31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-03-16
著者
-
佐藤 繁
東北大理
-
鈴木 章二
東北大院・理
-
鈴木 章二
東北大理
-
虻川 匡司
東北大科研
-
河野 省三
東北大科研
-
木村 慎之
東北大科研
-
佐々木 雅夫
東北大理
-
Yeom Woong
東北大科研
-
河野 省三
東北大・理
-
河野 省三
東北大
-
虻川 匡司
東北大学多原研
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