運動量不確認性と1T-TaS_2のバンド構造
• 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究
• 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態
• 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
• 科学解説 CVD成長ダイヤモンド表面の電子分光・回折・顕微鏡による局所分析
• 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
• 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
• 1次元表示型エネルギ-分析器 (マイクロチャネルプレ-トを利用した表面研究技術(技術ノ-ト))
• 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成
• 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察
• 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価
• 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√×√, Ag / Ge / Si(111)√×√表面構造解析
• 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III
• 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
• 12a-Y-6 Sn/Ge(111)表面の回折XPS,AESIII
• 27p-Y-2 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES II
• 27p-Y-1 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES, I
• 30a-BE-5 回折XPSによるAg/Si(111)構造解析
• 3a-C4-13 逆光電子分光装置の改良 : Si(111)√3x√3-Sn,-Inを例として
• 26p-P-8 Si(001)2×1-Kの角度分解UPS
• 26a-P-11 Sn/Si(111)表面の逆光電子分光
• 27a-Y-5 Si(111)(1×1), (7×7)表面電子状態の温度変化
• 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
• 1p-TA-13 Na, Ga/Si(001) Single-Domain表面のARUPS
• 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
• 3a-C4-9 Single-Domain Si(001)2x1-K表面の角度分解UPS
• 3a-TA-2 GaAsスピン偏極電子源の性能
• 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
• 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
• 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
• 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
• 26a-P-12 Si(111)√×√,Sb表面のXPD
• 30p-BPS-18 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析II
• 24p-R-10 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析
• 24p-X-7 光電子分光
• 4a-PS-41 Si(111)表面上のInの移動
• 30a-TA-8 UHV-SEMによるIn/Si(111)表面の研究
• 4p-Y-5 Si(001)表面とアルカリ吸着 : 光電子分光
• 3a-C4-12 超高真空SEM装置の試作とAg/Si(111)表面
• 光電子分光,光電子回折法によるSi,Ge(111)面上の金属初期吸着の研究(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
• 1p-KM-3 光電子回折:Ag-Si(111),Sn/Ge(111)
• 12a-Y-7 Sn/Ge(111)表面の直衝突イオン散乱分光
• 31p-F-5 固体表面の電子状態
• 30p-C-15 バクテリオロドプシンにおけるtwo external point charge modelの検討
• 3a-L-13 I-III-IV_2三元化合物の価電子帯のX線光電子スペクトル
• 3p-K-2 銅ハライドのX線光電子スペクトル
• 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
• 光電子回折による半導体表面構造解析
• Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
• 4p-NM-5 Cu(111)_3d表面準位のエネルギー分散測定
• 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
• 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces
• 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
• アルカリ金属吸着Si(001)2×1表面の電子状態
• Si (001) 表面へのアルカリ金属吸着
• 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
• 光電子回折法 (PED, XPD)
• XPD法で調べた半導体初期界面構造
• 30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)
• 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク